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  • 1. TIPOS DE MEMORIAS: Parámetros y características: Capacidad, velocidad, voltaje de operación. Arquitectura y funcionamiento, tipos de tecnología.Que es una memoria: es un aparato o un dispositivo capaz de mantener oalmacenar un tipo de información, esta información es utilizada para seralmacenada o retenida para cumplir un serie de procesos electrónicos según eldispositivo que la requiera, generalmente es un chip que junto con otroscomponetes se completa para llevar a cabo su labor, las memorias lasencontramos hoy en dia en todos los dispositivos electrónicos sobre todoaquellos que manejen algún tipo de software como neveras, televisores,celulares, dvds, computadores, mp3, etc. Se han vuelto muy importantes en lavida del hombre.Memorias de en un computador.Memoria ram:En ingles que significa ramdom access memory o memoria de acceso aleatorio.Es un tipo de memoria basada en los semiconductores, los avancestecnológicos las han hecho con el pasar de los años dispositivos muy eficientesya que cada vez mas mejoran sus aspectos como pueden ser: su velocidad,capacidad, tecnología etc. Una de las características mas destacadas de estetipo de memoria es que tiene la capacidad de ser leída o escrita por elmicroprocesador u otros dispositivos de hardware acoplados al computador esdecir es un tipo memoria tanto de lectura como de escritura a diferencia de laROM que es solo de lectura. También es característica porque esta memoriaalmacena o carga los procesos que requiera un computador para su buenfuncionamiento de una forma temporal, es decir que mientras el computador seencuentre encendido esta puede guardar información necesaria para que elcomputador complete sus tareas pero una vez que el ordenador se apaga, lamemoria es borrada y será nuevamente utilizada cuando el ordenador este otravez en funcionamiento ha esta característica se le llama volátil es decir lamemoria ram es volátil por que cumple este tipo de función.Para que sirve:La memoria ram sirve para cargar lo procesos que un procesador necesita parapoder manejar la información esta memoria guarda los nuevos datos que seestán creando en el ordenador como puede ser mientras se esta escribiendoun archivo de texto, la memoria ram gurda esta información hasta que elusuario decida grabarla en otro dispositivo como el disco duro, memoria flash,CD, etc.La memoria ram es muy importante, es la intercesora entre la información y elprocesador, esta memoria permite que ordenador trabaje más rápido. Si no
  • 2. hubiera una memoria ram el procesador cuando debería realizar alguna tareatendría que ingresar a la imforacion del disco duro como puede ser la ejecuciónde un programa y cuando nesecite otro tipo de información tendría que volver ahacerlo es decir instrucción por instrucción lo que haría muy lento el trabajo delcomputador porque este proceso hace que el procesamiento de la informaciónsea lento, cuando la memoria ram se invento se descubrió que el procesadorpodía acceder muchísimo mas rápido a esta memoria que a la del disco duro uotro dispositivo de almacenamiento, por lo tanto el sistema que se maneja esasí. La memoria ram carga todas las instrucciones que el procesador debe dehacer una vez que lo hace puede interactuar mas rápido con los programas oinformación del disco duro es como un atajo que hay entre si lo que hace que eltrabajo del ordenador sea mucho mas rápido y eficiente. Eficiente.TIPOS Y FUNCIONAMIENTOTodas hacen la misma función, pero entre ellas las diferenciamos por el tiempode acceso y la capacidad, o por el modo como trabajan:  DRAM (Dynamic Random Access Memory): Tipo de memoria de gran capacidad, pero que precisa ser constantemente refrescada (re- energizada) o perdería su contenido.  FPM (Fast Page Mode) DRAM: Este tipo de chip de memoria es una mejora con respecto a la anterior, ya que con ella se logra acceder más rápidamente a la información. Actualmente tecnología ya está obsoleta, viéndose reemplazada por la SDRAM.  EDO (Extended Data Out) DRAM: Es similar a la FPM con una leve modificación. La ventaja principal de la EDO es que mantiene la información disponible por más tiempo, acortando la secuencia de lectura de la memoria. Su funcionamiento es entre un 10% y 20% más rápido que la FPM. Esta tecnología finalizó su producción a fines del año 2000.  SDRAM (Synchronous DRAM) o DRAM Sincrónica: Es el cambio más radical y reciente en tecnologías de memorias, porque la extracción de información está sincronizada con el reloj de la placa base que controla la CPU. Al existir este sincronismo con el procesador, se eliminan en gran medida los tiempos de espera, lo que redunda en un manejo de la información más eficiente. En 1998, SDRAM se convirtió en el estándar de memoria de la mayoría de los ordenadores.  SDRAM II o DDR (Double Date Rate): Es la generación actual de SDRAM. Se basa en el mismo principio de la SDRAM, pero duplica su velocidad de lectura de información.  RDRAM (Rambus Dynamic RAM): Es usada en la industria del entretenimiento, estaciones gráficas y trabajo con video.  Direct RDRAM: Es la tercera generación de Rambus. Se comercializa en módulos RIMM y SORIMM  LA BIOS 
  • 3.  El BIOS (Basic Input-Output System) es un sistema básico de entrada/salida que normalmente pasa inadvertido para el usuario final de computadoras. Se encarga de encontrar el sistema operativo y cargarlo en memoria RAM. Posee un componente de hardware y otro de software, este último brinda una interfaz generalmente de texto que permite configurar varias opciones del hardware instalado en la PC, como por ejemplo el reloj, o desde qué dispositivos de almacenamiento iniciará el sistema operativo (Windows, GNU/Linux, Mac OS X, etc.).  El BIOS gestiona al menos el teclado de la PC, proporcionando incluso una salida bastante básica en forma de sonidos por el parlante incorporado al gabinete cuando hay algún error, como por ejemplo un dispositivo que falla o debería ser conectado. Estos mensajes de error son utilizados por los técnicos para encontrar soluciones al momento de armar o reparar un equipo. Basic Input/Output System - Sistema básico de entrada/salida de datos). Programa que reside en la memoria EPROM (Ver Memoria BIOS no-volátil). Es un programa tipo firmware. La BIOS es una parte esencial del hardware que es totalmente configurable y es donde se controlan los procesos del flujo de información en el bus del ordenador, entre el sistema operativo y los demás periféricos. También incluye la configuración de aspectos importantísimos de la máquina. Memoria rom: (read only memory) memoria de solo lectura:Esta solada o conectada a la placa madre es una clase de medio de almacenamientoutilizado en los ordenadores y otros dispositivos electrónicos. Los datos almacenados enla ROM no se puede modificar -al menos no de manera rápida o fácil- y se utilizaprincipalmente para contener el firmware (software que está estrechamente ligada ahardware específico, y es poco probable que requieren actualizaciones frecuentes).En la memoria ROM se guarda la información que es necesarioconocer para la puesta en marcha del ordenador. La ROM intervienede forma casi exclusiva en el proceso de arranque o encendido delequipo. Durante este proceso se realiza un pequeño test en el que secomprueba que todos los periféricos están conectados correctamentey que no hay ningún problema en ellos. Si todo es correcto, se dapaso a la carga del sistema operativo, en caso contrario, se muestra
  • 4. un mensaje de error en pantalla y una serie de pitidos avisan del tipode error encontrado.Caracteristica:Esta memoria en un computador contiene el programa del bios, que es importante parael reconocimiento de dispositivos, antiguamente los ordenadores manejaban su sistemaoperativo en la memoria romsi este se queria actualizar habia que remplazar la rom porotra, esto se hacia asi tubieran la capacidad de tener discos de almacenamiento masivocomo los discos duros ya que inicialmente la memoria rom era mucho mas facil yrapida de leer para el procesador esta tiene que primero cargar su imformacion en lamemoria ram para luego ser ejecutada por el procesador.Las memorias rom las encontramos en la mayoria de dispositivos electrónicos talescomo, celulares, equipos de sonido, televisores etc, a estas se les atribuye el sistemoperativo que se le denomina firmaware. Auque tambien estos dispositivos tiene sussistema en memorias tipo flash.El contenido de estas memorias no es vaciado cuando se apaga el ordenador por lotanto no es una memoria volátil,Un claro ejemplo de memorias rom los encotramos en videojueos como el nintendo 64,game boy, supernintento, sega. Estos requieren la introducción de un cartucho que esuna memoria rom que contiene la información necesaria para ejecutar el juego.Tipos de memoria rom:  PROM (Programmable Read-Only Memory): Memoria inicialmente vacía que sólo permite una única grabación. Para grabar en ella es necesario disponer de un dispositivo especial, llamado programador PROM. La escritura en la memoria PROM se hace fundiendo sus fusibles, este es el motivo por el que se puede grabar en ella una única vez. Las podemos encontrar en dispositivos que tengan memorias de funciones en ese caso esas serian las memorias prom. Su estado del fusible siempre esta en 1 bit y cuando son grabadas pasan a 0.  EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory): Similar a la anterior, pero permite múltiples grabaciones. Para escribir datos en ella es necesario disponer de un programador EPROM y para vaciarla es necesario exponerla a una luz ultravioleta..
  • 5. son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programableborrable de sólo lectura). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado porel ingeniero Dov Frohman. Está formada por celdas de FAMOS (Floating GateAvalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o transistores de puerta flotante,cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 0 (por eso,una EPROM sin grabar se lee como 00 en todas sus celdas). Se programan mediante undispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizadosen los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 1.Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante exposición auna fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a loselectrones de las celdas provocando que se descarguen. Las EPROMs se reconocenfácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de lacual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips OTP (One-Time Programmable, programables una sola vez). La única diferencia con la EPROMes la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que no puede ser borrada. Las versionesOTP se fabrican para sustituir tanto a las EPROMs normales como a las EPROMsincluidas en algunos microcontroladores. Estas últimas fueron siendo sustituidasprogresivamente por EEPROMs (para fabricación de pequeñas cantidades donde elcoste no es lo importante) y por memoria flash (en las de mayor utilización).Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte años, y se puede leerun número ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz del sol, laventana de borrado debe permanecer cubierta. Los antiguos BIOS de los ordenadorespersonales eran frecuentemente EPROMs y la ventana de borrado estaba habitualmentecubierta por una etiqueta que contenía el nombre del productor del BIOS, su revisión yuna advertencia de copyright.Esta memoria puede mantener esta carga durante 20 añosCon capacidad de 2 kbits 128kbits 2mb1.8 voltiosCon una velocidad de transferencia de 400kbitpor segundo con interface de 8bits Programador eprom Reseteador eprom
  • 6.  EEPROM (Electrically Erasable Read-Only Memory): Al igual que la EPROM permite múltiples grabaciones. La diferencia entre amabas radica en que esta puede ser borrada aplicando simplemente una carga eléctrica, por lo que no es necesario sacarla del ordenador.son las siglas de Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory (ROMprogramable y borrable eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede serprogramado, borrado y reprogramado eléctricamente, a diferencia de la EPROM que hade borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias novolátiles.Las celdas de memoria de una EPROM están constituidas por un transistor MOS, quetiene una compuerta flotante, su estado normal esta cortado y la salida proporciona un 1lógico.Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede serborrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire.En otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs paralograr una mayor rapidez.Estas son tipos de comunicación en bus diseñado principalenntte para la comunicaciónintercambio de datos entre los microcontroladores y sistemas electronicos. EEPROM presente en una memoria RAM ddr2
  • 7. La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuokamientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la Reunión de AparatosElectrónicos de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invención y en 1988 lanzóel primer chip comercial de tipo NOR.Con capacidades de 256kbit 4mb 8mb 32mb 64mb 128mb interfazde 8bits y 16bitsConsumos de 1.8 a 5 v Velocida de 3kbits hasta 3.2mbits EEPROM en placa electrónica Programador eeprom  MEMORIA FLASH: Subtipo mejorado de memoriaEEPROM.
  • 8. es una forma desarrollada de la memoria EEPROM que permite que múltiplesposiciones de memoria sean escritas o borradas en una misma operación deprogramación mediante iado tarjetas de hasta 32 GB (32 GiB) por parte de la empresaPanasonic en formato SDpo de memorias similares como EEPROM y ofrecerendimientos y características muy superiores. Económicamente hablando, el precio enel mercado ronda los 13 € para dispositivos con 4 GB de almacenamiento, aunque,evidentemente, se pueden encontrar dispositivos exclusivamente de almacenamiento deunos pocos MB por precios realmente bajos, estos en extinción, y de hasta 600 € para lagama más alta y de mayores prestaciones. No obstante, el coste por MB en los discosduros son muy inferiores a los que ofrece la memoria flash y, además los discos durostienen una capacidad muy superior a la de las memorias flash.Ofrecen, además, características como gran resistencia a los golpes, bajo consumo y esmuy silencioso, ya que no contiene ni actuadores mecánicos ni partes móviles. Supequeño tamaño también es un factor determinante a la hora de escoger para undispositivo portátil, así como su ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los queestá orientado.Sin embargo, todos los tipos de memoria flash sólo permiten un número limitado deescrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un millón, dependiendo de la celda,de la precisión del proceso de fabricación y del voltaje necesario para su borrado.Este tipo de memoria está fabricado con puertas lógicas NOR y NAND para almacenarlos 0’s ó 1’s correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una gran división entrelos fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema dearchivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memoriasbasadas en ORNAND.Los sistemas de archivos para estas memorias están en pleno desarrollo aunque ya enfuncionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR, evolucionado aJFFS2 para soportar además NAND o YAFFS, ya en su segunda versión, para NAND.Sin embargo, en la práctica se emplea un sistema de archivos FAT por compatibilidad,sobre todo en las tarjetas de memoria extraíble.Otra característica de reciente aparición (30-9-2004) ha sido la resistencia térmica dealgunos encapsulados de tarjetas de memoria orientadas a las cámaras digitales de gamaalta. Esto permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos oglaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 ºC hasta los 85ºC.Las aplicaciones más habituales son:  El llavero USB que, además del almacenamiento, suelen incluir otros servicios como radio FM, grabación de voz y, sobre todo como reproductores portátiles de MP3 y otros formatos de audio.  Las PC Card  Las tarjetas de memoria flash que son el sustituto del carrete en la fotografía digital, ya que en las mismas se almacenan las fotos.
  • 9. Existen varios estándares de encapsulados promocionados y fabricados por la mayoríade las multinacionales dedicadas a la producción de hardware.FuncionamientoFlash, como tipo de EEPROM que es, contiene un arreglo de celdas con un transistorevolucionado con dos puertas en cada intersección. Tradicionalmente sólo almacenanun bit de información. Las nuevas memorias flash, llamadas también dispositivos deceldas multi-nivel, pueden almacenar más de un bit por celda variando el número deelectrones que almacenan.Estas memorias están basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS conun conductor (basado en un óxido metálico) adicional entre la puerta de control (CG –Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG – FloatingGate) o bien que rodea a FG y es quien contiene los electrones que almacenan lainformación.Memoria flash de tipo NOREn las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en FG,modifican (prácticamente anulan) el campo eléctrico que generaría CG en caso de estaractivo. De esta forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0, el campo eléctrico de lacelda existe o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje enCG, la corriente eléctrica fluye o no en función del voltaje almacenado en la celda. Lapresencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1 ó un 0, reproduciendoasí el dato almacenado. En los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidadde la corriente para controlar el número de electrones almacenados en FG einterpretarlos adecuadamente.Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite elpaso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se coloca enCG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo eléctrico quegenera. Este proceso se llama hot-electrón injection. Para borrar (poner a “1”, el estado
  • 10. natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea latécnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecánico – cuántico.Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones,convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abriendo el terminalsumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que provoca eldeterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un voltaje tan alto.Es necesario destacar que las memorias flash están subdivididas en bloques (enocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques enterospara agilizar el proceso, ya que es la parte más lenta del proceso. Por esta razón, lasmemorias flash son mucho más rápidas que las EEPROM convencionales, ya queborran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es necesario limpiar el bloqueprimero para después reescribir su contenido.Memorias flash de tipo NANDLas memorias flash basadas en puertas lógicas NAND funcionan de forma ligeramentediferente: usan un túnel de inyección para la escritura y para el borrado un túnel de‘soltado’. Las memorias basadas en NAND tienen, además de la evidente base en otrotipo de puertas, un coste bastante inferior, unas diez veces de más resistencia a lasoperaciones pero sólo permiten acceso secuencial (más orientado a dispositivos dealmacenamiento masivo), frente a las memorias flash basadas en NOR que permitenlectura de acceso aleatorio. Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido laexpansión de este tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es más sencillo(aunque también se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base más rentablepara la creación de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memoriasUSB o también llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND.
  • 11. Comparación de memorias flash basadas en NOR y NAND:Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de lasmemorias tradicionalmente valorados.  La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante mayor en las memorias NAND.  El coste de NOR es mucho mayor.  El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su modificación. Sin embargo, NAND ofrece tan solo acceso directo para los bloques y lectura secuencial dentro de los mismos.  En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto destaca con la limitada reprogramación de las NAND que deben modificar bloques o palabras completas.  La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a NAND (10 µs de la búsqueda de la página + 50 ns por byte).  La velocidad de escritura para NOR es de 5 µs por byte frente a 200 µs por página en NAND.  La velocidad de borrado para NOR es de 1 s por bloque de 64 KB frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND.  La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta, es relativamente inmune a la corrupción de datos y tampoco tiene bloques erróneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND que requieren corrección de datos y existe la posibilidad de que queden bloques marcados como erróneos e inservibles.En resumen, los sistemas basados en NAND son más baratos y rápidos pero carecen deuna fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa de unbuen sistema de archivos. Dependiendo de qué sea lo que se busque, merecerá la penadecantarse por uno u otro tipo.Tipos de tecnologías:Existen dos tipos de memorias ram:Memoria RAM estática o Sram :Es un tipo de memoria que mantiene sus datos sin necesidad de refresco es una memoriacostosa , se estima que es mas costosa que que la dram en una proporción de byte abyte, algunas veces consume mucho menos energía, esta memoria es utilizada , existenmuchos tipos de memorias Sram las podemos encontrar en portátiles, automóviles,celulares, Reuters, esta meoria no es utilizada como memoria principal del sistema, seutiliza como cache que viene siendo un componente del procesador, este tipo dememorias puede ser volátiles o no volátiles, según el dispositivo que la requiera.as SRAM solo necesitan tres buses de control: Chip Enable (CE), Write Enable (WE), yOutput Enalbe (OE). Esta memoria en estructura en mucho mas grande que un memoriadram ya que necesita muchos transistores por eso nunca se encuentra un Sram De 1gbes un tamaño muy exagerado y requiere mucha performance cuando se habla dememoria Sram, se debe referir a valores en kbits aunque ese termino esta cambiando
  • 12. gracias a que hoy día una de las memorias Sram con mas capacidad es la cache delprocesador core i7 que tiene 8mb dividida en 3 canales L1,L2,L3 por lo tanto es muyeficiente. Celda de las memorias sramMemoria Cache o RAM CacheUn cache es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tantoun área reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento dealta velocidad independiente. Hay dos tipos de cache frecuentemente usados en lascomputadoras personales: memoria cache y cache de disco. Una memoria cache,llamada también a veces almacenamiento cache o RAM cache, es una parte de memoriaRAM estática de alta velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica(DRAM) usada como memoria principal. La memoria cache es efectiva dado que losprogramas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando estainformación en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM.Cuando un dato es encontrado en la cache, se dice que se ha producido un impacto (hit),siendo un cache juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoriacache usan una tecnología conocida por cache inteligente en el cual el sistema puedereconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las estrategias para determinarqué información debe de ser puesta en el cache constituyen uno de los problemas másinteresantes en la ciencia de las computadoras. Algunas memorias cache estánconstruidas en la arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesadorPentium II tiene una cache L2 de 512 Kbytes.
  • 13. Procesador Intel core i7 con cache de 8 Mb en L1,L2,L3El cache de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cache, pero enlugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Losdatos más recientes del disco duro a los que se ha accedido (así como los sectoresadyacentes) se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesitaacceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la cache del disco para ver si losdatos ya están ahí. La cache de disco puede mejorar drásticamente el rendimiento de lasaplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de vecesmás rápido que acceder a un byte del disco duroMemoria RAM dinámica DRAM:es un tipo de memoria que se utiliza en los módulos de memorias RAM o comomemoria principal de sistema es la mas conocida de todas se le llama dinámica porquepara revisar un dato se requiere revisar todos los anteriores cada cierto tiempo es decir en un ciclo de refresco. Esta memoria tiene la ventaja de que se fabrica con una grandensidad o gran capacidad, esta se invento en los laboratorios IBM esta compuesta deun transistor y un condensador por cada celda , a diferencia de Sram Que tiene 6transistores o mas en cada una es una memoria que al principio se consideraba lenta, losprimeros modelos de memorias RAM para la unidad del sistema contaban con un busmuy pequeño lo que hacia que fueran muy lentas, hoy en día ese termino a cambiado, ensi la memoria DRAM. es lenta porque tiene que refrescarse cada rato pero los buses detransmisión actuales han hecho de que los usuarios no les presten tanto atención a sulentitud ya que a pesar de ser DRAM son muy rápidas y su necesidad y eficiencia lavamos a seguir necesitando en nuestros computadores. Memorias Dinámicas Celdas de una memoria dinámica
  • 14. Estos tipos de memorias pueden ser sincronizadas o a asíncronas:Memorias sincronizadas:Son aquellas que funcionan sincronizadamente con la frecuencia del procesador lo quehace que halla un bus mas alto y estable. Es la mejor combinación y es la que se estatratando actualmente en las configuración por defecto de la BIOS del los sistemasmodernosMemorias asíncronas: quiere decir que no van sincronizadas con la memoria delprocesador es decir que la frecuencia del procesador va a una velocidad y la memoriaram a otro velocidad, esta característica la tenían los chipset de las tarjetas madresviejas , que tenían este tipo configuración por defecto, mucha gente con conocimientosabia que esta no era lo mejor por lo tanto cambiaban la configuración manualmenteesto había que hacerlo cada vez que se reiniciara la BIOS,SDR SDRAM (del inglés, Single Data Rate Synchronous Dynamic Random AccessMemory, Es una memoria dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple Se comercializóen módulos de 32, 64, 128, 256 y 512 MiB, y con frecuencias de reloj que oscilabanentre los 66 y los 133 MHz. Se popularizaron con el nombre de SDRAM (muy pocagente sabía entonces que lo correcto era decir SDR), de modo que cuando aparecieronlas DDR SDRAM, los nombres populares de los dos tipos de tecnologías fueronSDRAM y DDR, aunque las memorias DDR también son SDRAM.Para funcionar a toda su velocidad, una memoria SDR requiere una caché con velocidadsuficiente como para no desperdiciar su potencial.DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en español. Sonmódulos de memoria RAM compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponiblesen encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintossimultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidadmáxima de 3 GiB.Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intelcon su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, máscostosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados enDDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, loque le permitió competir en precio. Son compatibles con los procesadores de IntelPentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y frecuenciasde reloj desde 200 a 400 MHz. Memoria ddr
  • 15. También se utiliza la nomenclatura PC1600 a PC4800, ya que pueden transferir un volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas. Un ejemplo de calculo para PC-1600: 100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 B = 1600 MiB/s Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo distintos:  Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es necesario introducir todos los módulos DIMM en el mismo banco de slots.  Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a través de dos canales simultáneos, uno para cada banco.Single Memory Channel Dual Memory Channel RDRAM: La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un sistema. El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de granularidad y número de pins. Este tipo de memoria se utilizó en el sistema de videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.
  • 16. Características RDRAM:Una de las características más destacable dentro de las RDRAM es que su ancho depalabra es de tan sólo 16 bits comparado con los 64 a los que trabajan las SDRAM, ytambién trabaja a una velocidad mucho mayor, llegandohasta los 400Mhz. Al trabajar en flancos11111 positivos ynegativos, se puede decir que puede alcanzar unos 800Mhz virtuales o equivalentes, este conjunto le da unamplio ancho de banda. Posteriormente nos encontramosque la frecuencia principal de las RDRAM es de 1200Mhz, la configuración del módulo RIMM 4800 queincorpora dos canales RDRAM separados a 1200 Mhz enun solo módulo. Además, han pasado de RIMMs de los 16bits a conseguir módulos de 32 y 64 bits.RIMM, acrónimo de Rambus Inline Memory Module,designa a los módulos de memoria RAM que utilizan unatecnología denominada RDRAM, desarrollada porRambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin deintroducir un módulo de memoria con niveles derendimiento muy superiores a los módulos de memoriaSDRAM de 100 Mhz y 133 Mhz disponibles en aquellosaños.Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pins ydebido a sus altas frecuencias de trabajo requieren dedifusores de calor consistentes en una placa metálica querecubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datosde 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz(PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 Mhz (PC-800) y 533Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenía unrendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de533MHz tiene un rendimiento similar al de un módulo DDR133, a pesar de que suslatencias son 10 veces peores que la DDR.Inicialmente los módulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores basadosen Intel Pentium III. Rambus no manufactura módulos RIMM si no que tiene un sistemade licencias para que estos sean manufacturados por terceros siendo Samsung elprincipal fabricante de éstos.A pesar de tener la tecnología RDRAM niveles de rendimiento muy superiores a latecnología SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo deesta tecnología no han tenido gran aceptación en el mercado de PC. Su momento álgidotuvo lugar durante el periodo de introducción del Pentium 4 para el cual se diseñaron lasprimeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos más económicosdecidió lanzar placas base con soporte para SDRAM y más adelante para DDR RAMdesplazando esta última tecnología a los módulos RIMM del mercado.
  • 17.  PC600: 16-bit, single channel RIMM, specified to operate at 300 MHz clock rate, 1200 MB/s bandwidth  PC700: 16-bit, single channel RIMM, specified to operate at 355 MHz clock rate, 1420 MB/s bandwidth  PC800: 16-bit, single channel RIMM, specified to operate at 400 MHz clock rate, 1600 MB/s bandwidth  PC1066 (RIMM 2100): 16-bit, single channel RIMM specified to operate at 533 MHz clock rate, 2133 MB/s bandwidth  PC1200 (RIMM 2400): 16-bit, single channel RIMM specified to operate at 600 MHz clock rate, 2400 MB/s bandwidth  RIMM 3200: 32-bit, dual channel RIMM specified to operate at 400 MHz clock rate, 3200 MB/s bandwidth  RIMM 4200: 32-bit, dual channel RIMM specified to operate at 533 MHz clock rate, 4200 MB/s bandwidth  RIMM 4800: 32-bit, dual channel RIMM specified to operate at 600 MHz clock rate, 4800 MB/s bandwidth  RIMM 6400: 32-bit, dual channel RIMM specified to operate at 800 MHz clock rate, 6400 MB/s bandwidthFB-DIMM ddr2La memoria FB-DIMM (Fully-Buffered Dual Inline Memory Module) es unavariante de las memorias DDR2, diseñadas para aplicarlas en servidores, donde serequiere un transporte de datos rápido, efectivo, y coordinado.La memoria FB-DIMM combina la arquitectura interna de gran velocidad de lamemoria DDR2, con una interfaz de memoria en serie punto a punto que une cadamódulo FB-DIMM como en una cadena.
  • 18. La interfaz de la memoria serial FB-DIMMLas memorias de módulos convencionales usan una conexión paralela, en cual en cadacanal de memoria el módulo del mismo tiene unos enlaces separados a ese canal y alcontrolador de memoria. Con grandes concentraciones de memoria, estas conexionespueden sobrecargar la capacidad del controlador de memoria, provocando errores yretrasos en el flujo de información.Este problema tiende a negar el beneficio de memorias de mayor velocidad, mientrasmás rápido se inunde de información el canal, más errores van a ocurrir. Lo que nosconduce entre, poca cantidad de memorias rápidas, veloces, o más cantidad dememorias lentas, menos veloces, memoria más efectiva, cualquiera de las opciones esideal para las aplicaciones de los servidores modernos.La memorias FB-DIMM usa pistas de memorias serial bi-direccionales las cuales pasanpor cada módulo de memoria, en vez de tener pistas individuales que mandan datos acada módulo. Similar a las PCI Express (otra tecnología serie moderna), FB-DIMMtransmite los datos a la memoria en paquetes, controlados de forma precisa por unintegrado AMB (Advanced Memory Buffer) que se encuentra en cada módulo FB-DIMM.Cada canal de FB-DIMM puede contener hasta 8 (ocho) módulos FB-DIMM, y laarquitectura actual admite hasta 6 (seis) canales por cada controlador de memoria. Tieneuna fuente de datos en lo que a controlador de memoria concierne, y todos los datosllegan en paquetes de manera ordenada, errores y señales de interferencia no son más unproblema.Un controlador de memoria, convencional, requiere 240 “trace lines” dedicados porcanal, pero el controlador de memoria de FB-DIMM requiere solo 70, reduciendo loscircuitos complejos y haciendo que sea más fácil añadir canales de FB-DIMMadicionales. Similar al efecto de simplificación que Hypertransport y PCI Express hantenido en el diseño de la placa madre.
  • 19. En memorias convencionales, a más alto sea la crecida de densidad de memoria, máserrores de desgaste de tiempo y señal ocurren. En cambio, en FB-DIMM, la tecnologíade bus serial de datos niega este problema al proveerle de una única ruta de informaciónde todos los módulos en un canal, y coordinando la información, los datos, mediantechips AMB que se encuentran en cada módulo de memoria FB-DIMM. Memorias fb ddr2 con blindaje metálicoINSTALACION DE MEMORIASMERORIA SIMM DE 30 CONTACTOSMuesca 30 contactosLadoliso
  • 20. ZOCALO SIMM DE 30 CONTACTOSMEMORIA SIMM DE 72 CONTACTOSMuesca 36 + 36 = 72 pines Por un solo lado Una ranura Lado liso
  • 21. ZOCALO SIMM DE 72 CONTACTOSMEMORIAS DIMMMuesca Dos particiones 168 contactos o pinesEs una memoria que se caracteriza por tener 168 contactos, pueden ser de dostipos de tecnología BUFFERED y UNBEFFERED, los cuales varíandependiendo de las distintas tecnologías y también su requerimiento dealimentación, por ejemplo una DIMM trabaja con una tensione de 3,3 Vcc o5Vcc dependiendo de su tipo.ZOCALO DE MEMORIA DIMM
  • 22. COMO INTERPRETAR LAS RANURAS BUFFEREDLa ranura indicadora de la arquitectura se encuentra al centro de los contactos10 y 11 y la ranura del indicador de tensión se encuentra a la izquierda junto alcontacto 40 y alejado del 41. Esto nos indica que este es un DIMM BUFFEREDde 5V.
  • 23. La ranura de arquitectura se encuentra al centro de los pines 10 y 11, y laranura de la indicación de la tensión se encuentra al centro de los contactos 40y 41. Esto nos indica que este es un DIMM BUFFERED de 3.3V.La ranura de arquitectura esta al centro de los contactos 10 y 11 lo cual indicaque esBUFFERED. El de tensión se encuentra alejado del contacto 40 y junto alcontacto 41 y esto nos indica que carece de importancia la tensión dealimentación. Por lo expuesto podemos decir que este es un DIMMBUFFERED de X,X V. Donde X,X significa que la tensión carece deimportancia.COMO INTERPRETAR LAS RANURAS UNBUFFEREDAhora podemos notar que la ranura de arquitectura no se encuentra al centrode los pines 10 y 11 sino que esta alejado del contacto 10 y junto al contacto 11es decir a la derecha del centro y esto nos indica que el tipo de memoria esUNBUFFERED. Como la ranura de indicación de tensión se encuentra a laizquierda del centro, es decir, junto al contacto 40 y alejado del 41 podemosdecir que es de 5V. Entonces por lo anteriormente dicho podemos decir queeste es un DIMM UNBUFFERED de 5V.
  • 24. Podemos notar nuevamente que la ranura de arquitectura se encuentra a laderechay la de tensión al centro por lo cual inferimos que es un DIMM UNBUFFEREDde 3,3V.Tenemos el indicador de la arquitectura a la derecha del centro contra elcontacto 11 lo que indica que es UNBUFFERED y la ranura de alimentación ala derecha del centro junto al contacto 41 con lo cual que el valor de la tensiónde alimentación es indistinto, por lo tanto este es un DIMM UNBUFFERED deX,X V. Donde X,X indica que la tensión carece de importancia.En conclusión podemos afirmar que una memoria DIMM es BUFFEREDcuando su arquitectura se encuentra en el medio de los contactos 10 y 11, y esuna memoria DIMM UNBUFFERED cuando su arquitectura no se encuentra enmedio de los pines 10 y 11 sino que esta alejado del contacto 10 y junto alcontacto 11, dependiendo de su tecnología varia su voltaje.DIMM BUFFERED
  • 25. DIMM UNBUFFEREDMEMORIAS DIMM DDR DE 184 CONTACTOSEste tipo de memoria tiene 184 contactos, es decir 92 por lado pero el tamañofísico es el mismo y por lo tanto los contactos son más pequeños.De todos modos no debemos preocuparnos por instalar un DDR en un zócalode DIMM o al revés, debido ya que el DIMM SDRAM tiene 2 ranuras y el DDRtiene una y desplazada del centro hacia la derecha, el otro punto que debemosmencionar es que la tensión de alimentación es de 2,5 o 1,8 Voltios, otracaracterística es La doble traba de ranura, nos permite insertar estos DDR enzócalos de simple o doble altura.
  • 26. ZOCALO DE DIMM DDRCOMO INTERPRETAMOS RANURAS EN DDREn las memorias DDR las ranuras se utilizan para determinar la tensión dealimentación de los módulos. Solo existen dos versiones, una de 2.5 Voltios yotra de 1,8 Voltios, también se reservó una tercera versión para futurasaplicaciones y que se identifica por su sigla en ingles TDB (To Be Develop – ASer Desarrollado). Las figuras siguientes nos muestran los distintosposicionamientos de las ranuras (izquierda, centro o derecha) respecto delcentro formado entre los contactos 52 y 53.
  • 27. LECTURA DE LAS INDICACIONES DE UNA MEMORIA RIMM Cont.1 ranuras de posicionamiento Cont.47 Cont.92 Cont. 46Antes de comenzar a explicar como se leen las ranuras, debemos mencionarque el tamaño de de estos módulos es igual al de un DIMM, pero con ladiferencia que poseen 184 contactos (92 por lado), igual que en las DDR perocon distinta distribución física y tienen 2 ranuras de posicionamiento. Unacaracterística distintiva y mucho más llamativa, es que se presentan con unacubierta metálica que oficia de disipador térmico, ya que desarrollan mas calorque el resto de las memorias y de esta forma cambiando la vista tradicional delos módulos. En la imagen anterior podemos observar una memoria con el
  • 28. disipador térmico montado y en la figura de la parte de abajo una vista de lamisma memoria sin el disipador térmico, donde podemos ver la disposicióntradicional de los chips.Debemos mencionar que si bien en la actualidad los módulos RIMM funcionana 2,5Volts, ya se encuentra en el diseño, la forma que deberán tener lospróximos módulos, que trabajen con otras tensiones. Por ese motivo incluimosesta información.Como podemos apreciar en la figura de la parte de arriba, para poderdiferenciar las distintas tensiones de alimentación que tendrán los RIMM, solodebemos tomar como referencia la separación entre las ranuras deposicionamiento, tomando la medida entre sus centros. El primer ejemplo esuna memoria de 2.5 Voltios (la única disponible en la actualidad) que tiene unadistancia entre ranuras de 11.50 milímetros, para los otros ejemplos lametodología es la misma. Aun no se ha especificado que tensión tendrán lospróximos RIMM, pero ya están normalizadas las distancias que hay entre lasranuras de posicionamiento como podemos ver en los dos últimos ejemplos dela figura.
  • 29. INSTALACIÓN DE MÓDULOS DIMM, DDR Y RIMMComo hemos observado estos tres módulos tiene mucho en común conrespecto a sus contactos, pero como vimos es imposible colocar un módulo deuna tecnología en otra debido a que las ranuras de posicionamiento nocoinciden.En la figura podemos ver procedimiento de extracción de un módulo dememoria, comenzando por abrir las trabas que lo sujeta (1) y luego retirar elmódulo tirando hacia arriba (2).
  • 30. Para insertar los módulos de memoria podemos ver en la figura de la parte dearriba el siguiente procedimiento, debemos verificar previamente que las trabasque tiene el zócalo estén abiertas (1), luego debemos observar el zócalo paratomar referencia de donde se encuentran las ranuras de posicionamiento yhacerlas coincidir con nuestro zócalo (2), luego de esta verificación podemosinsertar el módulo (3) deslizándolo verticalmente hasta que haga tope con elfondo del zócalo, como último paso y sirviendo de verificación delprocedimiento de inserción, las trabas laterales deberán quedar perfectamentecerradas (4).Los soportes son SIMM (Single Inline Memory Module) ó DIMM (Double InlineModule Memory). Los módulos SIMM tienen 30 ó 72 contactos (los contactosson esas conexiones eléctricas que tienen en un borde). En cambio, losmódulos DIMM son más modernos y tienen 168 o 184 contactos.En este manual hablaremos fundamentalmente de las memorias con soporteDIMM, ya que son las más usadas desde hace años. Dentro de las memoriascon soporte DIMM tenemos 2 tipos bien diferenciados, las SDRAM “normales”y las DDR SDRAM.Las SDRAM normales tienen 168 contactos, los primeros módulos secomercializaban a 66MHz de velocidad, luego surgieron los de 100 y 133MHz,que son prácticamente los únicos que se emplean en SDRAM, actualmentesólo se encuentran fácilmente los SDRAM de 133MHz.Las DDR SDRAM son comúnmente conocidas como DDR, similares a lasanteriores pero tienen 184 contactos y mejores prestaciones. Las máscomunes son:- DDR266 (PC2100): Frecuencia de trabajo de 266 MHz y transferencia dedatos de 2,1 GB/s.- DDR333 (PC2700): 333 MHz y 2,7 GB/s
  • 31. - DDR400 (PC3200): 400 MHz y 3,2 GB/s- DDR533 (PC4200): 533 MHz y 4,2 GB/sSe puede ver claramente que, a mayor frecuencia (MHz), se pueden conseguirmayores velocidades de transferencia de datos, lo cual se transmite en mayorvelocidad de funcionamiento del sistema.Las siglas DDR vienen de "Double Data Rate" y significan "Doble Tasa deDatos", esto indica que la memoria es capaz de procesador el doble de datospor cada ciclo de reloj. Por eso se dice que una memoria DDR con 133MHztrabaja como si fuera a 266MHz, ahí se ve esa doble capacidad de trabajo.¿Qué memoria tengo que instalar en mi ordenador si quiero ampliar?Esto depende de las capacidades de la placa base. Lo ideal es acudir almanual de la placa (un librito que nos debieron entregar al comprar elordenador) y verificar las características. Ahí pondrá qué tipo de memorias sedeben poner y de qué velocidad.Si no estamos seguros se debe acudir a una tienda de informática o a unespecialista para que nos asesore.Si ya sabemos qué memoria vamos a poner y la tenemos en mano, sólo nosqueda el proceso físico de su inserción; también podemos seguir estos pasos siúnicamente queremos ver la memoria que ya hay puesta.* Materiales necesarios: Un simple destornillador de estrella.Lo primero que debemos hacer es apagar el ordenador y abrir la torre, esto esuna operación muy sencilla y que se debe repetir cada vez que queramosmanipular un componente de su interior, no sólo la memoria. Quitamos lostornillos que sujetan las tapas o la carcasa y las retiramos. * ¡Precaución!: Antes de manipular el interior de la torre, debemos tocarcualquier superfície metálica para descargar nuestra electricidad estática quesería fatal para cualquier componente interno.
  • 32. Para poder insertar cualquier tipo de memoria tenemos que identificar laubicación de la memoria, si miramos en la placa interna veremos una zonasimilar a esta: Ahí están los slots (huecos para poner la memoria) y el módulo o módulos quetengamos ya instalados aparecerán colocados en una de las ranuras (en laimagen no sale ninguno).Seguidamente, acercamos el módulo por el lado donde están los conectoreshacia uno de los slots libres y lo insertamos perpendicularmente y con firmeza,hasta que queden los contactos en su interior. Pero antes de hacer esto hayque tener en cuenta algunas cosas:1) Los módulos van sujetos lateralmente con unas piezas de plástico, antes deinsertar el módulo debemos asegurarnos de que están abiertas para quepodamos colocar el módulo cómodamente. Una vez insertado, debemos cerrarlas piezas hasta que se ajusten a las muescas laterales del módulo.2) Entre los contactos de las memorias puede haber 1 muesca (DDR 184contactos) o 2 muescas (SDRAM 168 contactos), estas muescas debencoincidir con unas que existen en el hueco donde vamos a colocar la memoria.
  • 33. Teniendo en cuenta estos aspectos, ya podemos insertar el módulo confirmeza. Si vemos que no podemos ponerlo, hay que detenerse y revisar todoel proceso de nuevo y con mucho cuidado. Es importante destacar que lamemoria sólo entra en su sitio en una posición determinada por las muescas,no hay varias maneras de ponerla.Cuando hayamos insertado la memoria, sólo queda comprobar que el sistemala acepta correctamente. Por ese motivo se recomienda no cerrar la torretodavía, en la siguiente sección comentaremos cómo comprobarla y corregirerrores. Cuando veamos que la memoria funciona bien, podemos cerrar la torrecon las tapas y colocando de nuevo los tornillos (apagando el PC previamente).Un módulo DIMM, o de doble módulo de memoria en línea, comprende unaserie de memoria dinámica de acceso aleatorio de circuitos integrados. Estosmódulos están montados en una placa de circuito impreso y diseñado para suuso en ordenadores personales, estaciones de trabajo y servidores. DIMMcomenzaron a reemplazar a SIMMs (módulos únicos de memoria en línea)como el tipo predominante de módulo de memoria de Intel s procesadoresPentium comenzó a ganar cuota de mercado. La principal diferencia entre los SIMMs y DIMMs de memoria DIMM que sehan separado los contactos eléctricos en cada lado del módulo, mientras quelos contactos de los SIMMs de ambos lados son redundantes. Otra diferenciaes que los SIMMs estándar tienen datos de 32 bits ruta de acceso, mientrasque módulos DIMM estándar disponen de datos de 64 bits ruta de acceso.Desde que Intel s Pentium tiene (como lo hacen varios otros procesadores) de64-ancho de bus de bits, se requiere SIMM instalados en pares, a fin decompletar el bus de datos. El procesador entonces acceder a los dos SIMMsde forma simultánea. DIMMs se introdujeron para eliminar esta práctica.Los tipos más comunes de DIMMs son:  72-SO pin-DIMM (no lo mismo que un 72-pin SIMM), utilizado para FPM DRAM y EDO DRAM
  • 34.  100-pin DIMM, utilizado para SDRAM de la impresora  144-pin SO-DIMM, utilizado para SDR SDRAM  168-pin DIMM, utilizado para SDRAM SDR (con menos frecuencia para FPM / EDO DRAM en estaciones de trabajo / servidores)  172-pin MicroDIMM, utilizado para DDR SDRAM  184-pin DIMM, utilizado para DDR SDRAM  200-pin SO-DIMM, utilizado para DDR SDRAM y DDR2 SDRAM  204-pin SO-DIMM, utilizado para DDR3 SDRAM  214-pin MicroDIMM, usado para memoria DDR2 SDRAM  240-pin DIMM, utilizado para DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM y FB- DIMM de DRAM.INTRODUCCIONLas memorias SIMM, DIMM, DDR y RIMM están enfocadas principalmentepara aumentar la capacidad de memoria en una PC principalmente en lamemoria RAM, este tipo de memorias son pequeñas placas de circuitosimpresos con varios chips de memoria integrados. Que se instalandirectamente sobre la placa base se puedan insertar fácilmente; se fabricancon distintas capacidades y distintas velocidades.Esto aumenta considerablemente el proceso de una computadora y elalmacenamiento de la información en la memoria RAM.MEMORIAS SIMM DE 30 PINESSIMM o Single in-line Memory Module (módulo de memoria en línea simple),pequeña placa de circuito impreso con varios chips de memoria integrados.Vinieron a sustituir a los SIP, Single in-line Package (encapsulado en líneasimple), chips de memoria independientes que se instalaban directamentesobre la placa base. Los SIMM están diseñados de modo que se puedaninsertar fácilmente en la placa base de la computadora, y generalmente seutilizan para aumentar la cantidad de memoria RAM. Se fabrican con distintascapacidades (4Mb, 8Mb, 16Mb...) y con diferentes velocidades de acceso. Enun principio se construían con 30 contactos y luego aparecieron los de 72contactos.Hoy en día se dificulta conseguirlas fácilmente, pero aún algunosproveedores incluyen estasmemorias en sus listas de precio.Este SIMM (Single In-line Memory Module)consta de 30 contactos y maneja 8 bits, ver. Las PC que utilizan típicamenteestas memorias sonlas 386 y 486. Estos módulos se presentan en capacidades de256Kbyte,1Mbyte y 4Mbyte.
  • 35. Su tensión de alimentación es de 5Vcc. Esta muesca sobre el SIMM evita queel mismo pueda ser insertado al revés en su zócalo. MuescaMEMORIAS SIMM DE 72 CONTACTOS.En la figura podemos ver un módulo SIMM de memoria que tiene 72 contactosy maneja32 bits. Las PC que utilizan este tipo de memoria son algunos 486, 586, K6-II,K6-III, Celeron,Pentium, Pentium Pro y Pentium II. La capacidad de estos módulos dememoria es de 4Mbyte, 8Mbyte, 16Mbyte, 32Mbyte y 64Mbyte. Como en elcaso del SIMM de 30 contactos, esta memoria también funciona con 5Vcc.Estas muescas y ranuras sobre el SIMM evitan que elmismo pueda ser insertado al revés en su zócalo. Como referencia podemoscitar que la ranura se conoce con el nombre de ranura de posición. Muesca Ranura de posicionMEMORIAS DIMM DE 168 CONTACTOSDIMM significa Dual In-line Memory Module es decir modulo de memoria dualen línea.Este tipo de memoria posee 168 contactos y maneja 64 bits. Comercialmenteestas memoriasse encuentran disponibles en capacidades de 8Mbytes, 16Mbytes, 32Mbytes,64Mbytes,128Mbytes, 256Mbytes y 512Mbytes. Como vimos en capítulos anterioresexisten distintas tecnologías de memorias y también sus requerimientos dealimentación son distintos, por ejemplo las DIMM trabajan con una tensión de3,3Vcc ó 5Vcc, dependiendo su tipo. Otra característica que sumaremos a lasya vistas es la tecnología de Buffered.
  • 36. Un DIMM unbuffered se conecta directamente a los buses de control y dedirección del sistema,esta tecnología hace que los buses se sobrecarguen cuando instalamos másmemorias yesto es debido a la cantidad de chips que componen la memoria. Estatecnología es la que seutiliza en la actualidad para máquinas hogareñas y la capacidad de manejaruna mayor cantidadde esta memoria esta dada por la característica del chipset y la placa madre.Debido aesto, la cantidad típica de memoria que soporta una placa madre diseñada paratrabajar conmemorias unbuffered esta limitada a un máximo de 4 módulos DIMM.Un DIMM buffered tiene un chip extra en la lógica que reduce la carga eléctricaen los busesde control y direcciones del sistema. Por tal motivo una placa madre diseñadapara trabajarcon DIMM buffered, puede tener mas módulos de memoria cargados al mismotiempo debidoa que el chip de buffer “absorbe” parte de la carga del bus. Una placa madrediseñada paratrabajar con esta tecnología nos permite utilizar desde 8 módulos y llegar hastalos 16 módulosde memoria.Traba de ranura Cont. 1 cont. 10 indicador de cont. 11 cont. 40 indicadorcont. 41 Arquitectura de voltajeEn la figura podemos ver que las ranuras de posicionamiento son lasencargadas de determinar tanto el tipo de tecnología como la tensión dealimentación del módulo. La indicaciónde la arquitectura nos indica si el DIMM es Buffered o Unbuffered.Comoreferencia para la posición de las ranuras utilizaremos una posiciónequidistante (centro) entre los contactos 10 y 11 para indicar la arquitectura,mientras la posición entre 40 y 41 indicará la tensión de alimentación.ESTUDIO¿Porqué la transición de SIMM a DIMM?
  • 37. Los SIMM de 72 contactos transmiten datos 32 bits a la vez mientras que losDIMM de 168 contactos transmiten datos 64 bits a la vez. Cuando los sistemasprogresaron a un ancho de bus de 64 bits, resultó más razonable utilizar losDIMM que los SIMM como el factor de forma de memoria estándar. Latecnología SDRAM en sí no tiene nada que ver con la transición de SIMM aDIMM; es solamente que la transición de EDO a la tecnología SDRAM y latransición de SIMM a DIMM sucedió casi al mismo tiempo.MEMORIA RIMMRIMM: módulo de memoria RDRAM (Rambus Son los módulos de memoria,sustituyen a los actuales DIMM, y son una continuación del canal; el canalentra por un extremo del RIMM y sale por el otro. Los RIMM tienen el mismotamaño que los DIMM y han sido diseñados para soportar SPD, (SerialPresence Detect). También hay RIMM de doble cara o de una cara, y puedentener cualquier número de chips hasta el máximo de 32 soportados por canal.Hay módulos de 64Mb, 128Mb y 256Mb, la máxima cantidad total de memoriava desde los 64Mb hasta 1Gb por canal.Podemos instalar dos repetidores para aumentar el número de conectores, yasí aumentar el numero de RIMMs, con un repetidor aumentamos a 6conectores y con dos repetidores aumentamos a 12 conectores.La arquitectura de las memorias SDRAM están llegando prácticamente al límitesuperior de la frecuencia de operación, con las velocidades de losmicroprocesadores actuales, mas lospróximos por venir, nos encontramos con el problema de que la cantidad deinformación que pueden transferir es muy superior a lo que puede ofrecer latecnología. La introducción de la tecnología DRDRAM sobre módulos RIMM dela empresa Rambus junto a Intel en 1999 puede ser una solución al problemaque planteamos por un periodo de tiempo prolongado.La tecnología RDRAM utiliza canales específicamente diseñados paratransportar los datos ay desde la memoria, la primer versión salió con un canal simple o en inglesSingle Channel yla siguiente versión incluyó dos canales o en ingles Two Channels, undiagrama de estas tecnologías de canales. Un canal incluye un controlador dememoria, uno o mas módulos RIMM RDRAM y en el extremo mas lejano unTerminador o en ingles (Continuity RIMM - RIMM de Continuidad),esteterminador tiene como función cerrar el circuito al final del canal, para queretornen ciertas señales al controlador de memoria. El uso de este terminadores obligatorio y necesario para el correcto funcionamiento de este sistema,además estos terminadores deben instalarse uno por cada canal, dependiendode la tecnología de canal que estemos utilizando.Una tecnología de cuatro canales está en desarrollo y promete ser el futuropara las PC de altodesempeño, pero tendremos que esperar un poco mas de tiempo para verla.
  • 38. Este canal a diferencia de las otras tecnologías trabaja con 2 bytes (16 bits) yusa un pequeñonúmero de señales de alta velocidad para transportar la información de datos,control, y direcciones hasta una velocidad de 800Mhz, otra característica es laposibilidad de transferir dos datos por cada ciclo de reloj, similar al DDR.EST Cont.1 Cont. 46 Ranuras de Cont. 47Cont. 92 posicionamientoFactores Característicos de la memoria SIMM, DIMM, RIMMIntegridad de datosUno de los aspectos en el diseño de la memoria implica el asegurar laintegridad de los datos en ella almacenados. Actualmente, existen dos métodosprincipales para asegurar la integridad de los datos: 1. Paridad: ha sido el método más común usado hasta la fecha. Este procesoconsiste en añadir un bit adicional por cada 8 bits de datos. Este bit adicionalnos indica si el número de unos es par o impar (igual se puede hacer con losceros. A esto se denomina criterio de paridad par o impar).2. Códigos de Corrección de Errores (ECC): Es un método más avanzado decontrol de la integridad de los datos que puede detectar y corregir errores enbits simples.Debido a la competencia de precios, la norma más habitual es la de nointroducir métodos de control de la integridad de los datos en la memoria,siendo más caros aquellos módulos que sí incluyen alguno de estos dosmétodos de control de errores.El controlador de memoriaTambién conocido como MMU (Memory Manager Unit, unidad de manejo dememoria), es un componente esencial en cualquier ordenador. Simplemente esun chip (actualmente suele venir integrado como parte de otro chip o delmicroprocesador) cuya función consiste en controlar el intercambio de datosentre microprocesador y memoria. El controlador de memoria determina elfuncionamiento del control de errores, si es que existe.
  • 39. Es muy importante determinar la necesidad de introducir o no un sistema dememoria con control de integridad. Generalmente esto se implementa engrandes servidores y ordenadores de alto rendimiento donde la integridad dedatos es un factor importante.Control de ParidadCuando se implementa un sistema de paridad en un sistema informático, sealmacena un bit de paridad por cada 8 bits de datos. Existen dos métodos decontrol de paridad: paridad par y paridad impar, dependiendo de que aquelloque se controle sea el número de ceros o de unos en cada grupo de ocho bitsen memoria. El método de control de paridad tiene sus limitaciones. Porejemplo, un sistema de control de paridad, puede detectar errores, pero nocorregirlos. Incluso puede darse el caso de que varios bits sean erróneos y elsistema no detecte erroralguno.ECC Este es un método que se implementa en grandes servidores y equipos dealtas prestaciones. La importancia de este método es que es capaz de detectary corregir errores de 1 bit. Todo esto ocurre sin que el usuario tenga constanciade ello. Cuando se detectan múltiples errores en varios bits, el sistema acabapor devolver un error de paridad en memoria.MEMORIAS DDR DE 184 CONTACTOSEstas memorias reciben su nombre por la sigla DDR que significa "Double DataRate". Los DDR son muy similares a las DIMM SDRAM exceptuando su velocidad detrabajo, lacantidad de contactos y su tensión de alimentación. Tienen 184 contactos, esdecir 92 por lado, pero el tamaño físico es el mismo y por lo tanto los contactosson más pequeños.De todos modos no debemos preocuparnos por instalar un DDR en un zócalode DIMM o alrevés debido a que el DIMM SDRAM tiene 2 ranuras y el DDR tiene una ydesplazada delcentro hacia la derecha. El otro punto que debemos mencionar es que latensión de alimentación es de 2,5 o 1,8 Voltios. La doble traba de ranura nospermite insertar estosDDR en zócalos de simple o doble altura Fueron primero adoptadas ensistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 enun principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante elavance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDRSDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR,
  • 40. lo que le permitió competir en precio. Son compatibles con los procesadores deIntel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos yfrecuencias de reloj desde 200 a 400 MHz.También se utiliza la nomenclatura PC1600 a PC4800, ya que puedentransferir un volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de reloj a lasfrecuencias descritas.Un ejemplo de calculo para PC-1600: 100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 B =1600 MiB/sMuchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajodistintos:  Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es necesario introducir todos los módulos DIMM en el mismo banco de slots.  Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a través de dos canales simultáneos, uno para cada banco. Doble traba de ranura Ranura de indicador devoltajeeMEMORIAS DDR2es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologíasde memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementacionesde la DRAM.Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 deida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho debanda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (siuna DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esosmismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funcionadebido a que dentro de las memorias hay un pequeño buffer que es el queguarda la información para luego transmitirla fuera del modulo de memoria,este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bitspara transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En lasDDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la
  • 41. frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria. Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no es fácil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los módulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la información. Características  Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.  Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios y 1.8 voltios, lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2.5.  Terminación de señal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminación integrada" u ODT) para evitar errores de transmisión de señal reflejada. Estándares Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de memoria DIMMs con 240 pines y una localización con una sola ranura. Las tarjetas DIMM son identificadas por su máxima capacidad de transferencia (usualmente llamado ancho de banda). Tiempo Velocidad Datos Nombre MáximaNombre del Velocidad entre del reloj de transferidos del capacidad deestándar del reloj señales E/S por segundo módulo transferencia PC2-DDR2-400 100 MHz 10 ns 200 MHz 400 millones 3.200 MiB/s 3.200 PC2-DDR2-533 133 MHz 7,5 ns 266 MHz 533 millones 4.264 MiB/s 4.200 PC2-DDR2-667 166 MHz 6 ns 333 MHz 667 millones 5.336 MiB/s 5.300¹ PC2-DDR2-800 200 MHz 5 ns 400 MHz 800 millones 6.400 MiB/s 6.400 PC2-DDR2-1.066 266 MHz 3,75 ns 533 MHz 1.066 millones 8.500 MiB/s 8.500
  • 42. DDR2 es la nueva tecnología de memorias que ira, progresivamente,desplazando del mercado a las conocidas DDR. Las nuevas característicasson:• Duplica la cantidad de datos utilizando dosrelojes, así aumentando a 4 los datos en un ciclode reloj.• Cuenta con 240 Contactos en su distribuciónestándar para PC. Y una sola ranura de posicionamiento.• Velocidades que van desde los 400 hasta los 667 Mhz y hasta 1GB decapacidad.• Menor consumo de energía (hasta un 50% menos utilizando 1,8 Volts) y mejordesempeñotérmico.Factor de Forma DDR2DIMM Sin Buffer (ECC y no ECC) 240 Contactos, 1.8 VDIMM ECC Registered 240 Contactos, 1.8 VPara utilización en integraciones propietariasSO-DIMM (Notebooks) 200 Contactos, 1.8 VMini DIMM Registered 244 Contactos, 1.9 VMicro DIMM 200 Contactos, 1.8 VLas memorias DDR2 no son compatibles con DDR ya que el voltaje que utilizanes diferenteMEMORIA DDR3Es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologíasde memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementacionesde la SDRAM.El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferenciasde datos ocho veces mas rápido, esto nos permite obtener velocidades pico detransferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDRanteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual esproporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512megabits a 8 gigabytes, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 Gb.
  • 43. En febrero, Samsung Electronics anunció un chip prototipo de 512 MiB a 1066MHz (La misma velocidad de bus frontal del [Pentium 4 Extreme Edition másrápido) con una reducción de consumo de energía de un 40% comparado conlos actuales módulos comerciales DDR2, debido a la tecnología de 80nanómetros usada en el diseño del DDR3 que permite más bajas corrientes deoperación y voltajes (1,5 V, comparado con los 1,8 del DDR2 ó los 2,5 delDDR). Dispositivos pequeños, ahorradores de energía, como computadorasportátiles quizás se puedan beneficiar de la tecnología DDR3.Teóricamente, estos módulos pueden transferir datos a una tasa de relojefectiva de 800-2600 MHz, comparado con el rango actual del DDR2 de 533-1200 MHz ó 200-400 MHz del DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR2de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC.Si bien las latencias tipicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para el estándar JEDECpara dispositivos DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 7-7-7-24 para DDR3-1333.Los DIMMS DDR3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR2; sin embargo,los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente dela muesca.La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnologíacompletamente distinta, ha sido usada durante varios años en tarjetas gráficasde gama alta como las series GeForce 6x00 ó ATI Radeon X800 Pro, y es lautilizada como memoria principal de la Xbox 360. A veces es incorrectamentecitada como "DDR3".Los módulos más rápidos de tecnología DDR3 ya están listos al mismo tiempoque la industria se preparara para adoptar la nueva plataforma de tecnología.Considerado el sucesor de la actual memoria estándar DDR2, DDR3 prometeproporcionar significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje,lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.Muchas de las placas base que se mostraron en Computex 2007, basadas enlos nuevos chipsets P35, ahora utilizan la tecnología DDR3Se prevé que la tecnología DDR3 sea dos veces más rápida que la DDR2 y elalto ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opcion para lacombinación de un sistema con procesadores dual y quad core (2 y 4 nucleospor microprocesador). El voltaje más bajo del DDR3 (HyperX 1,7 V contra 1,8 Vcon DDR2 y ValueRAM 1,5 V contra 1,8v con DDR2) ofrece una solucióntérmica más eficaz para los ordenadores actuales y para las futurasplataformas móviles y de servidor.
  • 44. Estándares] Datos Tiempo VelocidadNombre del Velocidad transferidos Nombre del Máxima capacidad de entre del relojestándar del reloj por módulo transferencia señales de E/S segundoDDR3-NaNo 100 MHz 9,4 ns 400 MHz 800 Millones PC3-6.400 6.400 MiB/s 1.066DDR3-1.066 133 MHz 7,5 ns 533 MHz PC3-8.500 8.533 MiB/s Millones 1.333DDR3-1.333 166 MHz 6 ns 667 MHz PC3-10.600 10.667 MiB/s Millones 1.600DDR3-1.600 200 MHz 5 ns 800 MHz PC3-12.800 12.800 MiB/s Millones 2.000DDR3-2.000 250 MHz 4 ns 1000 MHz PC3-16.000 16.000 MiB/s Millones 2.133DDR3-2.133 300 MHz 3.5 ns 1066 MHz PC3-17.000 17.000 MiB/s Millones La variante GDDR El primer producto comercial en afirmar que usaba tecnología DDR2 fue la tarjeta gráfica nVIDIA GeForce FX 5800. Sin embargo, es importante aclarar que la memoria "DDR2" usada en las tarjetas gráficas (llamada oficialmente
  • 45. GDDR2) no es DDR2, sino un punto intermedio entre las DDR y DDR2. Dehecho, no incluye el (importantísimo) doble ratio del reloj de entrada/salida, ytiene serios problemas de sobrecalentamiento debido a los voltajes nominalesde la DDR. ATI Technologies ha desarrollado aún más el formato GDDR, hastael GDDR3, que es más parecido a las especificaciones de la DDR2, aunquecon varios añadidos específicos para tarjetas gráficas.Tras la introducción de la GDDR2 con la serie FX 5800, las series 5900 y 5950volvieron a usar DDR, pero la 5700 Ultra usaba GDDR2 con una velocidad de450 MHz (en comparación con los 400 MHz de la 5800 o los 500 MHz de la5800 Ultra).Actualmente, la mayoría de las tarjetas tanto de ATI como de nVIDIA usan elformato GDDR3; no obstante, ATI ya ha comenzado a distribuir las HD4890,que utilizan la nueva tecnología GDDR5 (que alcanza los 7GHz).Identificar el tipo de memoria que utiliza su ordenador.La fuente más apropiada de información a este respecto es el manual de laplaca base, aunque en general:MICROPROCESADOR MEMORIA TÍPICA NOTAS386 DRAM o FPM en módulos Memoria difícil de SIMM de 30 contactos, de unos encontrar, 100 u 80 ns actualización poco interesante486 lentos FPM en módulos SIMM de 30 Típico de DX-33 o contactos, de 80 ó 70 ns velocidades inferiores
  • 46. 486 rápidos FPM en módulos SIMM de 72 Típico de DX2-66 o Pentium lentos contactos, de 70 ó 60 ns, a superiores y Pentium veces junto a módulos de 30 60 ó 66 MHz contactos Pentium FPM o EDO en módulos SIMM de 72 contactos, de 70 ó 60 ns Pentium MMX EDO en módulos SIMM de 72 AMD K6 contactos, de 60 ó 50 ns Celaron SDRAM de 66 MHz en módulos Suelen admitir Pentium II hasta 350 DIMM de 168 contactos, de también PC100 o MHz menos de 20 ns PC133; también en algunos K6-2 Pentium II 350 MHz o SDRAM de 100 MHz (PC100) Aún muy utilizada; más en módulos DIMM de 168 suelen admitir Pentium III contactos, de menos de 10 ns también PC133 AMD K6-2 AMD K6-III AMD K7 Athlon Pentium III SDRAM de 133 MHz (PC133) La memoria más Coppermine en módulos DIMM de 168 utilizada en la (de 533 MHz o más) contactos, de menos de 8 ns actualidad AMD K7 Athlon AMD DuronNOMBRE ARQUITECTURA PINES CAPACIDAD VELOCIDADEDO RAM SIMM-32 BITS 72 128 Mb 50 MHZPC-66 SDRAM DIMM-64 BITS 168 256Mb 66 MHZPC-100/133 DIMM-64 BITS 168 256Mb 100/133 MHZSDRAMPC-600/700/800 RIMM-16 BITS 141 256Mb/1GB 600/700/800 MHZPC-1600/2100 DIMM-64 BITS 184 256Mb 200/266MHZ
  • 47. PROBLEMAS DE LAS MEMORIAS RAM:Configuración inadecuada: Tiene el número de parte erróneo para lacomputadora o no siguió las reglas de configuración.Cuando tenga un problema con la memoria, la causa generalmente es una delas siguientes:Instalación inadecuada: La memoria podría no estar asentada correctamente,el socket está mal o el socket necesita limpieza.Hardware defectuoso: El módulo de memoria mismo está defectuoso.El hecho de que muchos problemas de la computadora se manifiesten comoproblemas de memoria, hace difícil la resolución de las fallas. Por ejemplo, unproblema con la tarjeta madre o el software puede producir un mensaje de errorde memoria.Veremos como ayudarles a averiguar si tiene un problema de memoria y encaso afirmativo, ayudar a identificar el problema y rápidamente obtener lasolución.Si acaba de instalar una nueva memoria, la primera posibilidad es que hayainstalado las piezas incorrectas. Vuelva a verificar los números de partes,confirme que configuró e instaló la memoria correctamenteSi el sistema se ha estado ejecutando bien y repentinamente empieza agenerar errores de memoria, se cae y se congela con frecuencia, la posibilidadde una falla de hardware es la más probable, debido a que los problemas deconfiguración de instalación se muestran cuando se enciende la computadora.Algunas veces se pueden tener problemas de memoria si la computadora sesobrecalienta o si se tiene un problema con el suministro de energía o si se hadesarrollado corrosión entre el módulo de memoria y el socket, lo que debilita laconexiónSi tu PC parece lenta, experimenta demoras en su rendimiento y esincapaz de ejecutar simultáneamente los programas de software que tegustaría, es posible que la clave sea problemas de la memoria. Tecontamos cuales son algunos de sus síntomasRecibís mensajes de error que indican que no tienes suficiente memoria.Este es el llamado de auxilio de tu computadora, aunque probablementeel bajo rendimiento se note mucho antes de que el equipo avise.La pantalla azul de la muerte" que con frecuencia congela la computadoray requiere ser reiniciada. La "pantalla azul" es una alerta del sistema quele informa sobre una falla en la memoria.Limpieza general: ¿Están limpios los zócalos que sostienen la memoria?Estos contactos se ensucian, lo que puede causar un deterioro en el
  • 48. rendimiento de la memoria. Deshacerte del polvo y suciedad que puedancausar malas conexiones y que inhiban el rendimiento de la memoria. Uncopito de algodón puede solucionar el problema.Vibración defectuosa: Los módulos de la memoria vibran en sus zócalosy con el tiempo se pueden soltar. Asegurate de que los módulos de lamemoria estén asegurados de manera adecuada en los zócalos.Revisa los zócalos y los módulos de la memoria con cuidado y busca sitiene partes rotas o quemadas. Si algo está roto, se puede pegar en lugarde ser remplazado con nuevos repuestos costosos. Asegúrate de que elpegante sea "seguro para el plástico".Estabilizador de voltaje: ¿Tu PC está conectada a un estabilizador detensión? Las subidas de energía son letales para la memoria de lacomputadora. Es fácil impedir que una subida de energía eléctrica dañesu computadora, pero no es tan fácil solucionar el problema causado poruna subida de energía.