Este documento describe los diodos y transistores BJT, incluyendo sus regiones de operación, polarizaciones fijas, circuitos de polarización estabilizados en emisor y por divisor de voltaje, y análisis exacto e aproximado. También incluye ejercicios para determinar corrientes, voltajes y ganancias en diferentes configuraciones de polarización del transistor BJT. Finalmente, propone una actividad de investigación sobre las características y aplicaciones de las polarizaciones vistas, incluyendo la polarización DC por retroalimentación

1. DIODOS Y TRANSISTORES BJT SEMICONDUCTORES

9. BJT: BASE COMUN IE= IB + IC IC = IE VBE =0.7V IC/IE= α

10. EMISOR COMUN IC=( β +1)IB

11. CURVAS DE SALIDA PUNTO Q Δ IC

12. COLECTOR COMUN

13. IDENTIFICACION DE TERMINALES

15. POLARIZACION FIJA Vcc C1 C2 RB RC Malla B-E Malla C-E Señal entrada Señal salida VCE = VC-VE VBE = VB - VE Icsat= VCC/RC

17. ANALISIS DE RECTA DE CARGA VCE= VCC – IC*RC Q HALLAR VCC, RC Y RB PARA EL PUNTO Q MOSTRADO.

18. CIRCUITO DE POLARIZACION ESTABILIZADO EN EMISOR Vcc Rb Rc Re C1 C2 Malla EB Ie=( β + 1 )Ib Malla CE Ie=Ic Ve: Vc: Vb: Vce: Icsat= Vcc/(Rc+Re)

20. POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE Vcc R1 R2 C1 C2 Rc Re Vcc

21. ANÁLISIS EXACTO Vcc Re R1 R1 Hallar equivalente thevenin, dibujar nuevamente el circuito , aplicar Kirchhoff, se sustituye I E y se despeja Ib, se analiza malla CE como ya se estudio.

23. ANÁLISIS APROXIMADO Vcc Ri R2 R1 Ri >>R2; Ib=0 R1 y R2 en serie, VR2=Vb. β Re≥ 10R2 Ve = Vb –Vbe Ie= Ve/Re Ie=Ic Vce= Vcc-IcRc-IeRe