JORGE RAMON CHIPOCO ROMERO
Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unosvalores eléctricos de entrada, reacciona dando unos val...
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en elque, mediante técnicas de difusión de d...
Llamado también transistor depunta de contacto, fue el primertransistor capaz de obtenerganancia, inventado en 1947 porJ. ...
El transistor de unión bipolar, o BJT por sussiglas en inglés, se fabrica básicamentesobre un monocristal de Germanio, Sil...
Los fototransistores son sensibles ala radiación electromagnética enfrecuencias cercanas a la dela luz visible; debido a e...
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Transistores1

  1. 1. JORGE RAMON CHIPOCO ROMERO
  2. 2. Es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unosvalores eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores desalida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efectode campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensioneseléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) yG (puerta), VGS. Según este valor, la salida del transistorpresentará una curva cara
  3. 3. Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en elque, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuestoseparadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctricoculminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tiposfundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje:Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.Las áreas de difusión se denominan fuente(source) y drenador(drain), y el conductorentre ellos es la puerta(gate).Tipo nMOSTipo pMOS
  4. 4. Llamado también transistor depunta de contacto, fue el primertransistor capaz de obtenerganancia, inventado en 1947 porJ. Bardeen y W. Brattain. Constade una base de germanio,semiconductor para entoncesmejor conocido que lacombinación cobre-óxido decobre, sobre la que se apoyan,muy juntas, dos puntas metálicasque constituyen el emisor y elcolector. La corriente de base escapaz de modular la resistenciaque se "ve" en el colector, de ahíel nombre de "transfer resistor".
  5. 5. El transistor de unión bipolar, o BJT por sussiglas en inglés, se fabrica básicamentesobre un monocristal de Germanio, Silicioo Arseniuro de galio, que tienen cualidadesde semiconductores, estado intermedioentre conductores como los metales ylos aislantes como el diamante. Sobre elsustrato de cristal, se contaminan en formamuy controlada tres zonas, dos de lascuales son del mismo tipo, NPN o PNP,quedando formadas dos uniones NP.La zona N con elementos donantesde electrones (cargas negativas) y la zonaP de aceptadores o "huecos" (cargaspositivas). Normalmente se utilizan comoelementos aceptadores Pal Indio (In),Aluminio (Al) o Galio (Ga) ydonantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
  6. 6. Los fototransistores son sensibles ala radiación electromagnética enfrecuencias cercanas a la dela luz visible; debido a esto su flujode corriente puede ser reguladopor medio de la luz incidente. Unfototransistor es, en esencia, lomismo que un transistor normal,sólo que puede trabajar de 2maneras diferentes:Como un transistor normal conla corriente de base (IB) (modocomún).Como fototransistor, cuando laluz que incide en este elementohace las veces de corriente debase. (IP) (modo de iluminación).

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