1. ALUMNO: EDWARD OMAR RISCO CHAVEZ
CODIGO: U2014118124
PRECAUCION
 Este equipo opera con voltajes de hasta 3400 VAC
 Siempre use los 3 cables conectados apropiadamente a una tierra externa.
 Este equipo debe siempre ser operado de acuerdo al manual de instrucciones.
PROBANDO SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Los métodos de prueba para semiconductores de potencia están bosquajados en el JEDEC sub
comité JC22 para diodos y SCRs. El estándar para SCRs is RS397. Una de las mas importantes
condiciones de esta prueba es que el voltaje considerado no debe ser exedido.
Un semiconductor de potencia ideal puede tener un voltaje aplicado hasta que el dispositivo
alcanza el voltaje avalancha, en la practica ,muchos dispositivos tienen una ventana de ruptura o
superficie de ruptura antes que la corriente de fuga nominal sea alcanzada. Para esos dispositivos,
excediendo el voltaje establecido por el fabricante puede resulta en una falla instantánea o en
una baja del grado de características de bloqueo.
Los dispositivos tienen alrededor chips y silicona los cuales han sido biselados y contorneados para
reeducir el voltaje de estrés y las uniones de los dispositivos al final del chip. Esrtos dispositivos
generalmente alcanzan votajes de avalancha antes que la ruptura ocurra en la superficie.
Los dispositivos mas peque;os asi como modulos de poder y algunos dispositivos montados ,
están hechos con chips cuadrados . estos dispositivos se romperán bordeando elchip antes que el
voltaje avalancha sea alcanzado. Esta forma de ruptura se conoce como FATAL.
REGLAS BASICAS PARA PRUEBA DE SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
 No use un ohmímetro.
 No use un probador HI POT.
 Use un probador que este conforme con el estándar JEDEC.
 Nunca exceda el voltaje de bloqueo considerado por el fabricante.
 Nunca exceda la corriente de fuga considerada por el fabricante.
 Si la máxima corriente de fuga es alcanzada antes que el voltaje de bloqueo determinado
sea alcanzado DETENGASE.
 Si el voltaje de bloqueo determinado es alcanzado antes que la corriente de fuga sea
alcanzada DETENGASE.
 De ser posible, vea la características V/I de el dispositivo en un osciloscopio.

2. INSTRUCCIONES DE OPERACIÓN
El M3K esta dice;ado para la prueba de semiconductores de potencia ,asi como SCRs, tiristores,
diodos , IGBTS ,Transistores y MOS FETS. El catodo (emisor) del dispositivo bajo prueba es
operado con un potencial cerca de tierra .
El M3K permite 3 pruebas : PFV (voltaje adelante pico) PRV ( voltaje reverso pico) voltaje de gate y
corriente al gatillo (corriente de base para transistores). Los circuitos de prueba fueron diseñados
de acuerdo al estándar RS397 JEDEC. La prueba PRV/PFV aplica un voltaje reverso pico o un
voltaje Delantero pico. Media onda de 60 Hz forma la onda haci el dispositivo y la corriente de
fuga pico es medida por un circuito almacenador de picos y mostrada por un amperímetro lector
de picos.
La curva V/I del dispositivo puede ser mostrado en un osciloscopio x/Y . La prueba de gate DC es
usada para medir el voltaje de gate DC y corriente requerida para disparar el dispositivo dentro
del estado ON . La fuente para el Anodo (colector) tiene forma de media onda de 60 Hz. El
probador provee un voltaje de gate bastante alto para la prueba ON OFF de IGBTs y MOS FETs.
PREPARACIONES Y PRECAUCIONES.
El probador tiene para ser conectado en un receptáculo apropiado y aterrado de 3 cables.
Cuando este probando juegos de componentes a presión (discos) , el componente debe estar
comprimido en su abrazadera propia.
Se recomienda que el instrumento este conectado a tierra via el terminal TIERRA en el frente del
panel NOTA Cuando pruebe modulos IGBTs o transistores Darlington, la chapa de la base del
moodulo bajo prueba debe ser conectado al terminal de tierra.
No toque la puntas de prueba ni el dispositivo bajo prueba mientras el botón PRUEBA es soltado.