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Dispositivos de Electrónica de Potencia,[object Object],Introducción:,[object Object],Los dispositivos semiconductores utilizados en electrónica de potencia se puede clasificar en tres grandes grupos:,[object Object],[object Object]
Dispositivos semiconductores: en este grupo se encuentran dentro de la familia de los tiristores, los SCR(Rectificador Controlado de Silicio) y los TRIAC. En este caso su puesta en conducción se debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo; es decir se tiene el control externo de la puesta en conducción, pero no así el bloqueo del dispositivo.
Dispositivos totalmente controlados: en este grupo se encuentran los transistores bipolares BJT, MOSFET , IGBT y los tiristores GTO.,[object Object]
Recuperación Directa,[object Object]
Características Tensión-Corriente   ,[object Object],El SCR debe ser disparado o encendido al estado de conducción (ON) aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeño intervalo de tiempo. La caída de tensión directa en el estado de conducción es de pocos voltios (1-3V). Una vez que el SCR empieza a conducir este permanece en conducción aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser bloqueado por pulso de puerta. Únicamente cuando la corriente del anodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral (IH corriente de mantenimiento), por la influencia del circuito de potencia, el SCR pasara a estado de bloqueo.,[object Object]
	En régimen estático, dependiendo de la tensión entre ánodo y cátodo podemos distinguir tres regiones de funcionamiento:,[object Object],Zona de bloqueo inverso (VAK<0): Esta condición corresponde al estado de no conducción en inversa, comportándose como un diodo.,[object Object],Zona de bloqueo directo (VAK<0 sin disparo): El SCR se comporta como un circuito abierto hasta alcanzar la tensión de ruptura directa.,[object Object],Zona de conducción (VAK>0 con disparo): El SCR se comporta como un interruptor cerrado, si una ves a ocurrido el disparo, por el dispositivo circula una corriente mayor a la de enclavamiento. Una vez en conducción se mantendrá en dicho estado si el valor de la corriente ánodo cátodo es superior a la corriente de mantenimiento.,[object Object]
TRIAC,[object Object],	Es un tiristor bidireccional de tres terminales y puede ser disparado con tensiones de puerta de ambos signos.,[object Object],Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que nos permite la puesta en conducción del dispositivo en ambos sentidos de circulación.,[object Object],	El  TRIAC  esta pensado para aplicaciones de pequeña potencia, con tensiones que no superan los 100v y corrientes de 15 A . La frecuencia máxima a la que pueden trabajar es también reducida, normalmente los 50-60Hz de la red monofásica.,[object Object]
GTO (GateTurn-Off Thyristor)ç,[object Object],	Es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar las dos transiciones: paso de bloqueo a conducción y viceversa. ,[object Object],Su característica principal es su capacidad de entrar en conducción  y bloquearse a través de señales adecuadas en el terminal de puerta G.,[object Object],	si la corriente por la puerta es positiva, el semiconductor pasara del estado “OFF” al estado “ON”; por lo contrario, si la corriente por la puerta es negativa, el semiconductor dejara de conducir, pasando del estado “ON” a “OFF” .,[object Object]
TRANSISTORES,[object Object],	Tienen la ventaja de que son totalmente  controlados  estos incluyen  los transistores BJT, los MOSFET y dispositivos híbridos como el IGBT,[object Object],Transistor  Bipolar de Potencia (BJT),[object Object],Estructura PNP y NPN ,[object Object],Características Estáticas:,[object Object],Fundamentalmente puede trabajar en tres zonas :,[object Object],Corte: no se inyecta corriente a la base; este se comporta como un interruptor abierto.,[object Object],Activa: se inyecta corriente a la base y este soporta una determinada tensión entre colector y emisor.,[object Object],Saturación:  se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir el Vce y conseguir que el transistor se comporte como un interruptor cuasi ideal,[object Object]
MOSFET ,[object Object],	Son transistores controlados por tensión, ello se debe al aislamiento de la puerta respecto del resto del dispositivo.,[object Object],De forma análoga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo:,[object Object],Corte: la tensión entre la puerta y la fuente es mas pequeña  que una determinada tensión umbral (VT), con lo que el dispositivo se comporta como un interruptor abierto .,[object Object],Óhmica: si la tensión entre la puerta y la fuente es suficientemente grande y la tensión entre el drenador y la fuente es pequeña, el transistor se comporta como un interruptor cerrado .,[object Object],Saturación: si el transistor esta cerrado pero soporta una tensión drenador –surtidor elevada, este se comporta como una fuente de corriente constante.,[object Object]

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  • 2. Dispositivos semiconductores: en este grupo se encuentran dentro de la familia de los tiristores, los SCR(Rectificador Controlado de Silicio) y los TRIAC. En este caso su puesta en conducción se debe a una señal de control externa que se aplica en uno de los terminales del dispositivo; es decir se tiene el control externo de la puesta en conducción, pero no así el bloqueo del dispositivo.
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