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Transistor BipolarCaracterísticas del transistor BC32725 , PNP, -45V TO-92O   TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, -45V TO-92O   Polar...
Transistor BipolarCaracterísticas del transistor TIP30 NPNO   transistores de energía de 1.Silicon PNP 2.Packaging: TO-220...
Transistor JfetCaracterísticas del transistor 2N5116O Transistor de efecto de campo de ensambladura, P-Channel  JFETO Tran...
Transistor JfetCaracterísticas del transistor 2N4117A 2N4117Amplificador de N-Canal JFET de uso general - Calogic, LLCbaja...
Transistor JfetCaracterísticas del transistor MMBFJ175LT1G
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Dispositivos electrónicos transistores

  1. 1. Dispositivos Electrónicos Transistores
  2. 2. Transistor BipolarCaracterísticas del transistor BC32725 , PNP, -45V TO-92O TRANSISTOR BIPOLAR, PNP, -45V TO-92O Polaridad del transistor: PNPO Voltaje del emisor del colector, CEO de V (Br): - 45VO Frecuencia Typ, pie de la transición: 100MHzO Disipación de energía, paladio: 625mWO Corriente de colector de la C.C.: 800mAO Aumento actual de C.C. máximo (hfe): 250O RoHS obediente: Sí
  3. 3. Transistor BipolarCaracterísticas del transistor TIP30 NPNO transistores de energía de 1.Silicon PNP 2.Packaging: TO-220 3.VCEO (SUS) = -40V (minuto) 4.VCE (sentado) = @IC= -1.0A de -0.7V (máximo)O Transistores de energía del silicio NPN del ISC TIP30O DESCRIPCIÓNO ·Voltaje de mantenimiento del Collector-EmitterO : VCEO (SUS) = -40V (minuto)O ·Voltaje de saturación del Collector-EmitterO : VCE (sentado) = @IC= -1.0A de -0.7V (máximo)O ·Complemento para mecanografiar TIP29O USOSO Diseñado para el uso en amplificador de fines generales y la conmutaciónO usos
  4. 4. Transistor JfetCaracterísticas del transistor 2N5116O Transistor de efecto de campo de ensambladura, P-Channel JFETO Transistor de efecto de campo de ensambladura P-Channel JFETO Code=2N5116 Brand=Vishay/Siliconix Detailed=JFET 30V 10pA Datos Spec=Available SoloO gFS delantero del transadmittance: 0.0045 S ohmios =150 de /Source RDS (continuaci3on) de la drenar-a- puerta atajo voltage=4 V dieléctrico puncture=30 V drene la corriente (Vgs=0; Idss) = - 5 mA a - 25 mA Packing=200pcs/bag
  5. 5. Transistor JfetCaracterísticas del transistor 2N4117A 2N4117Amplificador de N-Canal JFET de uso general - Calogic, LLCbaja fugabaja capacidad(TA = 25 º C a menos que se indique lo contrario)puerta-fuente o voltaje de la puerta-drenaje. . . . . . . . . . . . . . . . -40VPuerta actual. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mARango de temperatura de almacenamiento. . . . . . . . . . . . . -65oC a+200 ° CRango de temperatura. . . . . . . . . . . -55oC a +175 ° Cdisipación de energía. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 mWDesclasifique por encima de 25 º C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2.0mW/oC
  6. 6. Transistor JfetCaracterísticas del transistor MMBFJ175LT1G
  7. 7. Transistor FetCaracterísticas del transistor RD70HVF1 MITSUBISHI RFAbadejo del FET 2. del transistor del RF > 70W, Gp > 10.6dB @ Vdd =12.5V, abadejo f = 175MHz 3. > 50W, Gp > 7.0dB @ Vdd = 12.5V, f =520MHzSemiconductores de la energía del RF del silicioFET del transistor de MITSUBISHI RFDispositivos de alta frecuenciaMOSFET de la energía del Si RFTransistor del efecto de campo del Metal-Óxido-Semiconductor, MOSFET1. DESCRIPCIÓNRD70HVF1 es un tipo transistor del FET del MOS diseñadoespecíficamente para los usos de los amplificadores del poder máselevado del VHF/de la frecuencia ultra elevada.2. USOPara la etapa de la salida de los amplificadores del poder más elevado ensistemas de radio móviles de la venda del VHF/de la frecuencia ultraelevada.
  8. 8. Bibliografía http://spanish.alibaba.com/

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