2. Un transistor puede
considerarse formado por dos
diodos semiconductores con
una zona común. En un
transistor existen, por
consiguiente, tres terminales.
La zona común se denomina
base y las dos zonas exteriores
en contacto con la base son el
emisor y el colector.
Para que el transistor funcione
correctamente, la unión
correspondiente al diodo
emisor-base debe polarizarse
en sentido directo, mientras
que la unión correspondiente al
colector-base ha de estar
polarizada en sentido inverso.

3. Si se conecta únicamente el circuito emisor-base, con dolarización
directa, se establece una circulación eléctrica desde el emisor a la
base a través de la unión. Desconectando la alimentación en el
circuito emisor-base y comunicando el conector-base con
dolarización en sentido inverso, la circulación será prácticamente
ambas uniones emisor-base y colector-base, se establecerá una
corriente entre el emisor y el colector. Dicha corriente esta
determinada por la tensión positiva del emisor y la negativa del
colector, siempre con relación a la base.
El factor de amplificación de corriente de in transistor es la
relación entre la corriente de colector y la del emisor.
La característica del transistor en virtud de la cual, al vaciar la
tensión del emisor, se pueden obtener variaciones en la corriente
del colector, comporta que pueda comparársele con una válvula
termoiónica. El emisor, la base y el colector del transistor pueden
identificarse con el cátodo, rejilla y ánodo de tríodo,
respectivamente.

4. Hay dos tipos de transistores:
TRANSISTOR BIPOLAR
TRANSISTORES UNIPOLARES

5. TRANSISTORES JFET
Este transistor está
formado por una pastilla de
semiconductor tipo N, en la
cual se difunden dos zonas
de semiconductor tipo P. La
difusión puede hacerse
utilizando una sola cara, o
bien, utilizando ambas. En
la figura siguiente se
observa la estructura
esquemática de este
transistor. Si en lugar de
utilizar una pastilla de
semiconductor tipo N se
utiliza una de P y se
difunden dos zonas N, se
obtiene un transistor FET
de canal P.

6. Símbolo y estructura del p-JFE

7. MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de
compuerta aislada
El transistor empleado más comúnmente en la industria
microelectrónica se denomina transistor de efecto de campo de
metal-óxido-semiconductor (MOSFET, siglas en inglés). Contiene
dos regiones de tipo n, llamadas fuente y drenaje, con una región de
tipo p entre ambas, llamada canal. Encima del canal se encuentra
una capa delgada de dióxido de silicio, no conductor, sobre la cual va
otra capa llamada puerta. Para que los electrones fluyan desde la
fuente hasta el drenaje, es necesario aplicar una tensión a la puerta
(tensión de polarización directa). Esto hace que la puerta actúe como
un conmutador de control, conectando y desconectando el MOSFET
y creando una puerta lógica que transmite unos y ceros a través del
microprocesador.

8. Los transistores MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con
cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy delgada, se puede destruir con
facilidad si hay alta tensión.

9. PRINCIPIO DE OPERACIÓN DE UN MOSFET
Tanto en el MOSFET de canal N o el de canal P, cuando no se aplica
tensión en la compuerta no hay flujo de corriente entre en drenaje
(Drain) y la fuente (Source)

10. La
estructura de este tipo de
MOSFET está representada en
la siguiente figura. En una
pastilla de material N, se
difunde una zona p
denominada sustrato. En este
caso se tiene un MOSFET
canal P, si se hace a la inversa
se obtendrá un MOSFET canal
N. Este tipo de transistor
apenas se utiliza, pero su
importancia radica en que fue
el primer paso para el
MOSFET de enriquecimiento,
de gran importancia en
electrónica digital y en los
ordenadores.

11. La diferencia con el
transistor de
empobrecimiento
esta en que en la
pastilla de
semiconductor N se
difunden dos zonas
tipo P, para el
transistor de canal
P.

12. FICHA TÉCNICA RECEPTOR TRANSISTOR PHILIPS 90 LR 071-072

13. Fichas de circuitos electrónicos