TRANSISTORES
• El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas
que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo...
TRANSISTOR JFET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en
inglés) es en realidad una familia de tra...
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor
bipolar. La terminal de drenaje se polariza positiva...
El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (más adelante se verá) para dar lugar a
...
MOSFET
• El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-ef...
• Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales
llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato
(B...
TRANSISTOR UNIUNIÓN
• El transistor uniunión es un tipo de tiristor que contiene dos
zonas semiconductoras.
• Tiene tres t...
TRANSISTOR IGBT
• El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo
semiconductor que generalmente se aplica como ...
FOTOTRANSISTOR
• Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz,
normalmente a los infrarrojos. La luz incide s...
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técnica de cinco transistores diferentes, incluye uno JFET y un MOSFET.

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Transistores

  1. 1. TRANSISTORES
  2. 2. • El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp. • EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas. • BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas. • COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
  3. 3. TRANSISTOR JFET El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente. Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente. El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de deplexión que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente. Cuando aumentamos la tensión en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexión se hacen más grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga más difucultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión, cuanto mayor es la tensión inversa en el diodo compuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje. Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a través del canal creado entre las zonas de deflexión van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente I_D = I_S .
  4. 4. Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama punch-off y es diferente para cada JFET. El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El JFET es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta a fuente modifican la región de rarefacción (deplexión) y causan que varíe el ancho del canal. Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas características del transistor JFET. Las curvas características típicas para estos transistores se encuentran en la imagen, nótese que se distinguen tres zonas importantes: la zona óhmica, la zona de corte y la zona de saturación. Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura, capacitancia, etc. Todas ellas normalmente las especifica el fabricante de cada transistor. Algunos programas de simulación (como SPICE) permiten hacen barridos de CD básicos para obtener las curvas, en base a los modelos contenidos en sus bibliotecas de componentes.
  5. 5. El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar de diversas maneras (más adelante se verá) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de señal, sin embargo no son las únicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la configuración para formar osciladores, interruptores controlados, resistores controlados, etc.
  6. 6. MOSFET • El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. • El término 'metal' en el nombre de los transistores MOSFET es actualmente incorrecto debido a que el material de la compuerta, que antes era metálico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino. En sus inicios se utilizó aluminio para fabricar la compuerta, hasta mediados de 1970 cuando el silicio policristalino comenzó a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las compuertas metálicas están volviendo a ganar popularidad, debido a que es complicado incrementar la velocidad de operación de los transistores sin utilizar componentes metálicos en la compuerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante en la compuerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener canales fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas.
  7. 7. • Aunque el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamadas surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B), el sustrato generalmente está conectado internamente a la terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos de tres terminales similares a otros transistores de efecto de campo. • Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es un poco más inclusivo, debido a que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metálica, y un aislante de compuerta que no es un óxido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).
  8. 8. TRANSISTOR UNIUNIÓN • El transistor uniunión es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. • Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.
  9. 9. TRANSISTOR IGBT • El transistor bipolar de puerta aislada es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. • Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
  10. 10. FOTOTRANSISTOR • Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor. • Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas: • Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común). • Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación). • Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.
  11. 11. WEBIOGRAFIA • http://en.wikipedia.org/wiki/JFET • http://pepote.vascodelazarza.com/Transistores.html • http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET • http://pepote.vascodelazarza.com/Transistores.html

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