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Jimmy Torres
Juan Morales
11.G
Memoria flash
   Permite la lectura y escritura de múltiples
    posiciones de memoria en la misma
    operación. Gracias a ello, la tecnología flash,
    siempre mediante impulsos eléctricos
    Contiene una matriz de celdas con
    un transistor evolucionado con dos puertas en
    cada intersección. Tradicionalmente sólo
    almacenan un bit de información. Las nuevas
    memorias flash, llamadas también dispositivos
    de celdas multi-nivel, pueden almacenar más
    de un bit por celda variando el número de
    electrones que almacenan.
Capacidades
Formatos
   * CompactFlash (CF) I y II
    * Memory Stick (MS)
    * MicroSD
    * MiniSD
    * Multi Media Card (MMC)
    * Secure Digital (SD)
    * SmartMedia Card (SM/SMC)
    * xD-Picture Card.
Memoria estática de acceso
aleatorio (SRAM)

 Es un tipo de memoria basada en
  semiconductores que a diferencia de la
  memoria DRAM, es capaz de mantener
  los datos, mientras esté alimentada, sin
  necesidad de circuito de refresco.
 Sin embargo, sí son memorias volátiles,
  es decir que pierden la información si se
  les interrumpe la alimentación eléctrica.
Características
   La memoria SRAM es más cara, pero más
    rápida y con un menor consumo
    (especialmente en reposo) que la
    memoria DRAM.
   Es utilizada, por tanto, cuando es necesario
    disponer de un menor tiempo de acceso, o un
    consumo reducido, o ambos.
   Debido a su compleja estructura interna, es
    menos densa que DRAM, y por lo tanto no es
    utilizada cuando es necesaria una alta
    capacidad de datos, como por ejemplo en la
    memoria principal de los computadores
    personales.
DRAM
   Es un tipo de memoria dinámica de acceso
    aleatorio que se usa principalmente en los módulos
    de memoria RAM y en otros dispositivos,
    como memoria principal del sistema.
   Se denomina dinámica, ya que para mantener
    almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y
    recargarlo, cada cierto período, en un ciclo
    de refresco.
   Su principal ventaja es la posibilidad de construir
    memorias con una gran densidad de posiciones y
    que todavía funcionen a una velocidad alta: en la
    actualidad se fabrican integrados con millones de
    posiciones y velocidades de acceso medidos en
    millones de bit por segundo.
Funcionamiento
   La celda de memoria es la unidad básica de
    cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en
    los sistemas digitales.
   La construcción de la celda define el funcionamiento
    de la misma, en el caso de la DRAM moderna,
    consiste en un transistor de efecto de campo y
    un condensador.
   El principio de funcionamiento básico, es sencillo:
    una carga se almacena en el condensador
    significando un 1 y sin carga un 0. El transistor
    funciona como un interruptor que conecta y
    desconecta al condensador. Este mecanismo puede
    implementarse con dispositivos discretos y de hecho
    muchas memorias anteriores a la época de los
    semiconductores, se basaban en arreglos de celdas
    transistor-condensador.
Memoria de acceso aleatorio

    Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema
    operativo, los programas y la mayoría del software.
   Es allí donde se cargan todas las instrucciones que
    ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo.
   Se denominan «de acceso aleatorio» porque se
    puede leer o escribir en una posición de memoria
    con un tiempo de espera igual para cualquier
    posición, no siendo necesario seguir un orden para
    acceder a la información de la manera más rápida
    posible.
   Durante el encendido del computador, la
    rutina POST verifica que los módulos de memoria
    RAM estén conectados de manera correcta.
Tecnología de la memoria
   72-pin SO-DIMM (no el mismo que un 72-pin SIMM),
    usados por FPM DRAM y EDO DRAM
   100-pin DIMM, usados por printer SDRAM
   144-pin SO-DIMM, usados por SDR SDRAM
   168-pin DIMM, usados por SDR SDRAM (menos
    frecuente para FPM/EDO DRAM en áreas de trabajo y/o
    servidores)
   172-pin MicroDIMM, usados por DDR SDRAM
   184-pin DIMM, usados por DDR SDRAM
   200-pin SO-DIMM, usados por DDR SDRAM
    y DDR2 SDRAM
   204-pin SO-DIMM, usados por DDR3 SDRAM
   240-pin DIMM, usados por DDR2
    SDRAM, DDR3 SDRAM y FB-DIMM DRAM
   244-pin MiniDIMM, usados por DDR2 SDRAM
Memoria de solo lectura
   Es un medio de almacenamiento utilizado en
    ordenadores y dispositivos electrónicos, que
    permite sólo la lectura de la información y no su
    escritura, independientemente de la presencia o
    no de una fuente de energía.
   Los datos almacenados en la ROM no se pueden
    modificar, o al menos no de manera rápida o fácil.
    Se utiliza principalmente para contener el
    firmware (programa que está estrechamente
    ligado a hardware específico, y es poco probable
    que requiera actualizaciones frecuentes) u otro
    contenido vital para el funcionamiento del
    dispositivo, como los programas que ponen en
    marcha el ordenador y realizan los diagnósticos.
Velocidad
   Aunque la relación relativa entre las
    velocidades de las memorias RAM y
    ROM ha ido variando con el tiempo,
    desde el año 2007 la RAM es más
    rápida para la lectura que la mayoría de
    las ROM, razón por la cual el contenido
    ROM se suele traspasar normalmente a
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  • 2. Memoria flash  Permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos  Contiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada intersección. Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información. Las nuevas memorias flash, llamadas también dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar más de un bit por celda variando el número de electrones que almacenan.
  • 4. Formatos  * CompactFlash (CF) I y II * Memory Stick (MS) * MicroSD * MiniSD * Multi Media Card (MMC) * Secure Digital (SD) * SmartMedia Card (SM/SMC) * xD-Picture Card.
  • 5. Memoria estática de acceso aleatorio (SRAM)  Es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco.  Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.
  • 6. Características  La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM.  Es utilizada, por tanto, cuando es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o ambos.  Debido a su compleja estructura interna, es menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de los computadores personales.
  • 7.
  • 8. DRAM  Es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema.  Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco.  Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo.
  • 9. Funcionamiento  La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales.  La construcción de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador.  El principio de funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.
  • 10.
  • 11. Memoria de acceso aleatorio  Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software.  Es allí donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cómputo.  Se denominan «de acceso aleatorio» porque se puede leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la información de la manera más rápida posible.  Durante el encendido del computador, la rutina POST verifica que los módulos de memoria RAM estén conectados de manera correcta.
  • 12. Tecnología de la memoria  72-pin SO-DIMM (no el mismo que un 72-pin SIMM), usados por FPM DRAM y EDO DRAM  100-pin DIMM, usados por printer SDRAM  144-pin SO-DIMM, usados por SDR SDRAM  168-pin DIMM, usados por SDR SDRAM (menos frecuente para FPM/EDO DRAM en áreas de trabajo y/o servidores)  172-pin MicroDIMM, usados por DDR SDRAM  184-pin DIMM, usados por DDR SDRAM  200-pin SO-DIMM, usados por DDR SDRAM y DDR2 SDRAM  204-pin SO-DIMM, usados por DDR3 SDRAM  240-pin DIMM, usados por DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM y FB-DIMM DRAM  244-pin MiniDIMM, usados por DDR2 SDRAM
  • 13.
  • 14. Memoria de solo lectura  Es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y dispositivos electrónicos, que permite sólo la lectura de la información y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de energía.  Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rápida o fácil. Se utiliza principalmente para contener el firmware (programa que está estrechamente ligado a hardware específico, y es poco probable que requiera actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el funcionamiento del dispositivo, como los programas que ponen en marcha el ordenador y realizan los diagnósticos.
  • 15. Velocidad  Aunque la relación relativa entre las velocidades de las memorias RAM y ROM ha ido variando con el tiempo, desde el año 2007 la RAM es más rápida para la lectura que la mayoría de las ROM, razón por la cual el contenido ROM se suele traspasar normalmente a la memoria RAM, desde donde es leída cuando se utiliza.