1. Sistemas Basados en
Microprocesadores
Memorias de Datos

2. Memorias de datos
 Los µcontroladores PIC disponen de dos memorias:
 Una volátil de tipo RAM que se utiliza para el procesado
rápido de datos temporales.
 Una no volátil de tipo EEPROM para el almacenamiento
de datos persistentes.
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3. Memoria de datos RAM
 Se utiliza un bus de direccionamiento está de 12 bits
 Se pueden direccionar un máximo de 4KBytes.
 Cada posición de memoria es de 8 bits.
 Está organizada en 16 bancos de 256 posiciones.
 La memoria contiene dos zonas:
 SFR (Special Function Registers): ocupa las últimas 128
posiciones y es usada para el control y estado del
controlador y sus periféricos.
 GPR (General Purpose Registers): ocupa el resto de la
memoria y es utilizada para datos genéricos del
programador.
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4. Memoria de datos RAM (continuación…)
 Modos de direccionamientos
 Direccionamiento directo:
 Por medio del registro BSR<3:0> se selecciona el banco activo, y
en la instrucción se indica los 8 bits de menos peso que
direccionan dentro del banco seleccionado
 En las instrucciones en ensamblador se debe indicar que se hace
uso del direccionamiento directo.
 la instrucción movff siempre utiliza este direccionamiento y se indican
los 12 bits del registro fuente y los 12 bits del registro destino
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5. Memoria de datos RAM (continuación…)
 Modos de direccionamiento (continuación…)
 Direccionamiento de acceso a banco:
 Se crea un banco de memoria especial formado por las 128
primeras posiciones y las 128 últimas posiciones
 Sólo se requieren 8 bits para direccionar, indicados en la propia
instrucción
 Por defecto, las instrucciones utilizan este tipo de direccionamiento
 Simplifica la programación al no tener en cuenta los bancos del
direccionamiento directo
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6. Memoria de datos RAM (continuación…)
 Direccionamiento directo y acceso a banco
Con este bit
(parámetro de las
Registro de instrucciones) se
selección de banco selecciona el tipo
en direccionamiento de direccionamiento
directo
128 primeras posiciones
de la memoria
Banco de acceso
para el
direccionamiento de
acceso a banco
128 últimas posiciones de la
memoria  registros SFR
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7. Memoria de datos RAM (continuación…)
 Modos de direccionamiento (continuación…)
 Direccionamiento indirecto:
 Permite al programador acceder a posiciones de memoria sin
especificarlo en las instrucciones.
 Para indicar la dirección, se utilizan los registros FSRxH:FSRxL
(sólo se usan los 12 bits de menos peso)
 Para el dato, se utiliza el registro INDFx que contendrá el dato del
registro apuntado por FSRxH:FSRxL
 Muy útil para la creación de estructuras de datos como arrays,
pilas…
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8. Memoria de datos RAM (continuación…)
 Direccionamiento indirecto
En la instrucción, se trabaja
sobre el registro INDFx sin
preocuparse de su dirección
Estos registros pueden
ser modificados
aritméticamente; p.e. un
incremento para recoger
un espacio de memoria
Se indica la dirección del registro
sobre el que se va a trabajar
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9. Memoria de datos RAM (continuación…)
 Tabla de registros de propósito específico
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10. Memoria de datos EEPROM
 Se utilizan direcciones de 8 bits
 Se pueden direccionar 256 posiciones
 Cada posición de memoria tiene 8 bits
 Es una memoria persistente y se puede leer y escribir.
 La memoria tiene una vida útil de alrededor de 1.000.000 de
escrituras.
 Registros asociados a la lectura/escritura:
 EEADR (registro de dirección):contiene la dirección sobre la
que se va a leer o escribir.
 EEDATA (registro de dato): contiene el dato a leer o escribir.
 EECON1 (registro de control): configura las operaciones de
lectura y escritura
 EECON2 (registro de seguridad): para evitar falsas escrituras
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11. Memoria de datos EEPROM (continuación…)
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12. Memoria de datos EEPROM (continuación…)
 Proceso de lectura
 La lectura del registro es inmediata.
 Pasos a seguir
1. Se indica la dirección en el registro de dirección EEADR
2. Se configura el registro de control EECON1
3. Se lee el dato del registro de datos EEDATA
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13. Memoria de datos EEPROM (continuación…)
 Proceso de escritura
 El proceso de escritura no es inmediato, sino que se requiere
de un tiempo para que se complete la operación.
 Se utiliza una secuencia de seguridad para evitar falsas
escrituras (número limitado de escrituras de la memoria).
 Este recurso implementa una interrupción por finalización de
escritura (bits EEIP, EEIE, EEIF).
 Pasos a seguir:
1. Se indica la dirección en el registro de dirección EEADR
2. Se escribe el dato en el registro de datos EEDATA
3. Se configura el registro de control EECON1
4. Se implementa la secuencia de seguridad (las interrupciones
deben estar desactivadas)
5. Se espera a que finalice la escritura (bucle de chequeo de bit de
estado o por interrupción)
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14. Memoria de datos EEPROM (continuación…)
 Proceso de escritura (continuación…)
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