Este documento describe la historia y funcionamiento de los diodos. Explica que los diodos permiten el flujo de corriente en una sola dirección, bloqueándola en la otra. Detalla que los primeros diodos fueron los termoiónicos y de cristal semiconductor, y que actualmente los más comunes son los de silicio. Resume las características de conducción y no conducción de los diodos, así como usos específicos como el diodo zener para regulación de voltaje.

2. DIODOS
1. INTRODUCCIÓN
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente
entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario.
En la Figura 1 se muestran el símbolo y la curva caracteristica tensión-corriente del
funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.
Figura 1: Símbolo y curva característica tensión-corriente del diodo ideal.
El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia
nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el
sentido opuesto. La punta de la flecha del símbolo circuital, representada en la
figura 1, indica el sentido permitido de la corriente.
Presenta resistencia nula.
Presenta resistencia infinita.
Mediante el siguiente ejemplo se pretende mostrar el funcionamiento ideal de un
diodo en circuito sencillo.

3. Figura 2: Ejemplo de funcionamiento del diodo ideal
En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulación, ya que la corriente
entra por el ánodo, y este se comporta como un interruptor cerrado. Debido a esto,
se produce una caída de tensión de 10V en la resistencia, y se obtiene una corriente
de 5mA.
En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportándose
como un interruptor abierto, y la caída de tensión en la resistencia es nula: los 10V
se aplican al diodo.
2. HISTORIA DEL DIODO
Aunque el diodo semiconductor de estado sólido se popularizó antes del diodo
termoiónico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo.
En 1873 Frederick Guthrie descubrió el principio de operación de los
diodos térmicos. Guhtrie descubrió que un electroscopio cargado positivamente
podría descargarse al acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que
este lo tocara. No sucedía lo mismo con un electroscopio cargado negativamente,
reflejando esto que el flujo de corriente era posible solamente en una dirección.
Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison redescubre el
principio. A su vez, Edison investigaba porque los filamentos de carbón de las
bombillas se quemaban al final del terminal positivo. Él había construido una
bombilla con un filamento adicional y una con una lámina metálica dentro de la
lámpara, eléctricamente aislada del filamento. Cuando uso este dispositivo, el
confirmó que una corriente fluía del filamento incandescente a través del vació a la

4. lámina metálica, pero esto solo sucedía cuando la lámina estaba conectada
positivamente.
Edison diseño un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor con un
voltímetro de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884.
Aparentemente no tenía uso práctico para esa época. Por lo cual, la patente era
probablemente para precaución, en caso de que alguien encontrara un uso al
llamado Efecto Edison.
Aproximadamente 20 años después, John Ambrose Fleming (científico asesor
de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se dio cuenta que el efecto
Edison podría usarse como un radio detector de precisión. Fleming patentó el
primer diodo termoiónico en Britain el 16 de noviembre de 1904.
En 1874 el científico alemán Karl Ferdinand Braun descubrió la naturaleza de
conducir por una sola dirección de los cristales semiconductores. Braun patentó el
rectificador de cristal en 1899. Losrectificadores de óxido de cobre y selenio fueron
desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la década de los 1930.
Figura 3: Diodo de alto vacío usado comúnmente hasta la invención del diodo
semiconductor
El científico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en usar un cristal
semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de cristal
semiconductor fue desarrollado en un dispositivo práctico para la recepción de
señales inalámbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quién inventó un detector de
cristal de silicio en 1903 y recibió una patente de ello el 20 de noviembre de 2006.
Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las cuales se
usó ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un rendimiento
ligeramente mayor, pero el galena fue el que más se usó porque tenía la ventaja de
ser barato y fácil de obtener. Al principio de la era del radio, el detector de cristal
semiconductor consistía de un cable ajustable (el muy nombrado bigote de gato) el
cual se podía mover manualmente a través del cristal para así obtener una señal

5. óptima. Este dispositivo problemático fue rápidamente superado por los diodos
termoiónicos, aunque el detector de cristal semiconductor volvió a usarse
frecuentemente con la llegada de los económicos diodos de germanio en la década
de 1950.
En la época de su invención, estos dispositivos fueron conocidos como
rectificadores. En 1919, William Henry Eccles acuñó el término diodo del griego dia,
que significa separado, y ode (de ὅδος), que significa camino
3. CARACTERÍSTICAS DE LOS DIODOS
La forma de funcionamiento de un diodo común de silicio se puede apreciar
observando la curva característica que se crea cuando se polariza, bien de forma
directa, o bien de forma inversa. En ambos casos la curva gráfica (representada en
color verde en el siguiente gráfico) muestra la relación existente entre la corriente y
la tensión o voltaje que se aplicada a los terminales del diodo.
Figura 4: Característica de un diodo de silicio
En la figura correspondiente a la curva característica de un diodo de silicio, se
puede observar un eje horizontal “x” y otro vertical “y” que se intersectan en el
centro. En ese punto el valor del voltaje y de la intensidad de la corriente es igual
a “0” volt. El eje vertical “y” muestra hacia arriba su parte
positiva (+y) correspondiente al valor que puede alcanzar la intensidad de la
corriente (Id) que atraviesa al diodo cuando se polariza directamente, mientras que
hacia abajo su parte negativa (-y) muestra cuál será su comportamiento cuando se
polariza de forma inversa (Ii). El eje horizontal “x” muestra hacia la derecha, en su
parte positiva (+x), el incremento del valor de la tensión o voltaje que se aplicada al
diodo en polarización directa (Vd). Hacia la izquierda del propio eje se encuentra la

6. parte negativa (–x), correspondiente al incremento también del valor de la tensión
o voltaje, pero en polarización inversa (Vi).
Si a un diodo común de silicio le aplicamos una tensión o voltaje (Vd) para
polarizarlo directamente, partiendo de “0” volt (punto de intersección de los ejes
de las coordenadas), se puede observar en el gráfico que hasta tanto no se
alcanzan los 0,7 volt sobre el eje “+x”, el valor de la corriente (Id) no indica ninguna
variación debido a la resistencia que, por debajo de ese voltaje, ofrece la “barrera
de potencial” al flujo de los electrones en el punto de unión "p-n". Sin embargo, a
partir de los 0,7 volt un pequeño incremento en el valor de la tensión, originará un
enorme flujo de intensidad de corriente, tal como se puede apreciar en el gráfico,
representado por la curva de color verde (paralela al eje “+y”), en la parte
correspondiente a la “región de polarización directa” del diodo. (Como ya se
mencionó anteriormente, a diferencia del diodo de silicio (Si), un diodo de germanio
(Ge) sólo requiere 0,3 volt de polarización directa para que comience a conducir la
corriente).
Ahora bien, si el diodo se polariza de forma inversa aplicándole una tensión o voltaje
inverso a partir de“0” volt y siguiendo el eje –x, vemos que aunque incrementemos
el valor de esa tensión, la corriente (Ii) no muestra variación alguna, excepto en un
punto donde se produce una pequeñísima “corriente de fuga” de unos pocos
microamper. A partir de ese momento si continuamos incrementando el valor de la
tensión se llega al punto de “ruptura inversa”, (codo de la curva de color verde),
donde el aislamiento de la unión "p-n" se rompe originándose un flujo de corriente,
de valor tan alto, que destruye el diodo y lo hace inservible
No obstante, existe un diodo de silicio, denominado “zener”, que, contrariamente
a lo ya explicado, emplea para su funcionamiento la polarización inversa. Debido a
su construcción especial tiene la propiedad de estabilizar la tensión o voltaje inverso
cuando llega al punto de ruptura y alcanza la región de avalancha (denominada
también “región zener”). De esa forma el alto valor del flujo de corriente que se
origina a partir de ese punto lo aprovecha este diodo para reducir el valor de la
tensión sin que llegue a destruirse como ocurriría con otro diodo común. Por tanto,
mientras otros tipos de diodos de silicio o de germanio tienen que operar
necesariamente por debajo de la tensión de ruptura inversa, el diodo zener puede
soportar esa tensión de operación. Debido a esa característica este diodo se
emplea, comúnmente, como regulador de tensión o voltaje en los circuitos
electrónicos.
Otro diodo que funciona en polarización inversa es el denominado “varicap” o
“varistor”, que se emplea para sintonizar las emisiones de radio y de televisión en
los radiorreceptores y los televisores domésticos en sustitución del antiguo
capacitor variable mecánico.

7. DIODO ZENER
El Diodo Zener siempre se utiliza en polarización inversa, en donde la corriente
desea circular en contra de la flecha que representa el mismo diodo.
1: DESCRIPCIÓN:
En esencia, un diodo zener puede tener la misma apariencia física que un diodo
rectificador común, hoy día existe en el mercado una gran variedad de diodos cuyos
diseños y tamaños pueden confundirnos fácilmente siendo imposible identificar el
uno del otro. Cuando estamos en presencia de un montaje electrónico, el diodo
zener puede ser fácilmente identifido por su forma de conexión, donde se puede
apreciar como a diferencia de los diodos rectificadores comunes, el diodo zener se
conecta en paralelo con la carga y en sentido inverso para que pueda realizar la
función de estabilizador, además siempre estará asociado a las líneas de
alimentación del equipo, aspecto este que lo descarta con facilidad.
El zener como todo diodo semiconductor consta de dos electrodos, el ánodo y
el cátodo, por lo general presentan grabado en su cuerpo la simbología e incluso
especifican muchas veces el voltaje para el que fue diseñado, pero esta grabación
puede borrarse con el paso del tiempo y agravarse más por la manipulación del
dispositivo, cosa esta que impide o dificulta en muchos casos la identificación
eficiente del componente.

8. 2: COMPROBACIÓN CON EL ÓHMETRO
La comprobación del estado físico de un diodo zener no difiere a la de un [diodo
rectificador convencional]], por lo que puede llevarse a cabo de forma similar al de
los diodos rectificadores, el zener como todo diodo rectificador está compuesto por
dos regiones con conductibilidad diferentes, una del tipo P llamada ánodo, y la otra
del tipo N conocida como cátodo, por lo que al aplicar una tensión eléctrica a través
de sus electrodos puede quedar polarizado de dos formas distintas, siendo estas:
a) Polarización directa.
b) Polarización inversa.
El Óhmetro, a través de sus puntas de prueba aplica una tensión continua al
componente bajo prueba, esta tensión provoca que el dispositivo quede polarizado
de manera directa o inversa, si por ejemplo, la punta positiva del instrumento es
aplicada al ánodo del diodo y la punta o terminal negativo al cátodo, estaremos
polarizando el diodo de manera directa, en estas condiciones a través del diodo
pasará una corriente cuya intensidad dependerá de la tensión aplicada a él y de las
propiedades del dispositivo, si se trata de un instrumento analógico este medirá un
valor de resistencia determinado por medio de la aguja y la escala del instrumento.
Si por el contrario se trata de un instrumento digital, éste registrará de inmediato la
lectura de esta resistencia en forma de dígitos. Sin embargo, cuando el diodo es
polarizado de forma inversa, esto sucede cuando la punta de prueba positiva es
aplicada al cátodo y la punta negativa al ánodo, en estas condiciones el dispositivo
presenta una alta resistencia interna lo que produce una circulación de corriente tan
escasa que se considera despreciable, en este caso ambos instrumentos deberán
experimentar mediciones de muy alta resistencia, de no ser así el dispositivo puede
estar dañado.

9. 2: ESTADO FÍSICO
Al comprobar un diodo zener, este puede estar en uno de los siguientes estados:
a) Bueno
b) Abierto
c) Cortocircuito
d) En fuga.
No obstante, el comprobar o verificar el estado de un diodo zener mediante
un óhmetro no nos permite saber el voltaje zener, es decir, el voltaje para el cual
fue construido. Los circuitos que se muestran a continuación te permitirán identificar
este voltaje zener.
3: FUNCIONAMIENTO
El dispositivo cuenta de dos secciones.
Primera: Un oscilador montado sobre el transistor BC 547 del tipo NPN el que se
encuentra realimentado a través del circuito secundario del transformador y cuyo
devanado central se emplea para alimentar el circuito con 6 V, el ajuste del oscilador
se procede a través de la resistencia variable de 10 K, la tensión generada por el
oscilador es inducida al bobinado de 220v, donde posteriormente es rectificada,
filtrada y limitada por medio de las resistencias de 1 Megahomio y 10 Kilos
respectivamente y aplicada al zener, el cual cortará el nivel de voltaje para el cual
está fabricado. Con un voltímetro de tensión continua podremos saber con precisión
el valor de esa tensión.
Segunda: Este dispositivo es mucho más simple que el primero y consta de unos
pocos componentes.

10. 4: LISTADO DE COMPONENTES
R1
470 Ohomios
R V1
Resistencia variable (10 K)
Fuente de alimentación: La fuente de alimentación de corriente directa puede ser
una batería o un transformador que entregue corriente directa, su voltaje estará en
dependencia del voltaje del zener a comprobar, con 25 voltios es posible comprobar
diodos zener de hasta 24 voltios.
Funcionamiento: La batería o fuente de alimentación es la encargada de
suministrar el voltaje de exploración para el diodo zener a pruebas, la resistencia
R1 hace de limitador de corriente, pero forma a la vez junto con la resistencia
variable RV1 un divisor resistivo, cuya tensión resultante es entregada a los puntos
1 y 2, puntos de conexión del diodo a prueba, resulta imprescindible que antes de
comprobar un diodo zener, se chequee la existencia de 0 voltio entre los puntos de
salida 1 y 2, es importante que el voltímetro de corriente directa se conecte tal como
aparece en la figura, de lo contrario el diodo a prueba puede resultar afectado, una
vez que los puntos 1 y 2 se encuentren a 0 voltio, se procede a colocar el diodo
zener según muestra la figura (en sentido inverso) y luego ajustando suavemente
el potenciómetro RV1 se chequeará mediante el voltímetro el voltaje que deberá
ser creciente hasta tanto el diodo zener alcance su tensión zener, es entonces

11. cuando el voltímetro detendrá la lectura a pesar del movimiento del potenciómetro
RV1.La lectura tomada por el voltímetro será el valor de la tensión zener.
Curva característica típica de un diodo
DIODO TUNEL
Es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto
túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo
de la característica corriente-tensión. La presencia del tramo
de resistencia negativa permite su utilización como componente activo
(amplificador/oscilador).
1: DESCUBRIMIENTO
Este diodo fue inventado en 1958 por el físico japonés Leo Esaki, por lo cual recibió
un Premio Nobel en 1973. Descubrió que los diodos semiconductores obtenidos

12. con un grado de contaminación del material básico mucho más elevado que lo
habitual exhiben una característica tensión-corriente muy particular. La corriente
comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensión aplicada hasta
alcanzar un valor máximo, denominado corriente de cresta.
A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensión aplicada, la corriente
comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mínimo, llamado
corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la
corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez más rápido hasta llegar
a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera.
2: EFECTO TUNEL
Los diodos de efecto tunel son dispositivos muy versátiles que pueden operar como
detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una región de juntura
extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con muy bajos
voltajes de polarización directa y tienen una resistencia negativa, esto es, la
corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.
Estos dispositivos presentan una característica de resistencia negativa; esto es, si
aumenta la tensión aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una
disminución de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva
característica del diodo). Este fenómeno de resistencia negativa es útil para
aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales pueden
generar una señal senoidal a partir de la energía que entrega la fuente de
alimentación.
El efecto tunel es un fenómeno nanoscópico por el que una partícula viola los
principios de la mecánica clásica penetrando una barrera potencial o impedancia
mayor que la energía cinética de la propia partícula. Una barrera, en términos
cuánticos aplicados al efecto tunel, se trata de una cualidad del estado energético
de la materia análogo a una "colina" o pendiente clásica, compuesta por crestas y
flancos alternos, que sugiere que el camino más corto de un móvil entre dos o más
flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia si dicho objeto no

13. dispone de energía mecánica suficiente como para imponerse con la salvedad de
atravesarlo.
A escala cuántica, los objetos exhiben un comportamiento ondular; en la teoría
cuántica, un cuanto moviéndose en dirección a una "colina" potencialmente
energética puede ser descrito por su función de onda, que representa la amplitud
probable que tiene la partícula de ser encontrada en la posición allende la estructura
de la curva. Si esta función describe la posición de la partícula perteneciente al
flanco adyacente al que supuso su punto de partida, existe cierta probabilidad de
que se haya desplazado "a través" de la estructura, en vez de superarla por la ruta
convencional que atraviesa la cima energética relativa.
3: DESCRIPCIÓN DEL DIODO TÚNEL
El Diodo tunel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se
produce el efecto tunel que da origen a una conductancia diferencial negativa en
un cierto intervalo de la característica corriente-tensión. Los diodos Tunel son
generalmente fabricados en Germanio, pero también en silicio y arseniuro de galio.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como
componente activo (amplificador/oscilador). Una característica importante del diodo
tunel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de
polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al
aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tunel puede funcionar como
amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un
dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que
están relativamente libres de los efectos de la radiación.
Si durante su construcción a un diodo invertido se le aumenta el nivel de dopado,
se puede lograr que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V. Los diodos
construidos de esta manera, se conocen como diodos tunel. Estos dispositivos
presentan una característica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la tensión
aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminución de la
corriente (por lo menos en una buena parte de la curva característica del diodo).
Este fenómeno de resistencia negativa es útil para aplicaciones en circuitos de alta
frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una señal senoidal a
partir de la energía que entrega la fuente de alimentación.
Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy
rápidamente, cambiando de estado de conducción al de no conducción incluso más
rápido que los diodos Schottky.

14. 4: CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIODO TUNEL
Cuando se aplica una pequeña tensión, el diodo tunel empieza a conducir (la
corriente empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta tensión la corriente
aumentará hasta llegar un punto después del cual la corriente disminuye. La
corriente continuará disminuyendo hasta llegar al punto mínimo de un "valle" y
después volverá a incrementarse. Esta ocasión la corriente continuará aumentando
conforme aumenta la tensión.
Los diodos tunel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv
muy rápidamente, cambiando de estado de conducción al de no conducción incluso
más rápido que los diodos Schottky.
Aplicaciones
Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una
corriente de fuga muy grande cuando están polarizados en reversa. Así estos
diodos sólo encuentran aplicaciones reducidas como en circuitos osciladores de
alta frecuencia.
OTROS TIPOS DE DIODOS
DIODO DETECTOR O DE BAJA SEÑAL
Los diodos detectores también denominados diodos de señal o de contacto puntual,
están hechos de germanio y se caracterizan por poseer una unión PN muy
diminuta. Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con señales pequeñas.
Se emplea por ejemplo, en receptores de radio para separar la componente de alta

15. frecuencia (portadora) de la componente de baja frecuencia (información audible).
Esta operación se denomina detección.
DIODO RECTIFICADOR
Los diodos rectificadores son aquellos dispositivos semiconductores que solo
conducen en polarización directa (arriba de 0.7 V) y en polarización inversa no
conducen. Estas características son las que permite a este tipo de diodo rectificar
una señal.
Los hay de varias capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en
inverso que pueden soportar.
Los diodos, en general se identifican mediante una referencia. En el sistema
americano, la referencia consta del prefijo “1N” seguido del número de serie, por
ejemplo: 1N4004. La “N” significa que se trata de un semiconductor, el “1” indica el
número de uniones PN y el “4004” las características o especificaciones exactas
del dispositivo. En el sistema europeo o continental se emplea el prefijo de dos
letras, por ejemplo: BY254. En este caso, la “B” indica el material (silicio) y la “Y” el
tipo (rectificador). Sin embargo muchos fabricantes emplean sus propias
referencias, por ejemplo: ECG581.
DIODO VARACTOR
El diodo varactor también conocido como diodo varicap o diodo de sintonía. Es un
dispositivo semiconductor que trabaja polarizado inversamente y actúan como
condensadores variables controlados por voltaje. Esta característica los hace muy
útiles como elementos de sintonía en receptores de radio y televisión. Son también
muy empleados en osciladores, multiplicadores, amplificadores, generadores de
FM y otros circuitos de alta frecuencia. Una variante de los mismos son los diodos
SNAP, empleados en aplicaciones de UHF y microondas.

16. DIODO EMISOR DE LUZ (LED’s)
Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje. Cuando esto
sucede, ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la unión NP; si
este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser roja, ámbar,
amarilla, verde o azul dependiendo de su composición.
Los LED’s se especifican por el color o longitud de onda de la luz emitida, la caída
de voltaje directa (VF), el máximo voltaje inverso (VR), la máxima corriente directa
(IF) y la intensidad luminosa. Típicamente VF es del orden de 4V a 5V. Se
consiguen LED’s con valores de IF desdemenos de 20mA hasta más de 100mA e
intensidades desde menos de 0.5mcd (milicandelas) hasta más de 4000mcd. Entre
mayor sea la corriente aplicada, mayor es el brillo, y viceversa. El valor de VF
depende del color, siendo mínimo para LED’s rojos y máximo para LED’s azules.
Los LED’s deben ser protegidos mediante una resistencia en serie, para limitar la
corriente a través de este a un valor seguro, inferior a la IF máxima. También deben
protegerse contra voltajes inversos excesivos. Un voltaje inverso superior a 5V
causa generalmente su destrucción inmediata del LED.
DIODO LÁSER
Los diodos láser, también conocidos como láseres de inyección o ILD’s. Son LED’s
que emiten una luz monocromática, generalmente roja o infrarroja, fuertemente
concentrada, enfocada, coherente y potente. Son muy utilizados en computadoras
y sistemas de audio y video para leer discos compactos (CD’s) que contienen datos,
música, películas, etc., así como en sistemas de comunicaciones para enviar

17. información a través de cables de fibra óptica. También se emplean en marcadores
luminosos, lectores de códigos de barras y otras muchas aplicaciones.
DIODO ESTABILIZADOR
Está formados por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una caída de
tensión correspondiente a su tensión umbral.
Trabajan en polarización directa y estabilizan tensiones de bajo valores similares a
lo que hacen los diodos Zéner.
DIODO PIN
Su nombre deriva de su formación P(material P), I(zona intrínseca)y N(material N)
Los diodos PIN se emplean principalmente como resistencias variables por voltaje
y los diodos Gunn e IMPATT como osciladores. También se disponen de diodos
TRAPATT, BARITT, ILSA, etc.
Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy elevadas, donde la
capacidad de respuesta de los diodos comunes está limitada por su tiempo de
tránsito, es decir el tiempo que tardan los portadores de carga en atravesar la unión
PN. Los más conocidos son los diodos Gunn, PIN e IMPATT.

18. DIODO BACKWARD
Son diodos de germanio que presentan en polarización inversa una zona de
resistencia negativa similar a las de los diodos túnel.
DIODO SCHOTTKY
Los diodos Schottky también llamados diodos de recuperación rápida o de
portadores calientes, están hechos de silicio y se caracterizan por poseer una caída
de voltaje directa muy pequeña, del orden de 0.25V o menos, y ser muy rápidos.
Se emplean en fuentes de potencia, sistemas digitales y equipos de alta frecuencia.
Una variante son los diodos back o de retroceso, los cuales tienen un voltaje de
conducción prácticamente igual a cero, pero también un voltaje inverso de ruptura
muy bajo, lo cual lo limita su uso a aplicaciones muy especiales.
FOTODIODOS
Los fotodiodos son diodos provistos de una ventana transparente cuya corriente
inversa puede ser controlada en un amplio rango regulando la cantidad de luz que
pasa por la ventana e incide sobre la unión PN. A mayor cantidad de luz incidente,
mayor es la corriente inversa producida por que se genera un mayor número de
portadores minoritarios, y viceversa. Son muy utilizados como sensores de luz en
fotografía, sistemas de iluminación, contadores de objetos, sistemas de seguridad,
receptores de comunicaciones ópticas y otras aplicaciones.