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  1. 1. FICHA TÉCNICA lil. TRANSISTIIR NPN 2N2222; 2N2222A Un diodo rectificadot‘ es [1110 de los dispositivos de la familia de los diodos más sencillos. El nombre diodo rectificador" procede de su ziplicaeión. la cual consiste en separar los ciclos positivos de una señal de corriente alterna Durante la fubricaciói) de los diodos rectifiezitiores. se Consideran tres factores: la frecuencia máxima en que realizan correctamente su función. la corriente mímimzi en que pueden conducir en sentido directo v las tensiones directa e inversa máximas que soportzuzin. RECTIFICADORES CON MONTURA DE ALAMBRE CARACTERÍSTICAS uscáucns m0.. mFuNmoA 50- | 00o VOL TIOS ENVASE: Sin vacíc. ‘faster ttotded. TEMPERAHJRA IJÁXINM )E LOS CONDUCTORES PARA PROPCSJTOS JE SOLDADURA; 353 °C, a 3,8‘ del envase durante 10 segundos con ma tensión de 5 as. ACABADO Toda ias supetfocies extemes son res-sientes a Ia cerros-ón y los conductas; se Quedan WM 0m I’ NFAPSZ! l ¿un = un POLARIDAD el cábso se ndica mediante la banca da coo’. ' h ""9 ‘ ' PESO: 0,40 grarms ¡’aamx madamanïet r. r 7 4' , r _ u. ó” ¡Ü sitúe ‘¿rsV ñ
  2. 2. ESPICIFIICACIONES ¡Mamas Ïr"‘- m r versa piso repetwo Te-‘vafl rvwsa peo du ave-tuerca Ïe‘ : - >17!‘ ¡v3.2 cua) no "rovtuwo ma. 00cv; tm 5C¡-1'É5e. w H1) ¡Cqnrwfitlr grax-n ¿(‘.7 un notan! t. un. ‘. m. car, ‘ Vr-v , < 1.1’; )-¡ n .4 ¡l-¡n-f- Y‘. 75 C) Cn- d o- u. » pa; no va-¡n-"vt m ' e IN rn ‘tf-taz: -n ‘m. com! », JO tu": x un (‘Mil’) ' ma“. 5A una v ‘gun. a '">'J, '>)G. "Yo O-‘Cvwnvífl ‘ dïúulïü ¡aw- Ji’ cor‘ rr ïï-ln . r 01v CARACÏERÍSUCAS uécrmcAs' Características y mod-clones MÉXFW mida de tension instantánea en potarzacaott chacra Máxma caida de mrstm ¡’Dflwdlo de ocio completo s4 activación (tur-ma Comurrttq; fivllltrwfl-"(llïlvüillfl espa-ciñe. rm cdi ' I‘ i T_ 25 C t mi‘. TA ÍÜÜ ’C “¿WWA oorntwev- rnw-rsxu ¡rom do culo con; su: ¡L- Lt) A_ t, z T5 Cicnnúutror u-s 1;. 2;)
  3. 3. :1: al "Ïiltíllltft lili‘. "Ïllsïlkio “nt; IE‘ 1:; tam, El JFET (J unction Field-Effect Transisttir). en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un dispositivo electrónico. esto es. un circuito que. según unos valores electricos de entrada. reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET. al ser transistores de efecto de campo eléctrico. estos valores de entrada son las tensiones eléctricas. en concreto la tensión entre los temiinales S (fuente) y G (puerta). VGS. Según este valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte. óhmica y saturación. Al aplicar una tensión positiva VGS entre puerta y Dé fuente. las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado. llamadas zonas de exclusión. Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de VGS ‘ r le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten. y las VGS y Vp son negativas. cortándose la corriente para tensiones l a‘ f’ ‘ui 7 menores que Vp. fango‘ Zïansiszoz JFEI Jrenador Puezta "¿rie D C u Il f? ) l Í "Í. m Sana X l Zona P J U’) i Zara de depl-z-rtitr:
  4. 4. En las hojas de características de los fabricantes de FETs encontrarás los siguientes parámetros (los más importantes): VGS y VGD. - son las tensiones inversas máximas soportables por la unión PN. IG. - corriente máxima que puede circular por la unión puerta - surtidor cuando se polariza directamente. PD: potencia total disipable por el componente. IDSS. - Comente de saturación cuando VGSzfl. IGSS. — Corriente que circula por el circuito de puerta cuando la unión puerta - surtidor encuentra polarizado en sentido inverso. 0 LA El m» : :_-Iu- NF _‘ '« "P- ‘t‘ ¡W i I‘ Willie‘ 0 lli_‘i. f ¡‘t mi ll ¡n fwr iilllllil’ «t. -- ‘l’: ‘un '-" ti’ i C"a'a: ter‘ s? :5 Gate-ce: d iczage dvFc‘ 3"! ÏGÜS-L-HBÏtfÉ
  5. 5. w————————— — ‘po’ "N77" .74 r. 'wl—gl‘. iíg: ígï"i> ‘iïïilifiléiïliïertst J mi] í iniíiiïtléiï: Iiiii táiliïi ifilíil El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFEI‘ (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenadoi" (D). compuerta (G) y sustrato (B), el sus1rato generalmente está conectado intemamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo. rr)¡m
  6. 6. rzpw-‘n 4-¡‘41-1‘ lvr-‘r ¡’v — ' lr . .,, Ju. ¿'uÉ‘uu. -.r;2r1 ¿”un Existen dos tipos de transistores MOSFET. ambos basados en la estructura MOS. Los MOSFET de enriquecimiento se basan en la creación de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensión en la compuerta. La tensión de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una región de inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que tenía el sustrato originalmente. El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentración de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p. Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de r‘eposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de la ¿f? i]; ¡. conductividad. ¿Sim "' ‘¡r rs‘?
  7. 7. Ïttiïtt; "ÏÏlÍitllítÏ ILïilltlill}! ijïltiliiiiiíïlfl i: ‘ ‘ii ¡diria lll k Los fototransistores son sensibles. a la radiación electromagnética‘ en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser reguladorpor medio de la luz incidente. Un fototransistor: es, en esencia, lo mismo que un transistor normal. sólo que puede‘ trabajar de 2 maneras diferentes: i - Como un transistor normal. con la corriente ‘ÓCÏIQSC (IB) (nrodo común). ' Como fototransistor, cuando la luz que incide ent este elemento hace las veces de corriente de. base. (IP) (modo de. iluminación‘). Los ÏOKOUaHSÍSÍOFES no son muy diferentes de un transistor normal. es decir. están compuestos por el mismo material semiconductor. tienen dos ‘junturas y las mismas tres conexiones externas: colector. base y emisor. Por supuesto. siendo un elemento sensible a la luz. la primera diferencia evidente es en su cápsula. que posee una ventana o es totalmente transparente. para dejar que la luz ingrese hasta lasjuntums de la pastilla semiconductora y produzca el efecto f otoeléctrico. Teniendo las mismas características de un transistor normal, es posible regular su corriente de colector por medio de la corriente de base. Y también, dentro de sus caracteristicas de elemento opto electrónico, el tototransistor conduce más o megas, ’ corriente de colector cuando incide más o menos luz sobre sus junturas. g" m’ - É 2 v. fins‘)
  8. 8. En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexión de base como sin ella y tanto en cápsulas plásticas como metálicas (TO-72. TO-5) provistas de una lente. Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas. lápices ópticos. etc. Para comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodíodos p-i-n. También se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED. fomiando interruptores ópticos (tipto-switch). que detectan la interrupción del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión. Para obtener un circuito equivalente de un fototransistor. basta agregar a un transistor común un lbtoditxlo. conectando en el colector del transistor el cátodo del fotodiodo y el ánodo a la base. SÍ lVlBO LO ELECTRÓNICO ‘a. f ¿naná .5" hi3: '9-
  9. 9. im El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor. o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí. que permite controlar el paso de la corriente a través de sus tenninales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos). y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones: pero tienen ciertos inconvenientes. entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital. como la tecnología l IL o BICMOS. Un transistor‘ de unión bipolar está formado por dos Llnioties PN en un solo cristal semiconductor. separados por una región muy IC estrecha. De esta tnmtcra quedan reunidas tres regiones: l - Emisor. que se diterencia de las otras dos por estar tuenetneltte dopada. eompcvrtaíndtuse como un inem]. Su nombre se debe a B que esta termitml thncíona como emisor de portadores de carga. " ____ ‘Base. la intermedia. muy estrecha. que separa el emisor del ,5 colector. "Colector. de extensión mucho matxor.
  10. 10. Mechanical Data una. Í "pa: Wfilqhl 2 , Paciaqlnq r mins rtptlons; c - . Maximum Ratings 8. Thermal characteristics . ,.r. ... .., ... ... ..s. ... .. ... ... ... ..-i Paiannfiel Sylnlml Valu- p Unl lV-ÍIQVIÍI: “'¡'J1v)IlI' ‘¡ur {wn ‘u- ‘Vvtltulrl m: Tin-vi | ¡tl<'ulik‘iin Minimum. . . mmtu. Whuiut ¡mu "Mtll"l-I'| q¡voltlr1"- u-in

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