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Tema: Los semiconductores
Curso: Física Electrónica
Alumno: Cóndor Zamata Lin
¿Qué son los
semiconductores?
Son elementos que poseen características intermedias entre
los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se
consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo
determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la
circulación de la corriente eléctrica en un sentido, pero no en
el sentido contrario.


                     Lugar que ocupan en la Tabla Periódica los
                     trece elementos con características de
                     semiconductores.




Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna,
detectar señales de radio, amplificar señales de corriente
eléctrica, funcionar como interruptores o compuertas
utilizadas en electrónica digital, etc.
Son elementos "semiconductores": el silicio (Si), el germanio (Ge) y
el selenio (Se), por ejemplo.
TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES
Conductividad Eléctrica

 La mayor o menor conductividad eléctrica que pueden presentar los
 materiales semiconductores depende en gran medida de su
 temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la
 temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente también
 aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre
 con los elementos semiconductores, pues mientras su temperatura
 aumenta, la conductividad también aumenta.

 En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se
 puede variar aplicando uno de los siguientes métodos:


 - Elevación de su temperatura
 - Introducción de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
 - Incrementando la iluminación.
Semiconductores
intrínsecos
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se
encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna
impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura.
En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones
en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será
igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran
presentes en la banda de conducción.




                                      Semiconductor
                                      intrínseco
Semiconductores intrínsecos
                                             Modelo del electrón ligado para la
 • Diagrama de bandas de                        conducción eléctrica en el Si
 un semiconductor:                           intrínseco, antes de la excitación.




   Modelo del electrón ligado en el silicio intrínseco después de la excitación.
En un semiconductor intrínseco la
separación entre la banda de
valencia y la de conducción es tan
pequeña que a la temperatura
ambiente      algunos   electrones
ocupan niveles de energía de la
banda de conducción.


La ocupación de estos niveles
introduce portadores de carga
negativa en la banda superior y
huecos positivos en la inferior y
como resultado, el sólido es
conductor.
En un semiconductor intrínseco la separación entre la banda de
valencia y la de conducción es tan pequeña que a la temperatura
ambiente algunos electrones ocupan niveles de energía de la banda de
conducción.


                                                              Electrón de
                                                              conducción
                Banda de conducción vacía
                       Separación de energía                 E
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                  Banda de valencia llena
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                                                    Hueco




Esquema de bandas de un semiconductor puro o extrínseco. De ser
proporcionada la energía suficiente, un electrón de la banda de valencia,
específicamente ubicado en un par electrónico del enlace covalente, podrá
superar a apertura de energía E y quedar libre, pasando a la banda de
conducción. Habrá dos mecanismos de conductividad: por electrones libres y
por los huecos positivos.
Semiconductores
extrínsecos
Un semiconductor extrínseco es aquel en el que se han
introducido pequeñas cantidades de una impureza con el objeto
de aumentar la conductividad eléctrica del material a la
temperatura ambiente. A este proceso se le conoce como
dopado. Así, por ejemplo, el número de portadores negativos
(electrones) puede aumentar si se dopa el material con átomos
de un elemento que tenga más electrones de valencia que el que
compone dicho material semiconductor.




                 Semiconductor extrínseco
Para aumentar la conductividad (que sea más conductor)
de un SC (Semiconductor), se le suele dopar o añadir
átomos de impurezas a un SC intrínseco, un SC dopado es
un SC extrínseco.
Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a
dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se
los conoce como extrínsecos.

Un semiconductor altamente dopado que actúa más como
un    conductor   que  como    un   semiconductor  es
llamado degenerado.
Tipo de Materiales Dopantes: Tipo N

Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que
permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos.
Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan
electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsénico y el Fósforo.
De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica, ya que
el átomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un
electrón no ligado, a diferencia de los átomos que conforman la
estructura original, por lo que la energía necesaria para separarlo del
átomo será menor que la necesitada para romper una ligadura en el
cristal de silicio .




                              El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el
                              Fósforo (dopaje N). En el caso del Fósforo, se dona un
                              electrón.
Tipo de Materiales Dopantes: Tipo P

Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la
formación de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos,
como ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este tipo se
llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón. Suelen ser
de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio.
Nuevamente, el átomo introducido es neutro, por lo que no modificará la
neutralidad eléctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres
electrones en su última capa de valencia, aparecerá una ligadura rota, que
tenderá a tomar electrones de los átomos próximos, generando finalmente
más huecos que electrones, por lo que los primeros serán los portadores
mayoritarios y los segundos los minoritarios.




                               El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el
                               Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrón y,
                               por tanto, es donado un hueco de electrón.
Fin de la presentación
 Muchas Gracias…!!!!
Bibliografía
 http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semicond
  uctor_3.htm
 http://www.textoscientificos.com/quimica/inorganica/enlace-
  metales/semiconductores
 http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925813.html

 Materiales Semiconductores.ppt (Presentación)
  http://www.google.com.pe/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&frm=1&sour
  ce=web&cd=13&ved=0CH8QFjAM&url=http%3A%2F%2Fwww.ua.es
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Semiconductores

  • 1. Universidad Privada Telesup Tema: Los semiconductores Curso: Física Electrónica Alumno: Cóndor Zamata Lin
  • 3. Son elementos que poseen características intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulación de la corriente eléctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Lugar que ocupan en la Tabla Periódica los trece elementos con características de semiconductores. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar señales de radio, amplificar señales de corriente eléctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrónica digital, etc.
  • 4. Son elementos "semiconductores": el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo.
  • 5. TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES
  • 6. Conductividad Eléctrica La mayor o menor conductividad eléctrica que pueden presentar los materiales semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente también aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad también aumenta. En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los siguientes métodos: - Elevación de su temperatura - Introducción de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina - Incrementando la iluminación.
  • 8. Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción. Semiconductor intrínseco
  • 9. Semiconductores intrínsecos Modelo del electrón ligado para la • Diagrama de bandas de conducción eléctrica en el Si un semiconductor: intrínseco, antes de la excitación. Modelo del electrón ligado en el silicio intrínseco después de la excitación.
  • 10. En un semiconductor intrínseco la separación entre la banda de valencia y la de conducción es tan pequeña que a la temperatura ambiente algunos electrones ocupan niveles de energía de la banda de conducción. La ocupación de estos niveles introduce portadores de carga negativa en la banda superior y huecos positivos en la inferior y como resultado, el sólido es conductor.
  • 11. En un semiconductor intrínseco la separación entre la banda de valencia y la de conducción es tan pequeña que a la temperatura ambiente algunos electrones ocupan niveles de energía de la banda de conducción. Electrón de conducción Banda de conducción vacía Separación de energía E Niveles de Banda de valencia llena energía Hueco Esquema de bandas de un semiconductor puro o extrínseco. De ser proporcionada la energía suficiente, un electrón de la banda de valencia, específicamente ubicado en un par electrónico del enlace covalente, podrá superar a apertura de energía E y quedar libre, pasando a la banda de conducción. Habrá dos mecanismos de conductividad: por electrones libres y por los huecos positivos.
  • 13. Un semiconductor extrínseco es aquel en el que se han introducido pequeñas cantidades de una impureza con el objeto de aumentar la conductividad eléctrica del material a la temperatura ambiente. A este proceso se le conoce como dopado. Así, por ejemplo, el número de portadores negativos (electrones) puede aumentar si se dopa el material con átomos de un elemento que tenga más electrones de valencia que el que compone dicho material semiconductor. Semiconductor extrínseco
  • 14. Para aumentar la conductividad (que sea más conductor) de un SC (Semiconductor), se le suele dopar o añadir átomos de impurezas a un SC intrínseco, un SC dopado es un SC extrínseco.
  • 15. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado que actúa más como un conductor que como un semiconductor es llamado degenerado.
  • 16. Tipo de Materiales Dopantes: Tipo N Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsénico y el Fósforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica, ya que el átomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrón no ligado, a diferencia de los átomos que conforman la estructura original, por lo que la energía necesaria para separarlo del átomo será menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio . El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fósforo (dopaje N). En el caso del Fósforo, se dona un electrón.
  • 17. Tipo de Materiales Dopantes: Tipo P Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la formación de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón. Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el átomo introducido es neutro, por lo que no modificará la neutralidad eléctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su última capa de valencia, aparecerá una ligadura rota, que tenderá a tomar electrones de los átomos próximos, generando finalmente más huecos que electrones, por lo que los primeros serán los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrón y, por tanto, es donado un hueco de electrón.
  • 18. Fin de la presentación Muchas Gracias…!!!!
  • 19. Bibliografía  http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semicond uctor_3.htm  http://www.textoscientificos.com/quimica/inorganica/enlace- metales/semiconductores  http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925813.html  Materiales Semiconductores.ppt (Presentación) http://www.google.com.pe/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&frm=1&sour ce=web&cd=13&ved=0CH8QFjAM&url=http%3A%2F%2Fwww.ua.es %2Fdpto%2Fdqino%2FRTM%2FICM%2F06_07%2Fpresent%2Fp_abe llan_arribas.pps&ei=0rW7UOL- Fou89gTmxIGICg&usg=AFQjCNHKgC1QlLKdBI1p69Cn_AbawpHVKQ& sig2=fhpPoJyhZDXeYxGiC-59PQ