TRANSISTORES
CARRERA: INGENIERIA DE SISTEMAS E INFORMATICA
CURSO:
FISICA ELECTRONICA
ALUMNO: DAVILA YURIVILCA, JAVIER ALBE...
CONCEPTO
El transistor es un dispositivo
electrónico
semiconductor
utilizado para producir una
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POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR
Una polarización correcta permite el buen funcionamiento
de este componente. No es igual polar...
TIPOS DE TRANSISTORES
Existen diversos tipos de
transistores, entre ellas hacemos
mención de 5 transistores
diferentes:
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TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
Llamado también
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capaz de obtener
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CARACTERISTICAS
Consta
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FICHA TECNICA
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CARACTERISTICAS
La zona N con elementos donantes
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FOTOTRANSISTOR
Los fototransistores son
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Es difícil definir las características de los
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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en
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CARACTERISTICA
Si se difunden dos regiones P en una barra de
material N y se conectan externamente entre
sí, se producirá ...
JFET
El transistor de efecto de
campo de unión (JFET), fue
el primer transistor de
efecto de campo en la
práctica. Lo form...
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MOSFET
El transistor de efecto de campo
metal-óxido
semiconductor o MOSFET (en inglés
Metal-oxide-semiconductor
Fieldeffec...
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BIBLIOGRAFIA
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Manual ECG 20Th Edición (MASTER RAPLACEMENT GUIDE)

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Transistores

  1. 1. TRANSISTORES CARRERA: INGENIERIA DE SISTEMAS E INFORMATICA CURSO: FISICA ELECTRONICA ALUMNO: DAVILA YURIVILCA, JAVIER ALBERTO
  2. 2. CONCEPTO El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conm utador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor «resistencia de transferencia». Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario.
  3. 3. POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR Una polarización correcta permite el buen funcionamiento de este componente. No es igual polarizar un transistor NPN que PNP. Este dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña. Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarán los bipolares. Los símbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes
  4. 4. TIPOS DE TRANSISTORES Existen diversos tipos de transistores, entre ellas hacemos mención de 5 transistores diferentes:        TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR. TRANSISTOR DARLINGTON. FOTOTRANSISTOR. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO. JFET MOSFET
  5. 5. TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattai.
  6. 6. CARACTERISTICAS Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-oxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de «transfer resistor». Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
  7. 7. FICHA TECNICA
  8. 8. FICHA TECNICA
  9. 9. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR BJT (Bipolar Junction Transistor) Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido de tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal. El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes móviles). Los transistores son dispositivos activos con características altamente no lineales.
  10. 10. CARACTERISTICAS La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fosforo (P). La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
  11. 11. FICHA TECNICA
  12. 12. FICHA TECNICA
  13. 13. FOTOTRANSISTOR Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal.
  14. 14. CARACTERISTICA Es difícil definir las características de los materiales que se usan para hacer un fotodiodo, ya que solo fotones con suficiente energía como para excitar a los electrones producirán una fotocorriente significante. Este contenido también es accesible desde la página sobre el fotodiodo. Los fotodiodos pueden ser de silicio, germanio, arseniuro de galio o sulfuro de plomo. Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas: Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común). Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación). Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.
  15. 15. FICHA TECNICA
  16. 16. FICHA TECNICA
  17. 17. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea mono cristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD). Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET). Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
  18. 18. CARACTERISTICA Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal. El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impudencia de entrada. Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico. Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de oxido.
  19. 19. JFET El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.
  20. 20. FICHA TECNICA
  21. 21. FICHA TECNICA
  22. 22. MOSFET El transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Fieldeffect-transistor) Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
  23. 23. FICHA TECNICA
  24. 24. FICHA TECNICA
  25. 25. BIBLIOGRAFIA  Manual ECG 20Th Edición (MASTER RAPLACEMENT GUIDE)  ttp://es.wikipedia.org/wiki/Transistor http://tescielectronica.blogspot.com/ http://www.directindustry.es/prod/clare/transistores-efectocampo-fets-34568-204903.html http://www.ermicro.com/blog/?p=423 http://www.planetaelectronico.com/cursillo/tema4/tema4.2.html http://panamahitek.com/el-transistor-la-herramienta-de-controlde-arduino/ http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php https://www.youtube.com/watch?v=Te5YYVZiOKs https://www.youtube.com/watch?v=g4E093HBC4A        

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