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COLEGIO NACIONAL DE EDUCACION TECNICA
DEL ESTADO DE MEXICO
PANTENL TLANELPANTLA 1
UNIDADES DE MEMORIA DIN
Los DIMM (sigla en inglés de dual in-line memory module, traducible como «módulo de
memoria con contactos duales») son, al igual que sus precedentes SIMM, módulos
de memoria RAM que se conectan directamente en las ranuras de la placa de
las computadoras personales y están constituidos por pequeños circuitos impresos que
contienen circuitos integrados de memoria. Los módulos DIMM son reconocibles
externamente por tener cada contacto (o pin) de una de sus caras separadas del opuesto
de la otra, a diferencia de los SIMM en que cada contacto está unido a su opuesto. La
disposición física de los DIMM duplica el número de contactos diferenciados con el bus.
Los módulos DIMM comenzaron a reemplazar a los SIMM como el tipo predominante de
memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium tomaron dominio del mercado.
Un DIMM puede comunicarse con la caché a 64 bits (y algunos a 72 bits), a diferencia de
los 32 bits de los SIMM.
El hecho de que los módulos en formato DIMM sean memorias de 64 bits, explica por qué
no necesitan emparejamiento. Los módulos DIMM poseen circuitos de memoria en ambos
lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual
suma un total de 168 contactos. Además de ser de mayores dimensiones que los módulos
SIMM (130x25 mm), estos módulos poseen una segunda muesca que evita confusiones.
Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su inserción,
gracias a las palancas ubicadas a
ambos lados de cada conector.
También existen módulos más
pequeños, conocidos como SO
DIMM (DIMM de contorno pequeño),
diseñados para computadoras
portátiles. Los módulos SO DIMM
sólo cuentan con 144 contactos en el caso
de las memorias de 64 bits, y con 77
contactos en el caso de las memorias de
32 bits
RIMM, acrónimo de Rambus In-line Memory Module(Módulo de Memoria en Línea Rambus),
designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM,
desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo
de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de
memoria SDRAM de 100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos años.
Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de
trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los
chips del módulo. Se basan en un busde datosde 16 bits y están disponibles en velocidades
de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 MHz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por
su pobre bus de 16 bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de
533MHz tiene un rendimiento similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus latencias
son 10 veces peores que la DDR.
Inicialmente los módulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores basados
en Intel Pentium 4. Rambus no manufactura módulos RIMM sino que tiene un sistema de
licencias para que éstos sean manufacturados por terceros, siendo Samsung el principal
fabricante de éstos.
A pesar de tener la tecnología RDRAM niveles de rendimiento muy superioresa la tecnología
SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo de esta tecnología
no tuvo gran aceptación en el mercado de PC. Su momento álgido tuvo lugar durante el
periodo de introducción del Pentium 4 para el cual se diseñaron las primeras placas base,
pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos más económicos decidió lanzar placas base
con soporte para SDRAM y más adelante para DDR RAM desplazando esta última
tecnología a los módulos RIMM del mercado que ya no ofrecían ninguna ventaja.
No todas las placas base soportan un diseño de una única muesca de DDR RAM y algunos
sólo pueden soportar tipos específicos como PC 2700 o inferior. Un módulo DDR RAM más
rápido seguirá funcionando con una placa base no compatible pero sólo funcionará a una
velocidad menor. La mayoría de las placas base sólo pueden manejar entre 2 y 4 módulos
DDR RAM, así que insertar módulos adicionales no aumentará realmente las velocidades.
También puedes hacer "overclock" en la DDR RAM para que funcione más rápido, aunque
no es algo que los fabricantes de RAM recomienden porque hace que el módulo tenga más
posibilidades de calentarse demasiado y hace que consuma más energía de la fuente de
alimentación de la computadora.
Fueron primero adoptadas de sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con
su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el
avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel
se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir
en precio.
Son
compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un front-side bus de
64 bits de datos y frecuencias de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz.
Los módulos DDR2 funcionan con 4 bits
por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el
ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una tradicional (si una DDR a 200
MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales
entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias
hay un pequeño que es el que guarda la información para luego transmitirla fuera del módulo
de memoria. En el caso de la DDR convencional este buffer tomaba los 2 bits para
transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer
almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin
necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria.
Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3
Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR
convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no
es fácil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para
luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo
de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los módulos de
memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la información.
Se preveía, que la tecnología
DDR3 pudiera ser dos
veces más rápida que la
DDR2 y el alto ancho de
banda que prometía ofrecer
DDR3 era la mejor opción
para la combinación de
un sistema con procesadores (2, 4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más
bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética
más eficientes.
Teóricamente, estos módulos podían transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-
2600 MHz, comparado con el rango del DDR2 de 400-1200 MHz ó 200-533 MHz del DDR.
Existen módulos de memoria de mayor frecuencia pero no estandarizados por .
Si bien las latencias típicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para el estándar , para dispositivos
DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 9-9-9-24 para DDR3-1333.
La JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), empezó a trabajar en el desarrollo
de DDR4 en el, años antes del lanzamiento de DDR3 (2007). Se había previsto terminar la
arquitectura d año 2005e DDR4 para el año 2008, y desde 2007 como decía el futuro
presidente de grupo DRAM del la JEDEC, llegaría a tiempo.
2008
En el año 2008, un invitado de Quimonda (industria alemana de semiconductores) en
el San Francisco Intel Developer Forum anunció al público presente que DDR4 tendría una
arquitectura a 30 nm a 1,2 voltios, con frecuencias de 2133 MHz y que su lanzamiento
sería en 2012. Además añadía que en 2013 esperaba ver módulos funcionando a 1 voltio
con frecuencias de 2667 MHz
Producción
2012
Sus especificaciones finales se dieron a conocer en el segundo semestre de 2011, antes
de que Hynix produjese sus primeras memorias DDR4 SDRAM.
2013
Samsung anunció ese año que había comenzado a producir en masa los primeros
módulos de memoria DDR4 con el proceso de fabricación a 20 nm, permitiendo crear
módulos de 16 GB y 32 GB. El uso de estos nuevos módulos de memoria permitiría a los
servidores empresariales de próxima generación reducir el consumo y a la vez aumentar el
rendimiento del sistema. Estos chips de memoria DDR4 ofrecen una tasa de transferencia
de 2.667 megabits por segundo, más de un 25% superior a los chips DDR3 fabricados a
20 nm y con un consumo un 30% inferior.
Lanzamiento
En 2014, las primeras memorias DDR4 SDRAM fueron lanzadas al mercado, junto a
chipsets y placas base compatible. En el primer trimestre de 2015, los primeros teléfonos
móviles con memoria LPDDR4 fueron presentados, siendo estos el Samsung Galaxy S6,
su variante S6 Edge, el ASUS Zenfone 2 y el LG G Flex 2.
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unidades de memorias dim

  • 1. COLEGIO NACIONAL DE EDUCACION TECNICA DEL ESTADO DE MEXICO PANTENL TLANELPANTLA 1 UNIDADES DE MEMORIA DIN
  • 2. Los DIMM (sigla en inglés de dual in-line memory module, traducible como «módulo de memoria con contactos duales») son, al igual que sus precedentes SIMM, módulos de memoria RAM que se conectan directamente en las ranuras de la placa de las computadoras personales y están constituidos por pequeños circuitos impresos que contienen circuitos integrados de memoria. Los módulos DIMM son reconocibles externamente por tener cada contacto (o pin) de una de sus caras separadas del opuesto de la otra, a diferencia de los SIMM en que cada contacto está unido a su opuesto. La disposición física de los DIMM duplica el número de contactos diferenciados con el bus. Los módulos DIMM comenzaron a reemplazar a los SIMM como el tipo predominante de memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium tomaron dominio del mercado. Un DIMM puede comunicarse con la caché a 64 bits (y algunos a 72 bits), a diferencia de los 32 bits de los SIMM. El hecho de que los módulos en formato DIMM sean memorias de 64 bits, explica por qué no necesitan emparejamiento. Los módulos DIMM poseen circuitos de memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168 contactos. Además de ser de mayores dimensiones que los módulos SIMM (130x25 mm), estos módulos poseen una segunda muesca que evita confusiones. Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su inserción, gracias a las palancas ubicadas a ambos lados de cada conector. También existen módulos más pequeños, conocidos como SO DIMM (DIMM de contorno pequeño), diseñados para computadoras portátiles. Los módulos SO DIMM sólo cuentan con 144 contactos en el caso de las memorias de 64 bits, y con 77 contactos en el caso de las memorias de 32 bits
  • 3. RIMM, acrónimo de Rambus In-line Memory Module(Módulo de Memoria en Línea Rambus), designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos años. Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del módulo. Se basan en un busde datosde 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 MHz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR. Inicialmente los módulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores basados en Intel Pentium 4. Rambus no manufactura módulos RIMM sino que tiene un sistema de licencias para que éstos sean manufacturados por terceros, siendo Samsung el principal fabricante de éstos. A pesar de tener la tecnología RDRAM niveles de rendimiento muy superioresa la tecnología SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo de esta tecnología no tuvo gran aceptación en el mercado de PC. Su momento álgido tuvo lugar durante el periodo de introducción del Pentium 4 para el cual se diseñaron las primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos más económicos decidió lanzar placas base con soporte para SDRAM y más adelante para DDR RAM desplazando esta última tecnología a los módulos RIMM del mercado que ya no ofrecían ninguna ventaja.
  • 4. No todas las placas base soportan un diseño de una única muesca de DDR RAM y algunos sólo pueden soportar tipos específicos como PC 2700 o inferior. Un módulo DDR RAM más rápido seguirá funcionando con una placa base no compatible pero sólo funcionará a una velocidad menor. La mayoría de las placas base sólo pueden manejar entre 2 y 4 módulos DDR RAM, así que insertar módulos adicionales no aumentará realmente las velocidades. También puedes hacer "overclock" en la DDR RAM para que funcione más rápido, aunque no es algo que los fabricantes de RAM recomienden porque hace que el módulo tenga más posibilidades de calentarse demasiado y hace que consuma más energía de la fuente de alimentación de la computadora. Fueron primero adoptadas de sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un front-side bus de 64 bits de datos y frecuencias de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz.
  • 5. Los módulos DDR2 funcionan con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño que es el que guarda la información para luego transmitirla fuera del módulo de memoria. En el caso de la DDR convencional este buffer tomaba los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria. Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3 Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no
  • 6. es fácil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los módulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la información. Se preveía, que la tecnología DDR3 pudiera ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que prometía ofrecer DDR3 era la mejor opción para la combinación de un sistema con procesadores (2, 4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficientes. Teóricamente, estos módulos podían transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800- 2600 MHz, comparado con el rango del DDR2 de 400-1200 MHz ó 200-533 MHz del DDR. Existen módulos de memoria de mayor frecuencia pero no estandarizados por .
  • 7. Si bien las latencias típicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para el estándar , para dispositivos DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 9-9-9-24 para DDR3-1333. La JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), empezó a trabajar en el desarrollo de DDR4 en el, años antes del lanzamiento de DDR3 (2007). Se había previsto terminar la arquitectura d año 2005e DDR4 para el año 2008, y desde 2007 como decía el futuro presidente de grupo DRAM del la JEDEC, llegaría a tiempo. 2008 En el año 2008, un invitado de Quimonda (industria alemana de semiconductores) en el San Francisco Intel Developer Forum anunció al público presente que DDR4 tendría una arquitectura a 30 nm a 1,2 voltios, con frecuencias de 2133 MHz y que su lanzamiento
  • 8. sería en 2012. Además añadía que en 2013 esperaba ver módulos funcionando a 1 voltio con frecuencias de 2667 MHz Producción 2012 Sus especificaciones finales se dieron a conocer en el segundo semestre de 2011, antes de que Hynix produjese sus primeras memorias DDR4 SDRAM. 2013 Samsung anunció ese año que había comenzado a producir en masa los primeros módulos de memoria DDR4 con el proceso de fabricación a 20 nm, permitiendo crear módulos de 16 GB y 32 GB. El uso de estos nuevos módulos de memoria permitiría a los servidores empresariales de próxima generación reducir el consumo y a la vez aumentar el rendimiento del sistema. Estos chips de memoria DDR4 ofrecen una tasa de transferencia de 2.667 megabits por segundo, más de un 25% superior a los chips DDR3 fabricados a 20 nm y con un consumo un 30% inferior. Lanzamiento En 2014, las primeras memorias DDR4 SDRAM fueron lanzadas al mercado, junto a chipsets y placas base compatible. En el primer trimestre de 2015, los primeros teléfonos móviles con memoria LPDDR4 fueron presentados, siendo estos el Samsung Galaxy S6, su variante S6 Edge, el ASUS Zenfone 2 y el LG G Flex 2.