Autor: Carlos Eduardo Guerrero 
Ocupa 
Carrera de Ing. Sistemas
Transitares : 
Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de ampliador 
,oscilador , conmutador o re...
Tipo de Transitares
Transistor JFET: 
El transistor JFET( juntion Field efectivo transistor , que se traduce como transistor de 
efecto de cam...
Característica: 
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar . 
La terminal de drenaje s...
Transistor MOSFET: 
Son las siglas de metal oxide semiconductor FIELD EFFECT TRANSITOR, 
Consístete en un transistor de ef...
Características : 
Son dos características o tipo de transistores MOS: 
1. MOSFET de canal N o NMOS. 
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Transistor FET: 
Tienen también tres terminales que son 
1. puerta (gate). 
2. Drenador (Drain ). 
3. sumidero (sink). 
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Características : 
Disposición de las polarizaciones para un FET de canal N. 
- La figura muestra un esquema que ayudara a...
Transistor bipolar de union(BJT): 
El transistor de unión bipolar (del ingles bipolar junction transistor es un 
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Características : 
Los transistores bipolares son los transistores mas conocidos y se usan generalmente en 
eléctrica anal...
Transistor MESFET: 
MESFET: significa transistor de efecto de campo de metal semiconductor es muy similar a un 
JFET en la...
Características: 
numerosas posibilidades de fabricación MESFET se han explorado para una amplia 
variedad de sistema de s...
WebGrafía: 
 http://transitoresfetgoleoncom /dos htm 
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Transitores

  1. 1. Autor: Carlos Eduardo Guerrero Ocupa Carrera de Ing. Sistemas
  2. 2. Transitares : Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de ampliador ,oscilador , conmutador o rectificador . El termino» transistor »el la contralacion en ingles de transfer resistor («resistencia de trasferencia»)actualmente se encuentran en los estados en todo los aparatos electrónicos de uso diario :televisión ,radios, computadoras cuarzo ,lámparas fluorescentes ,tomógrafos ,celulares teléfonos, etc.
  3. 3. Tipo de Transitares
  4. 4. Transistor JFET: El transistor JFET( juntion Field efectivo transistor , que se traduce como transistor de efecto de campo )es un dispositivo electrónico activo unipolar. Funcionamiento básico: Tienen tres terminales ,denominas puertas (gate),drenador (drain)y fuente( source) la puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlando por tensión ,donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre dren ador y fuente.
  5. 5. Característica: Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar . La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuentes (Vdd)y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (.Vgg) Al hacer un barrido en corriente directa se obtienen las curvas características del transistor JFET. Las curvas características típicas para estos transistores se encuentran en la imagen ,nótese que se distinguen tres zonas importantes :l • a zona óhmica • la zona de corte • la zona de saturación.
  6. 6. Transistor MOSFET: Son las siglas de metal oxide semiconductor FIELD EFFECT TRANSITOR, Consístete en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS es el transistor mas utilizado en la industria microelectrica .la practica totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. Utilización: Una transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnica de difusión de dopantes , se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor
  7. 7. Características : Son dos características o tipo de transistores MOS: 1. MOSFET de canal N o NMOS. 2. MOSFET de cana P o PMOS. A su vez estos transistores pueden ser de acumulación (enhancement)o deflexión (deplexion);en la actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los MOS de acumulación también conocidos como de enriquecimiento.
  8. 8. Transistor FET: Tienen también tres terminales que son 1. puerta (gate). 2. Drenador (Drain ). 3. sumidero (sink). Que igualmente dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.
  9. 9. Características : Disposición de las polarizaciones para un FET de canal N. - La figura muestra un esquema que ayudara a comprender el funcionamiento de un FET. en este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N. - La puerta esta polarizada negativamente respecto al a fuente ,por lo quela unión P N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe una capa decirla . - Si el material de la puerta esta mas dopado que el de canal ,la mayor parte de la capa estará formada por el canal. - Si al tensión de la puerta es cero y VDS-o las capas desiertas profundizar poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unión.
  10. 10. Transistor bipolar de union(BJT): El transistor de unión bipolar (del ingles bipolar junction transistor es un dispositivo eléctrico de estado solido consiste en dos unión es PN muy cercanas entre si ,que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales .la denominación de gracias al desplazamiento de portadores de dos electrones polarizadas(huecos positivos y eléctricos negativos),y son de gran utilidad en gran numero de aplicaciones : Pero tienen cierto inconvenientes , entre ellos su impudencia de entrada bastante baja.
  11. 11. Características : Los transistores bipolares son los transistores mas conocidos y se usan generalmente en eléctrica analógica aunque también en algunas aplicaciones de eléctrica digital ,como la tecnología TTL o BICMOS. Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductores dopadas : La región del emisor ,la región de la base y la región del colector ,estas regiones son respectivamente  Tipo P  Tipo N  Tipo de trasmisor se unión bipolar 1. PNP . 2. NPN:
  12. 12. Transistor MESFET: MESFET: significa transistor de efecto de campo de metal semiconductor es muy similar a un JFET en la construcción terminología la diferencia es que en lugar de utilizar una unión PN para una puerta una schottky(de metal semiconductor )unión se utiliza MESFET se construye normalmente en las tecnologías de semiconductores compuestos que carecen de pasivacion de alta calidad de la superficie.
  13. 13. Características: numerosas posibilidades de fabricación MESFET se han explorado para una amplia variedad de sistema de semiconductores ,algunas de las principales áreas de amplificación son: Comunicaciones militares : Como amplificador de ruido bajo extremo delantero de los receptores de microonda en los dos militares de radar y dispositivos de comunicación comercial opto eléctrica Comunicaciones por satélite. Como amplificador de potencia para la etapa de salida de los enlaces de microondas . Como un oscilador de potencia.
  14. 14. WebGrafía:  http://transitoresfetgoleoncom /dos htm  http://www.unicrom .com/ fut_ transitores _MOSFET  http://es wipedia org/wiki7transistor de uni%C3%83n bipolar  http://www.unicrom.com/lut_transitores _MOSFET.asp
  15. 15. Publica tu presentación en: www.slideshare.net Luego, envía la dirección de tu publicación a tu tutor.

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