TAREA TRANSITORES

1. {
TRANSISTORES
Visita en el Internet algunas compañías que vendan dispositivos electrónicos. Busca
información de la ficha técnica de cinco transistores diferentes, incluye uno JFET y un
MOSFET. Elabora una presentación en Power Point donde muestres la característica de cada
diodo.
Algunas páginas que puedes visitar
http://www.microelectronicash.com/
http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp
http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-15335
Publica tu presentación en: www.slideshare.net
http://www.slideshare.net/jmpax/
Envía la dirección de tu publicación a tu profesor.

2.  Curso: Física Electrónica
 Ciclo: Ingeniería de Sistemas IV
 Alumno: Ebert Alonzo Cohaila Tellez
2015

3. TRANSISTOR
El transistor es un dispositivo electrónico
semiconductor utilizado para producir
una señal de salida en respuesta a otra
señal de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer resistor
(«resistencia de transferencia»).
Actualmente se encuentran prácticamente
en todos los aparatos electrónicos de uso
diario: radios, televisores, reproductores
de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas fluorescentes,
tomógrafos, teléfonos celulares, etc.

4. Existen distintos tipos de transistores, de los cuales la clasificación más
aceptada consiste en dividirlos en transistores de bipolares o BJT (Bipolar
Junction Transistor) y transistores de efecto de campo o FET (Field Effect
Transistor).
La familia de los transistores de efecto de campo es a su vez bastante
amplia, englobando los JFET, MOSFET, MISFET, etc...
TIPOS DE TRANSISTORES

5. Transistor bipolar
Los transistores bipolares surgen de la unión de tres cristales de
semiconductor con dopajes diferentes e intercambiados. Se puede tener
por tanto transistores PNP o NPN.
Tecnológicamente se desarrollaron antes los transistores BJT que los FET.
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica
básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de
galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres
zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando
formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes de
electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o “huecos”
(cargas positivas).
Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In),
Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o
NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica
de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del
mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente
contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más
contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor
dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del
tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y
del comportamiento cuántico de la unión.

6. Transistor de contacto puntual
Llamado también transistor de punta de contacto, fue el
primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en
1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que
la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan,
muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor
y el colector. La corriente de base es capaz de modular la
resistencia que se “ve” en el colector, de ahí el nombre de
“transfer resistor”. Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de
unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desaparecido.

7. Transistor de Unión Unipolar
También llamado de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer
transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material
semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se
establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo
tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra
de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta.
A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a
puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de
puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en
el canal.

8. TRANSISTOR JFET

10. Description
The TPS1110 is a single, low-rDS(on), P-channel enhancement-mode power MOS transistor. The device
features extremely low-rDS(on) values coupled with logic-level gate-drive capability and very low
drain-source leakage current. With a maximum VGS(th) of -0.9 V and an IDSS of only -100 nA, the
TPS1110 is the ideal high-side switch for low-voltage, portable battery-management power-
distribution systems where maximizing battery life is an important concern. The thermal
performance of the 8-pin small-outline (D) package has been greatly enhanced over the standard 8-
pin SOIC, further making the TPS1110 ideally suited for many power applications. For compatibility
with existing designs, the TPS1110 has a pinout common with other P-channel MOSFETs in small-
outline integrated circuit (SOIC) packages. The TPS1110 is characterized for an operating junction
temperature range, TJ, from -40°C to 150°C. The D package is available packaged in standard sleeves
or in taped and reeled formats. When ordering the tape-and-reel format, add an R suffix to the
device type number (e.g., TPS1110DR).Features
•Low rDS(on)...65 m
Typ at VGS = -4.5 V
•High Current Capability
6 A at VGS = -4.5 V
•Logic-Level Gate Drive (3 V Compatible)
VGS(th) = -0.9 V Max
•Low Drain-Source Leakage Current
<100 nA From 25°C to 75°C
at VDS = -6 V
•Fast Switching...5.8 ns Typ td(on)
•Small-Outline Surface-Mount Power Package
TRANSISTOR MOSFET