1. TEMA: TRANSISTORES
. Transistor de unión bipolar (BJT)
. Transistor de unión (JFET)
. Transistor Efecto de Campo (MOSFET)
. Fototransistor
. Transistor de contacto Puntual
Alumno: J. Ch. A.
Carrera: Ing. De sistemas

2.  Los transistores de unión bipolares, son
dispositivos de estado sólido de tres
terminales, núcleo de circuitos de conmutación
y procesado de señal.
 Los transistores son dispositivos activos con
características altamente no lineales.

4.  La estructura básica de JFET está formado por
un semiconductor de tipo “n”.
 Los JFET son utilizados en circuitos integrados
normalmente se fabrica siguiendo la tecnología
plana, según la cual el semiconductor está
formado por una capa de carácter “n”
depositada sobre un abstracto de silicio u otro
semiconductor.

6.  es un transistor utilizado para amplificar o
conmutar señales electrónicas.
 Es el transistor más utilizado en la industria
microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos
o digitales, aunque el transistor de unión
bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales están basados
en transistores MOSFET.

8.  Es importante decir que todos los transistores
son sensibles a la luz, pero los fototransistores
están diseñados para aprovechar esta
característica. Existen transistores FET (de
efecto de campo), que son muy sensibles a la
luz, pero encontramos que la mayoría de los
fototransistores consisten en una unión NPN
con una región de base amplia y expuesta,

10.  Llamado también transistor de punta de
contacto, consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces
mejor conocido que la combinación cobre-
óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy
juntas, dos puntas metálicas que constituyen
el emisor y el colector.
 La corriente de base es capaz de modular la
resistencia que se "ve" en el colector, de ahí
el nombre de "transfer resistor".