1. LOS
SEMICONDUCTORE
S INTRÍNSECOS Y
DOPADOS
Gilberto Pare Loayza

2. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
A temperatura ambiente se
comporta como Aislante pues
debido a la energía térmica tiene
pocos electrones libres y térmicos.
Es un Semiconductor Puro se,
contiene una cantidad mínima de
átomos impuros.
n = p =ni
http://electronicageneralenet1.blogspot.com/2013/0
5/semiconductor-puro-de-silicio.html

3. FLUJO ESTABLE DE ELECTRONES LIBRES Y
HUECOS DENTRO DEL SEMICONDUCTOR
Al llegar los electrones lires al
extremo derecho del cristal,
entran al conductor externo y
circulan hacia el teminal
positivo de la batería.

Los electrones libres en el terminal negativo de la batería fluirán
hacia el extremo izquierdo del cristal, de esta manera entran al
cristal y se combinan con los huecos que llegan al extremo
izquierdo del cristal.

Se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del
semiconductor.
http://quintonochea.wikispaces.com/semiconductores1

4. GENERACIÓN TÉRMICA DE
PARES ELECTRÓN HUECO
La generación eléctrica de pares electrón – hueco se explica de la siguiente
manera:
Si un electrón de valencia se convierte en
electrón de conducción deja una posición
bacante, si se aplica un campo eléctrico al
semiconductor, este hueco es ocupado por
otro electrón de valencia que deja otro
hueco.
Este efecto es de una carga +e moviéndose
en dirección del campo eléctrico.
http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.h
tml

5. LOS SEMICONDUCTORES DOPADOS

Consiste en sustituir algunos átomos de silicio por
átomos de otros elementos conocidos como impurezas.

Según el tipo de impureza con el que se dope el
semiconductor puros o intrínsecos, aparecen 2 tipos de
conductores:

Semiconductores Tipo P

Semiconductores Tipo N

6. SEMICONDUCTORES TIPO P Y TIPO N
http://commons.wikimedia.org/wiki/File:
Diodo_pn_-_zona_de_carga_espacial.png

7. ELEMENTOS DOPANTES

Para los semiconductores del grupo IV como el
Germanio, Silicio y Carburo los dopantes mas
comunes son elementos del grupo III o del grupo
V, Boro, Fósforo, Arsénico, y ocasionalmente el
Galio, son utilizados para dopar al silicio.
http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(se
miconductores)

8. DOPAJE TIPO P

El dopaje tipo P, se crean agujeros
mediante la incorporación en caso del
silicio de átomos con 3 electrones de
valencia, por lo general se utiliza el
Boro.
http://www.textoscientificos
.com/energia/celulas