Técnicas de grabado y estampación : procesos y materiales
Experiencia n° 1 r transistores
1. Experiencia : N° 1
Tema : Polarización y zonas de operación del BJT.
Objetivos :
• Comprobar el principio de funcionamiento de los
transistores.
• Demostrar que Ic depende de Ib en la zona activa
del transistor.
• Observar el comportamiento del transistor en las
zonas de corte y saturación.
• Medir el punto Q de operación del transistor.
• Comprobar la importancia de Re para la estabilidad
del transistor.
• Concluir , elaborando informe experimental.
1.- Instrumentos , componentes y materiales :
1.- Tester.
2.- Fuentes DC.
1.- Transistor 2N2222.
1.- Diodo LED rojo.
1.- Protoboard.
1.- Resistencia de 100 Ω.
1.- Resistencia de 470 Ω
1.- Resistencia de 1 KΩ.
2.- Resistencia de 10 KΩ.
1.- Resistencia de 150 KΩ.
1.- Alicates de punta y cortante.
Terminales y alambres de conexión.
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3. Circuito Experimental N° 3
3.- Procedimiento Experimental :
a) Realice el montaje del circuito experimental N° 1 , en el protoboard.
b) Ajuste la tensión VBB (entre 0 Volt y 10 Volt ) y con el multitester mida los
voltajes entre colector y emisor ( VCE ) ; el voltaje en la resistencia Rb ; el
voltaje en la resistencia Rc ; la corriente en el colector IC (observe la
intensidad luminosa del diodo Led). Tabule las mediciones en la siguiente
tabla :
VBB VRC
[Volt]
VRB
[volt]
VCE
[Volt]
IC
[mA]
0 Volt
1 Volt
2 Volt
3 Volt
4 Volt
5 Volt
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4. c) Con los valores de la tabla anterior . Determine el estado o zona en que
está trabajando el transistor (activa, saturación o corte). Justifique.
d) Con los valores de la zona activa de la tabla N° 1, Determine el valor de la
relación Ic / Ib, ¿ A qué parámetro del transistor corresponde dicho valor?.
¿ Cómo es esta relación en cada caso?
e) Explique la variación de valores de la tabla N°1 con el sólo hecho de
calentar el transistor con el cautín
d) Ajuste la tensión VBB , de manera de tener el voltaje en la resistencia Rc un
valor de 1 volt. Varie Vcc a un valor de 12 volt y anote el nuevo valor del
voltaje en la resistencia Rc.
e) Acerque el cautín caliente al transistor por un período de tiempo de 3
segundos y con el multitester mida los voltajes entre colector y emisor VCE ;
el voltaje en la resistencia Rc y observe la intensidad luminosa del diodo
led. Anote las mediciones logradas.
f) Realice el montaje del circuito experimental N° 2 , en el protoboard.
g) Ajuste el voltaje VBB (entre 0 Volt y 12 volt). Con el multitester mida los
voltajes entre colector y emisor VCE ; el voltaje en la resistencia Rb ; el
voltaje en la resistencia Rc ; el voltaje en la resistencia Re ; la corriente en
el colector IC (observe la intensidad luminosa del diodo led) . Tabule los
datos medidos en la siguiente tabla.
VBB VRC
[Volt]
VRB
[Volt]
VRE
[Volt]
VCE
[Volt]
IC
[mA]
0 Volt
1 Volt
2 Volt
3 Volt
4 Volt
5 Volt
h) Repita los pasos c) y d) para el circuito experimental N° 2.,Anote los valores
medidos.
i) Explique la razón de las diferencias tan pequeñas de valores en la tabla N°
2 al calentar el transistor con el cautín.
j) Realice en el protoboard , el montaje del circuito N° 3,
k) Mida los valores de IB , VRC , VRE , VBE y VCE.
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5. l) Con los valores medidos , calcule el punto de operación Q del transistor :
VBE , VCE , IB .Con los valores medidos , indicar la zona de trabajo del
transistor. Considere : Ic = VRc/ Rc e Ie = Vre / Re.
m) Compare los valores teóricos utilizando el HFE dado por el manual para el
circuito experimental N° 3 y compárelo con los valores obtenidos con el
multitester.
4.-. Cuestionario :
a) ¿ Cómo se puede verificar el tipo de transistor utilizando un multitester ?
b) ¿ Cómo se puede verificar el estado del transistor utilizando un multitester?
c) ¿ Cómo se pueden reconocer los terminales de un transistor ?
d) ¿ Cómo se puede calcular la corriente de base de un transistor si es
conocida la corriente de colector ?
e) ¿ De qué depende la corriente de colector ?
f) ¿ Cuáles son las zonas de trabajo del transistor ?
g) ¿ Cómo se debe polarizar un transistor ?
h) ¿ El parámetro HFE varía con la temperatura ?
i) ¿ Qué entiende por estabilidad térmica en el transistor ?
j) ¿ Cómo se puede mejorar la estabilidad térmica del transistor ?
5.- Exigencias del informe :
Desarrolle íntegramente el PROTOCOLO DE INFORMES DE LABORATORIO.
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6. l) Con los valores medidos , calcule el punto de operación Q del transistor :
VBE , VCE , IB .Con los valores medidos , indicar la zona de trabajo del
transistor. Considere : Ic = VRc/ Rc e Ie = Vre / Re.
m) Compare los valores teóricos utilizando el HFE dado por el manual para el
circuito experimental N° 3 y compárelo con los valores obtenidos con el
multitester.
4.-. Cuestionario :
a) ¿ Cómo se puede verificar el tipo de transistor utilizando un multitester ?
b) ¿ Cómo se puede verificar el estado del transistor utilizando un multitester?
c) ¿ Cómo se pueden reconocer los terminales de un transistor ?
d) ¿ Cómo se puede calcular la corriente de base de un transistor si es
conocida la corriente de colector ?
e) ¿ De qué depende la corriente de colector ?
f) ¿ Cuáles son las zonas de trabajo del transistor ?
g) ¿ Cómo se debe polarizar un transistor ?
h) ¿ El parámetro HFE varía con la temperatura ?
i) ¿ Qué entiende por estabilidad térmica en el transistor ?
j) ¿ Cómo se puede mejorar la estabilidad térmica del transistor ?
5.- Exigencias del informe :
Desarrolle íntegramente el PROTOCOLO DE INFORMES DE LABORATORIO.
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