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Semiconductores intrínsecos y
        extrínsecos
 Objetivo
Calcular la densidad de portadores en semiconductores puros
  y poco dopados
 Motivo
Poder determinaran los comportamientos característicos
  tensión/corriente de los dispositivos
 Esquema
 Densidad de estados
           x                              Densidad de portadores

 Probabilidad de ocupación

 Concepto: Equilibrio térmico
 Es el estado en que un proceso es acompañado por otro, igual y opuesto
 (estado dinámico), mientras que el sistema se mantiene a la misma
 temperatura, sin intercambios de energía
 con el exterior.
Semiconductores intrínsecos
 A simple vista es imposible que un semiconductor permita el
  movimiento de electrones
 a través de sus bandas de energía
 Idealmente, a T=0ºK, el semiconductor es un aislante
  porque todos los e- están formando
 enlaces.
 Pero al crecer la temperatura, algún enlace covalente se
  puede romper y quedar libre un e- para moverse en la
  estructura cristalina.

                           El hecho de liberarse un e- deja un
                             “hueco” (partícula ficticia positiva)
                             en la estructura
                          cristalina. De esta forma, dentro del
                             semiconductor        encontramos   el
                             electrón libre (e-), pero
                          también hay un segundo tipo de
                             portador: el hueco (h+)
 Modelo de bandas de energía: Conducción intrínseca
 Estructura de un metal




 Estructura de un semiconductor
SEMICONDUCTORES
    INTRINSECOS Y EXTRINSECOS
 Semiconductor Intrínseco:

 Intrínseco indica un material semiconductor extremadamente puro  contiene
 una cantidad insignificante de átomos de impurezas. En él se cumple:



 Semiconductor Extrínseco:

   En la práctica nos interesa controlar la concentración de portadores en un
   semiconductor (n o p).
   De este modo se pueden modificar las propiedades eléctricas: conductividad
   Para ello se procede al proceso de DOPADO:
   Un pequeño porcentaje de átomos del SC intrínseco se sustituye por átomos de otro
   elemento (impurezas o dopantes).
   Estas impurezas sustituyen a los átomos de Silicio en el cristal formando enlaces.
   De este modo podemos
   Favorecer la aparición de electrones (Semiconductores Tipo N: donde n > p)
   Favorecer la aparición de huecos (Semiconductores Tipo P: donde p>n).
Semiconductores extrínsecos
S
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C
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N
D
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E
S
D    En los semiconductores tipo n, los electrones son los
E     portadores mayoritarios.
N    En los semiconductores tipo p, los huecos son los
S     portadores mayoritarios.
I    La ley de acción de masas se cumple para semiconductores
D     extrínsecos, en equilibrio térmico
A
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Hoja de datos 2.1
BIBLIOGRAFIA
 http://ocw.usal.es/eduCommons/ensenanzas-
  tecnicas/electronica/contenido/electronica/Tema1_SemiConduct.pdf
 https://docs.google.com/viewer?a=v&q=cache:fETr8RK0P0kJ:www.uv.es/candid/docencia/ed_tema-
  02.pdf+semiconductores+intrinsecos&hl=es&gl=pa&pid=bl&srcid=ADGEESjhmyE4jefWQku0PWY3X
  Rjoxu6lv1Gi2aF3xlOIzM7X0jX65z9osOE40KqvjA6d8c-
  C1UbAZYRPU08oM_QsokLk3jMWKzUMi1K4b17Kx_OdUPZe81LSueafc3v_0JQWAbYJEMUs&sig=A
  HIEtbTevTuF6FzP0UrVINaoLKXu-r8v7w
 http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina4.htm
 Jose Antonio Gomez Tejedor. Apuntes Fundamentos Físicos de la Informática.
 Universidad Politécnica de Valencia.
 Pardo Collantes, Daniel; Bailón Vega, Luís A., “Elementos de Electrónica”.Universidad
 de Valladolid. Secretariado de Publicaciones e Intercambio Editorial.1999.
 Albella J. M, y Martínez-Duart, J.M. “Fundamentos de electrónica física y
 microelectrónica”. Ed. Addison Wesley/UA Madrid, 1996
 http://www.textoscientificos.com/imagenes/quimica/variacion-conductividad.gif
 http://www.esacademic.com/dic.nsf/eswiki/456727 (Fisica del estado sólido).
 http://www.esacademic.com/pictures/eswiki/67/Celdi1.PNG
 http://www.politecnicocartagena.com/img%20dto%20fisica/semiconductores.ppt
 http://enciclopedia.us.es/index.php/Redes_de_Bravais
 http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor
 http://colos.inf.um.es/carmfisica/FisicaCurricu/GO_AtomoSchrodinger.html
 http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica_/cuantica/principios/caja/atomo_bohr2.gif
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Semiconductores intrinsecos y extrinsecos

  • 1.
  • 3.  Objetivo Calcular la densidad de portadores en semiconductores puros y poco dopados  Motivo Poder determinaran los comportamientos característicos tensión/corriente de los dispositivos  Esquema Densidad de estados x Densidad de portadores Probabilidad de ocupación Concepto: Equilibrio térmico Es el estado en que un proceso es acompañado por otro, igual y opuesto (estado dinámico), mientras que el sistema se mantiene a la misma temperatura, sin intercambios de energía con el exterior.
  • 4.
  • 5.
  • 7.  A simple vista es imposible que un semiconductor permita el movimiento de electrones  a través de sus bandas de energía  Idealmente, a T=0ºK, el semiconductor es un aislante porque todos los e- están formando  enlaces.  Pero al crecer la temperatura, algún enlace covalente se puede romper y quedar libre un e- para moverse en la estructura cristalina.  El hecho de liberarse un e- deja un “hueco” (partícula ficticia positiva) en la estructura cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el electrón libre (e-), pero también hay un segundo tipo de portador: el hueco (h+)
  • 8.  Modelo de bandas de energía: Conducción intrínseca
  • 9.  Estructura de un metal  Estructura de un semiconductor
  • 10. SEMICONDUCTORES INTRINSECOS Y EXTRINSECOS  Semiconductor Intrínseco:  Intrínseco indica un material semiconductor extremadamente puro  contiene  una cantidad insignificante de átomos de impurezas. En él se cumple:  Semiconductor Extrínseco:  En la práctica nos interesa controlar la concentración de portadores en un  semiconductor (n o p).  De este modo se pueden modificar las propiedades eléctricas: conductividad  Para ello se procede al proceso de DOPADO:  Un pequeño porcentaje de átomos del SC intrínseco se sustituye por átomos de otro  elemento (impurezas o dopantes).  Estas impurezas sustituyen a los átomos de Silicio en el cristal formando enlaces.  De este modo podemos  Favorecer la aparición de electrones (Semiconductores Tipo N: donde n > p)  Favorecer la aparición de huecos (Semiconductores Tipo P: donde p>n).
  • 13. D  En los semiconductores tipo n, los electrones son los E portadores mayoritarios. N  En los semiconductores tipo p, los huecos son los S portadores mayoritarios. I  La ley de acción de masas se cumple para semiconductores D extrínsecos, en equilibrio térmico A D D E P O R T A D O R E S
  • 14.
  • 16. BIBLIOGRAFIA  http://ocw.usal.es/eduCommons/ensenanzas- tecnicas/electronica/contenido/electronica/Tema1_SemiConduct.pdf  https://docs.google.com/viewer?a=v&q=cache:fETr8RK0P0kJ:www.uv.es/candid/docencia/ed_tema- 02.pdf+semiconductores+intrinsecos&hl=es&gl=pa&pid=bl&srcid=ADGEESjhmyE4jefWQku0PWY3X Rjoxu6lv1Gi2aF3xlOIzM7X0jX65z9osOE40KqvjA6d8c- C1UbAZYRPU08oM_QsokLk3jMWKzUMi1K4b17Kx_OdUPZe81LSueafc3v_0JQWAbYJEMUs&sig=A HIEtbTevTuF6FzP0UrVINaoLKXu-r8v7w  http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina4.htm  Jose Antonio Gomez Tejedor. Apuntes Fundamentos Físicos de la Informática.  Universidad Politécnica de Valencia.  Pardo Collantes, Daniel; Bailón Vega, Luís A., “Elementos de Electrónica”.Universidad  de Valladolid. Secretariado de Publicaciones e Intercambio Editorial.1999.  Albella J. M, y Martínez-Duart, J.M. “Fundamentos de electrónica física y  microelectrónica”. Ed. Addison Wesley/UA Madrid, 1996  http://www.textoscientificos.com/imagenes/quimica/variacion-conductividad.gif  http://www.esacademic.com/dic.nsf/eswiki/456727 (Fisica del estado sólido).  http://www.esacademic.com/pictures/eswiki/67/Celdi1.PNG  http://www.politecnicocartagena.com/img%20dto%20fisica/semiconductores.ppt  http://enciclopedia.us.es/index.php/Redes_de_Bravais  http://enciclopedia.us.es/index.php/Semiconductor  http://colos.inf.um.es/carmfisica/FisicaCurricu/GO_AtomoSchrodinger.html  http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica_/cuantica/principios/caja/atomo_bohr2.gif  http://www.quimicaweb.net/grupo_trabajo_fyq3/tema4/imagenes/Bohratommodel.png