UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP
INGENIERÍA DE SISTEMAS E INFORMÁTICA
ASIGNATURA: INGENIERÍA ELECTRÓNICA
ALUMNO:
JIMWESSLAZARTE...
CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES
 TRANSISTOR SILICON P–CHANNEL JFET
 TRANSISTOR N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
 TRANSIS...
CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES
TRANSISTOR SILICON P–CHANNEL JFET
 Voltaje drenaje-Gate, VDG. 40V
 Invierta Voltaje ...
CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES
TRANSISTOR N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
 Baja resistencia: 2,5?
 Bajo Umbral: 2,1 V
...
CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES
TRANSISTOR PROGRAMMABLE UNIJUNCTION
 Programable - RBB, IV e IP
 Baja tensión en est...
CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES
TRANSISTOR Silicon Complementary
 Zona Alta de funcionamiento seguro: 250W @ 50V
 Un...
CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES
TRANSISTOR Silicon Power
 Alta Ganancia de CC: hFE = 25 - 100 @ IC = 7,5
 Excelente ...
http://www.talonix.com
http://www.littlemachineshop.com
http://www.unicrom.com
http://www.octopart.com
http://www.orig-100...
Próxima SlideShare
Cargando en…5
×

Transistores

220 visualizaciones

Publicado el

Transistores

Publicado en: Tecnología
0 comentarios
0 recomendaciones
Estadísticas
Notas
  • Sé el primero en comentar

  • Sé el primero en recomendar esto

Sin descargas
Visualizaciones
Visualizaciones totales
220
En SlideShare
0
De insertados
0
Número de insertados
3
Acciones
Compartido
0
Descargas
1
Comentarios
0
Recomendaciones
0
Insertados 0
No insertados

No hay notas en la diapositiva.

Transistores

  1. 1. UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP INGENIERÍA DE SISTEMAS E INFORMÁTICA ASIGNATURA: INGENIERÍA ELECTRÓNICA ALUMNO: JIMWESSLAZARTE SÁNCHEZ
  2. 2. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES  TRANSISTOR SILICON P–CHANNEL JFET  TRANSISTOR N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET  TRANSISTOR PROGRAMMABLE UNIJUNCTION  TRANSISTOR SILICON COMPLEMENTARY  TRANSISTOR SILICON POWER
  3. 3. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR SILICON P–CHANNEL JFET  Voltaje drenaje-Gate, VDG. 40V  Invierta Voltaje puerta-fuente, VGSR. . 40V  Forward puerta actual, IG (f). 10mA  Disipación total del dispositivo (TA = 25 ° C), PD. 310mW  Degradación por encima de 25 ° C 2.82mW /° C  Rango de temperatura de unión, TJ.. . -65 ° a +135 ° C  Rango de temperatura de almacenamiento, Tstg. -55 ° a 150 ° C NTE326
  4. 4. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET  Baja resistencia: 2,5?  Bajo Umbral: 2,1 V  Baja capacitancia de entrada: 22 pF  Rápido velocidad de conmutación: 7 ns  Bajo entrada y fuga de salida 2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170
  5. 5. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR PROGRAMMABLE UNIJUNCTION  Programable - RBB, IV e IP  Baja tensión en estado activado - 1,5 V Máxima @ IF = 50 mA  Bajo Puerta de fuga del ánodo actual - 10 nA máximo  Tensión de salida High Peak - 11 V Típico  tensión de offset bajo - 0,35 V Típica (RG = 10 k)  Paquetes Pb gratuitos están disponibles * 2N6027, 2N6028
  6. 6. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR Silicon Complementary  Zona Alta de funcionamiento seguro: 250W @ 50V  Una baja distorsión Diseños Complementarios  Alta Ganancia de CC: hFE = 25 Min @ IC = 5A NTE60 (NPN) & NTE61 (PNP)
  7. 7. CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES TRANSISTOR Silicon Power  Alta Ganancia de CC: hFE = 25 - 100 @ IC = 7,5  Excelente área de funcionamiento seguro NTE180 (PNP) & NTE181 (NPN)
  8. 8. http://www.talonix.com http://www.littlemachineshop.com http://www.unicrom.com http://www.octopart.com http://www.orig-10001.allied.att-dsa.net

×