 Carrera: Ing. De sistema
 Alumno: Jonathan Luis
Luna Barrientos
 Curso: Física Electrónica
 Tema: transistores
 Cicl...
 Corrientes en un transistor de unión BJT
 Un transistor de juntura bipolar está formado por dos junturas PN en un solo ...
 Cuando funciona como amplificador suministra una corriente de salida que es
proporcional a la tensión aplicada a la entr...
 Transistores Mosfet
características :
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
 No tiene un v...
 Transistores Mosfet
 características
 El HBT tiene como principales características un alto rendimiento en
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 La composición más habitual de estos transistores es una combinación de Arseniuro
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Transistores

  1. 1.  Carrera: Ing. De sistema  Alumno: Jonathan Luis Luna Barrientos  Curso: Física Electrónica  Tema: transistores  Ciclo: IV
  2. 2.  Corrientes en un transistor de unión BJT  Un transistor de juntura bipolar está formado por dos junturas PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones  :Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensión mucho mayor. La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxia.  En su funcionamiento normal, la juntura base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, que por ser muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.
  3. 3.  Cuando funciona como amplificador suministra una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Características generales:  Por el terminal del control no se absorbe corriente  Una señal muy débil puede controlar el componente  La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico Existen dos transistores de efecto de campo los JFET ( transistores de efecto de campo de unión ) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación mas frecuente la encontramos en los circuitos integrados Es un componentes de tres terminales que se denominan: Puerta (G Gate ) fuente (S source) y Drenaje (D, Drain) según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son los siguientes :
  4. 4.  Transistores Mosfet características : Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).  No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).  Hasta cierto punto es inmune a la radiación.  Es menos ruidoso.  Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
  5. 5.  Transistores Mosfet
  6. 6.  características  El HBT tiene como principales características un alto rendimiento en frecuencia, alta eficiencia y buena linealidad de la señal.  Los HBT están diseñados para utilizarse en dispositivos de potencia o de alta frecuencia, debido a sus características que incluyen soporte altos voltajes de ruptura, altas densidades de corriente y una buena uniformidad en el voltaje umbral.  Kopin es una compañía de desarrollo y manufactura de tecnologías de imagen digital y telecomunicaciones, los cuales son comercializados a nivel mundial.  La compañía provee obleas de HBT de 4 y 6 pulgadas, para clientes que utilizan estos transistores en una gran variedad de aplicaciones, principalmente en telefonía celular y redes
  7. 7.  La composición más habitual de estos transistores es una combinación de Arseniuro de galio, Ga As, con Arseniuro de galio-aluminio, AlGaAs; aunque existe una gran variabilidad en función de la aplicación a la que se destine. Existen transistores que contienen Indio, que generalmente presentan mejores rendimientos a altas frecuencias, mientras que recientemente se han introducido transistores con Nitrito de Galio, GAN, que presentan mejor rendimiento en alta potencia.  Las aplicaciones de estos transistores son similares a los transistores MESFET, telecomunicación en las bandas de microondas y de onda milimétrica, radar, radioastronomía y en general en cualquier aplicación que requiera de alta ganancia y bajo ruido a altas frecuencias  Habitualmente, los dos materiales distintos usados en una heterounión deben tener el mismo parámetro de red, es decir, sus estructuras cristalinas deben ser prácticamente iguales
  8. 8.  Link  https://www.google.com.pe/search?um=1&hl=es&biw=1360&bih=667&tbm=isch&sa=1&q=t ransistor+HBT&oq=transistor+HBT&gs_l=img.3..0i24.1190175.1198687.0.1198873.14.10.0. 4.4.0.540.2001.2j5j1j1j0j1.10.0....0...1c.1.26.img..5.9.1023.20mCa7ZfctQ#facrc=_&imgdii= _&imgrc=E20cz0v9WzYeaM%3A%3BUozjlqXz5abwTM%3Bhttp%253A%252F%252Fwww. diarioelectronicohoy.com%252Fimagenes%252F2010%252F03%252FAmplificadores-con- ganancia-HBT-de-InGaP- .jpg%3Bhttp%253A%252F%252Fwww.diarioelectronicohoy.com%252Famplificadores-con- ganancia-hbt-de-ingap%252F%3B371%3B238  http://es.wikipedia.org/wiki/Transistores_HEMT  http://www.electronicosonline.com/2005/04/05/Medio-millon-de-obleas-HBT/?imprimir=true  http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET  http://gambox-bjt.blogspot.com/2009/09/teoria.html

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