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Structure des atomes
Constitution d’un atome
Noyau composé de neutrons et protons
Charge d ’un proton : +1.67 10-19 C
Charge d ’un neutron : 0
Masse du proton et du neutron : 1.67 10-27 kg
Couches électroniques :
électrons des premières couches = électrons fortement liés à
l’atome
électrons de la couche périphérique = électrons susceptibles
de se libérer de l’atome
Charge d ’un électron : -1.67 10-19C
Masse d ’un électron : 9.1 10-31 kg
2
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Ions
Ion positif
Il s’agit d’un atome ayant perdu 1 ou plusieurs de ses électrons
périphériques.
On le représentera de la façon suivante dans les dessins qui
suivront :
Ion négatif
C’est un atome possédant un ou plusieurs électrons en excès.
Représentation :
3
Ion positif
Ion négatif
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Conduction dans un matériau
Définitions
Isolant
Un matériau est dit isolant si
les liaisons inter atomes de
sa structure sont trop fortes
pour autoriser la libération
d‘électrons dans la structure.
Comme il n’y a pas
d’électrons libres dans la
structure, il n’y circule aucun
courant.
Résistivité :
4
Bande de
valence
Bande de
conduction
Bande interdite
(Gap)
Ev
Ec
E
6eV
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Conduction
Conducteur
Un matériau est dit
conducteur si les atomes de
son cristal libère facilement
un électron de leur couche
périphérique.
L’ensemble des électrons
libérés autorise alors la
circulation d’un courant dans
le cristal.
Résistivité :
– Rappel : calcul de résistance
d’un fil
5
Bande de
valence
Bande de
conduction
Pas de Gap
Ev
Ec
E
6. www.geii.eu 6
Conduction dans un matériau
Semi-conducteur
La structure cristalline de ces
matériaux autorise la libération
ponctuelle d’électrons lors d’un
apport énergétique suffisant :
– collisions photoniques,
– élévation de la température,
– force exercée par un champ
électrostatique.
La densité des porteurs
libres est beaucoup plus faible
que dans un conducteur, d’où
le nom de semi-conducteur.
Semi-conducteurs usuels :
Silicium (Si), Germanium (Ge),
Arséniure de Gallium (AsGa).
Résistivité :
6
Bande de
valence
Bande de
conduction
Bande interdite
(Gap)
Ev
Ec
E
1.2eV
pour
Si
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Cristal de Silicium
C’est un cristal de type Diamant.
Chaque atome est lié avec 4
atomes voisins
Seul, l’atome Si possède 4 électrons
sur sa couche périphérique.
Dans le cristal, il vérifie la règle de
l’octet et voit 8 électrons sur sa
couche périphérique grâce à ceux des
atomes voisins.
Libérés assez facilement, les
électrons permettent la circulation
d’un courant dans le cristal.
7
a = 2.35A
°
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Semi-conducteur intrinsèque
Représentation à plat
En se libérant, l’électron laisse une place vide sur la couche
périphérique de son atome : le trou.
Concentration des atomes de Si : environ 1023 atomes/cm3 .
8
Si Si SiSiSiSi
Si Si SiSiSiSi
Si Si SiSiSiSi
Paire électron (noir)
- trou (blanc, charge +e)Atome de Si
Liaison covalente
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Semi-conducteur intrinsèque
Précision sur les paires électrons-trous
Origines diverses
Bombardement photonique.
Echauffement du cristal intrinsèque.
Phénomène résultant
L’apport d’énergie permet de briser des liaisons de valence
un électron se libère.
– Il se retrouve dans la bande de conduction (c’est un e- libre).
– Il laisse dans la bande de valence un atome de Si présentant un défaut d’électron
un ion Si+.
– La place laissée dans la bande de valence par l’électron libéré est appelée « trou »
(charge +q).
Concentration des porteurs
n = concentration des électrons libres dans la bande de conduction.
p = concentration des trous libres dans la bande de valence.
9
10. www.geii.eu 10
Semi-conducteur intrinsèque
Dans un cristal intrinsèque
n=p=ni où ni désigne la concentration intrinsèque.
𝑛𝑖 = 𝐴. 𝑇
3
2. 𝑒
−𝐸 𝐺
2.𝑘.𝑇
Où :
– A est une constante typique du matériau.
– T est la température thermodynamique en Kelvin.
– k=8,6.10-5 eV/K est la constante de Boltzmann.
– EG est la largeur de la bande interdite.
Pour le silicium, ni = 1010 à 300K pour 1023 atomes
Soit 1 porteur libre pour 1013 atomes.
Ce chiffre explique bien la nature semi-conductrice du Si.
10
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Semi-conducteur extrinsèque
Utilité du semi-conducteur intrinsèque
Limitée !
Usage :
en thermistance car ni augmente très vite avec la
température (sa conductivité augmente avec T).
en photorésistance car on peut faire varier la résistivité du Si
en l’éclairant.
Semi-conducteur extrinsèque
Semi-conducteur intrinsèque modifié = semi-conducteur
extrinsèque = semi-conducteur dopé.
Résistivité d’un semi-conducteur dopé << résistivité du cristal
intrinsèque.
11
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Semi-conducteur dopé n
Principe
On diffuse des atomes du groupe V dans le cristal : Phosphore
(P), Arsenic (As), Bismuth.
Dans le cristal de Si, l’atome injecté présente un électron en
excès par rapport au reste du cristal.
L’atome dopant, de concentration , est dit donneur et
l’électron libre qu’il fournit est le porteur majoritaire du cristal
dopé (concentration ). Si l’électron se libère et
l’impureté se présente sous la forme d’un ion positif
Les trous libres du cristal intrinsèque sont dits porteurs
minoritaires (concentration ).
Echelle des concentrations lorsque :
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13. www.geii.eu 13
Semi-conducteur dopé n
Représentation à plat
Représentation simplifiée
Paires électrons-trous du Si
Electron libres du donneur
Donneur = Ion positif
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Si P SiSiPSi
Si Si SiSiSiSi
Si Si SiSiSiSi
Paire électron (noir)
- trou (blanc, minoritaire)Atome de Si
Liaison covalente
Electron libre
majoritaire
14. www.geii.eu 14
Semi-conducteur dopé p
Principe
On diffuse des atomes du groupe III dans le cristal : Bore (B),
Aluminium (Al), Indium (In).
Dans le cristal de Si, l’atome injecté présente un défaut
d’électron par rapport au reste du cristal.
L’atome dopant, de concentration , est dit accepteur et le
trou libre qu’il fournit est le porteur majoritaire du cristal dopé
(concentration ). Si le trou se libère et l’impureté se
présente sous la forme d’un ion négatif
Les électrons libres du cristal intrinsèque sont dits porteurs
minoritaires (concentration ).
Echelle des concentrations lorsque :
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15. www.geii.eu 15
Semi-conducteur dopé p
Représentation à plat
Représentation simplifiée
Paires électrons-trous du Si
Trous libres du donneur
Accepteur = Ion négatif
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Si B SiSiBSi
Si Si SiSiSiSi
Si Si SiSiSiSi
Paire électron (noir, minoritaire)
- trou (blanc)Atome de Si
Liaison covalente
Trou libre
majoritaire