3.3. Configuración en Base Común
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3.3. Configuración en Base Común

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Teoría acerca de la configuración en Base Común del Transistor

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  • 1. ConfiguracionesEn función de que terminal esta conectada a tierra(masa). Base Emisor Colector Común Común Común
  • 2. Configuración Base ComúnLa terminología de BC se deriva delhecho de que la base es común tanto a laentrada como a la salida de laconfiguración.La base se conecta a las masas tanto de laseñal de entrada como a la de salida.
  • 3. Configuración Base ComúnLa base es común a la entrada (emisor-base) y a la salida (colector-base).
  • 4. Configuración Base ComúnPara describir el comportamiento de undispositivo de tres terminales, se requierede dos conjuntos de características: Parámetros de Entrada Parámetros de Salida
  • 5. Parámetros de EntradaSe relaciona lacorriente de entrada(IE) con el voltaje deentrada (VBE) paravarios niveles devoltaje de salida (VCB). Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá que el VBE es: VBE = 0.7V
  • 6. Parámetros de SalidaSe relaciona la corriente de salida (IC) con el voltaje desalida (VCB) para varios niveles de corriente de entrada(IE).
  • 7. Regiones Operativas
  • 8. Región ActivaLa unión base-colector se polarizainversamente, mientras que la unión base-emisor se polariza directamente. Esta es la región más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como amplificador.
  • 9. Región ActivaLa corriente de emisor, que es la corrientede entrada, está formada por la suma de lacorriente de base y la de colector: IE = IC + I B
  • 10. Región ActivaEn una primera aproximación se puededecir que: IC ≈ I E
  • 11. Región de CorteTanto la unión base-colector como launión base-emisor de un transistor tienenpolarización inversa.
  • 12. Región de CorteUn transistor esta en corte cuando: (IC = IE = 0A)En este caso el voltaje entre el colector yel emisor del transistor es el voltaje dealimentación del circuito. Este casonormalmente se presenta cuando lacorriente de base = 0A: (IB =0A)
  • 13. Región de Corte
  • 14. Región de SaturaciónTanto la unión base-colector como launión base-emisor de un transistor tienenpolarización directa.
  • 15. Región de SaturaciónUn transistor está saturado cuando: (IC = IE = IMáxima)En este caso el voltaje entre el colector yel emisor del transistor es 0V.
  • 16. Región de Saturación
  • 17. Ganancias de Corriente Emisor Base Común Común Ganancia Ganancia 𝜶 (alfa) 𝛽 (Beta)
  • 18. Ganancia de Corriente 𝜶 (alfa)La ganancia de corriente se encuentradividiendo la corriente de salida (IC) entrela de entrada (IE) 𝐼𝐶 𝛼= 𝐼𝐸La ganancia de corriente en un transistor es inferior a launidad, debido a que la corriente de emisor siempre esalgo mayor que la corriente del colector. Por lo tanto,siempre es menor que 1, en valores entre 0.90 y 0.998.
  • 19. Ganancia de VoltajeSegún se ha visto el transistor de BC no puede produciruna verdadera ganancia de corriente, pero siproporciona ganancias de voltaje 𝑅𝐶 𝐺𝑉 = 𝑅𝐸 Un transistor típico suele tener una resistencia de entrada de 300 Ω y una resistencia de salida de 100 kΩ.
  • 20. Características Generales Baja impedancia de entrada (ZIN), entre 40Ω y 500Ω. • Alta impedancia de salida (ZOUT), entre (15kΩ y 3MΩ). Ganancia de corriente menor que 1 (0.90 – 0.998). • Alta ganancia de voltaje (50 – 300).Impedancia (Z): Es la oposición al flujo de corriente eléctrica. Concepto “similar” a la resistencia.
  • 21. Aplicaciones Configuración BCPara adaptar fuentes de señal de baja impedanciade salida como, por ejemplo, micrófonosdinámicos.No apto para circuitos de baja frecuencia, debido ala baja impedancia de entrada.