1. Universidad Nacional Autónoma de México
Facultad de Ingeniería
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO y E/S
Isabel Fecha: 19/ Marzo / 2015
Semestre: 2015-2
PREVIO #6
IMPLEMENTACIÓN DE MEMORIAS DE MAYOR CAPACIDAD
1. Describir detalladamente los pasos que se deben seguir para implementar una memoria de mayor capacidad,
es decir, que cosas se toman en consideración:
• Definir la organización de la memoria a implementar.
• Definir con qué tipo de circuitos integrados se cuenta.
• Definir las restricciones del material disponible (precio, consumo de corriente, tiempo de acceso,
número máximo de circuitos integrados, etc.)
• Definir el número de circuitos integrados que se necesitan para alcanzar la capacidad deseada.(número
de palabras x bits por palabra)
• Conseguir la hoja de especificaciones del CI adquirido para conocer su tiempo de acceso y la
configuración de terminales .
• Definir el número de líneas de direccionamiento que se requieren.
• Definir el número de líneas de entrada y salida de datos.
• Definir las líneas de habilitación y de control.
• Definir la circuitería adicional necesaria para el correcto funcionamiento (compuertas lógicas o
decodificadores externos).
2. Diferencias principales entre una RAM estática y una RAM dinámica.
• La SRAM es estática (no necesita refrescar periódicamente) mientras la SDRAM es dinámica (necesita
que se suministre energía periódicamente).
• La velocidad de acceso de SDRAM es dependiente del reloj, mientras SRAM accede directamente.
• La memoria DRAM puede empaquetar varios gigabits en un chip DRAM, mientras la memoria SDRAM
sólo puede empaquetar varias decenas de mega bits en su chip.
• El consumo de la SRAM es estable, mientras que el de la SDRAM es mayor debido a los ciclos de
refresco.
• La SRAM es más cara que la SDRAM debido a su mayor velocidad.
3. Cuál es la celda de almacenamiento de una memoria SRAM (porque elementos están construidas).
La celda esta constituida por Flip-Flops, la cual se puede visualizar a continuación:

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Isabel Fecha: 19/ Marzo / 2015
Semestre: 2015-2
Implementar los arreglos de memoria que se piden en los preguntas 4, 5 y 6, tomando como circuito integrado
de memoria el CI 6116 (conseguir hoja de especificaciones y patígrama de esta memoria SRAM de 2k x 8).
Para cada implementación indicar:
a) Número de líneas de direccionamiento que se requieren
b) Número de líneas de entrada / salida.
c) Líneas de habilitación y control
d) Circuitería adicional para que funcione completamente la implementación.
4. Duplicar el número de localidades de la memoria original.
5. Duplicar el tamaño de la palabra de la memoria original.
6. Duplicar el número de localidades y el tamaño de la palabra de la memoria original.
Nota: guardar una copia de esta ultima implementación, se utilizara en la práctica.