Se ha denunciado esta presentación.
Utilizamos tu perfil de LinkedIn y tus datos de actividad para personalizar los anuncios y mostrarte publicidad más relevante. Puedes cambiar tus preferencias de publicidad en cualquier momento.
Сканирующая зондовая микроскопияЛекция № 05Принципы работы и устройствосканирующего туннельногомикроскопаСодержание лекции...
2Туннельный эффект(1)(2)(3)(4)Сшиваем и d в точках z = 0 и z = L:/dz
Зависимость туннельного тока от расстояния междуэлектродами(5)(6)(7)(8)(9)
ВАХ туннельного перехода(10)Иллюстрации взяты из книги В. Л. МироноваРис. 4.1 ВАХ туннельного контакта дляметаллических зо...
Устройство сканирующего туннельного микроскопа1 - образец2 - игла3 - сканер4 - система обратной связиРис. 5.1 Схема туннел...
Режимы работыПрофиль строкиизображенияТраектория движениякончика иглыПоверхностьРежим постоянной высотыI,pAX, nmZ,nmX, nmР...
Туннельная спектроскопияВАХРис. 7.1 Спектры локальной проводимости, Si (111). Заимствовано из R. J. Hamers et al., 1986
Картирование работы выходаРис. 8.1. Картирование работы выходадля слоев Gd на поверхности W(110).Буквами a — f отмечены уч...
Литография с помощью сканирующеготуннельного микроскопаРис. 9.1. Структуры выполнены из атомов Fe на поверхности Cu (111)....
Зонды для туннельной микроскопииРис. 10.1. СТМ, игла приготовлена механически,пленка золотаРис. 10.2. АСМ, радиус закругле...
Приготовление зондовРис. 11.1 Срез Pt-Ir проволокиРис. 11.2 Pt-Ir зонд, полученный методомэлектрохимического травленияЭлек...
Массоперенос между зондом и поверхностью образцаРис. 12.1. Миграция атомов меди с поверхности острия, при егоприближении к...
Пьезоэлектрический эффект — эффект возникновения поляризации диэлектрика поддействием механических напряженийОбратный пьез...
Виды пьезосканеровОбратный пьезоэффект: uij= dijkEkuij- тензор деформации, dijk- компоненты тензора пьезоэлектрическихкоэф...
Неидеальность пьезосканеровРис. 15.1 Искажение АСМ-изображениякалибровочной решетки из-за нелинейности сканера.Заимствован...
Как обеспечить перемещение зонда с точностью до 0.001 нм?В зондовом микроскопе для перемещения зонда (или образца) использ...
17Электронная система сканирующего туннельного микроскопаЗадачи электронной системы:1.Измерение и усиление туннельного ток...
Шум туннельного переходаПри нормальных условиях работы СТМ доминирует фликкер шум:S(f) ~ 1/fПри нулевом напряжении и нулев...
Разрешающая способностьТеоретическое выражение для разрешающей способности СТМ(J. Tersoff and D. Hamann. Phys.Rev.B, 31, 8...
Сканирующая туннельная микроскопия на воздухеА = (It(Б) – It(А))/(It(Б) + It(А)), А - асимметрияТуннельный ток в позиции Б...
Вакуумные системы для сканирующей туннельноймикроскопииРис. 21.2 Турбомолекулярный насос. Заимствовано изM.H. Hablanian. V...
АртефактыПричины возникновения артефактов:-Неидеальный пьезосканер;-Специфическая форма зонда;-Работа обратной связи.Рис. ...
Интерпретация изображенийРис. 23.1. Параметры сканирования:туннельный ток100 пА, напряжение400 мВ; ΔH: 0.1 – 0.4 ÅРис. 23....
Исследование реконструкций поверхностейРис. 24.1. Изображение получено при туннельномнапряжении 1 В, туннельным токе 0.11 ...
Туннельная микроскопия полупроводниковРис. 25.1. Фронтальный и боковой вид реконструкции β2(2×4) на поверхности GaAs(001)....
Туннельная микроскопия сверхпроводниковРис. 26.1. СТМ-изображения BaFe1.8Co0.2As2. (a) 100 нм × 100 нм, топография, показы...
Наблюдение диэлектрических образцовМетоды визуализации диэлектрических образцов в СТМ:•напыление металлических и углеродны...
Сканирующий туннельный микроскоп длянизкотемпературных измеренийРис. 28.2 Топографическое изображение Sr2TixRu1-xO4 сх=0.0...
Наблюдение химических реакцийРис. 29.1. Проведение реакции между двумя молекулами йодбензола с образованием дифенила.Заимс...
Наблюдение конформационных переходовИзменение конформацииchlorophyll-aпроисходило при подаченапряжения > 0.8 В.Изображения...
Сканирующая туннельная микроскопияграфенаРис. 31.1. СТМ-изображения графена, один слойатомов углерода. Заимствовано из E. ...
Сканирующая туннельная микроскопия нанотрубокРис. 32.1. На изображении вверху показано, как из кусочка графенаобразуется н...
33Совмещение сканирующей туннельной микроскопии с другими методамиисследования поверхностиРис. 33.1. Дифракционная картина...
Использование одновременно нескольких зондовРис. 34.1. Устройство мультизондового СТМ. Заимствовано изhttp://www.nrl.navy....
35Неупругая туннельная микроскопияРис. 35.1. (a) Зонная диаграмма длятуннельного контакта. ‘a’ – упругоетуннелирование; ‘b...
Модификация зондов для сканирующей туннельноймикроскопииРис. 36.1. Схематическое изображение для туннельного контакта,сост...
37.1. СТМ-головка для высоковакуумногомикроскопа. Модель микроскопаRasterscope UHV STM, DME - Danish MicroEngineering A/SС...
Próxima SlideShare
Cargando en…5
×

лекция 5 в14

850 visualizaciones

Publicado el

  • Sé el primero en comentar

  • Sé el primero en recomendar esto

лекция 5 в14

  1. 1. Сканирующая зондовая микроскопияЛекция № 05Принципы работы и устройствосканирующего туннельногомикроскопаСодержание лекции1. Принципы работы и устройство сканирующего туннельного микроскопа2. Применение сканирующей туннельной микроскопии3. Развитие методов сканирующей туннельной микроскопии
  2. 2. 2Туннельный эффект(1)(2)(3)(4)Сшиваем и d в точках z = 0 и z = L:/dz
  3. 3. Зависимость туннельного тока от расстояния междуэлектродами(5)(6)(7)(8)(9)
  4. 4. ВАХ туннельного перехода(10)Иллюстрации взяты из книги В. Л. МироноваРис. 4.1 ВАХ туннельного контакта дляметаллических зонда и поверхности.Рис. 4.2 Зонная диаграмма дляметаллических зонда и поверхности.
  5. 5. Устройство сканирующего туннельного микроскопа1 - образец2 - игла3 - сканер4 - система обратной связиРис. 5.1 Схема туннельного микроскопа.
  6. 6. Режимы работыПрофиль строкиизображенияТраектория движениякончика иглыПоверхностьРежим постоянной высотыI,pAX, nmZ,nmX, nmРежим постоянного токабез обратной связи обратная связь включена
  7. 7. Туннельная спектроскопияВАХРис. 7.1 Спектры локальной проводимости, Si (111). Заимствовано из R. J. Hamers et al., 1986
  8. 8. Картирование работы выходаРис. 8.1. Картирование работы выходадля слоев Gd на поверхности W(110).Буквами a — f отмечены участкиповерхности с различными видамиреконструкции.Заимствовано из PHYSICAL REVIEW BVOLUME 56, NUMBER 7 15 AUGUST1997-I 3636 R. Pascal, Ch. Zarnitz, M.Bode, and R. Wiesendanger
  9. 9. Литография с помощью сканирующеготуннельного микроскопаРис. 9.1. Структуры выполнены из атомов Fe на поверхности Cu (111). Заимствовано изCrommie, Lutz & Eigler www.almaden.ibm.com/vis/stm/images
  10. 10. Зонды для туннельной микроскопииРис. 10.1. СТМ, игла приготовлена механически,пленка золотаРис. 10.2. АСМ, радиус закругления иглы ~ 30 нм,пленка золотаРис. 10.3. Игла с 4 миниостриями, поверхность графита
  11. 11. Приготовление зондовРис. 11.1 Срез Pt-Ir проволокиРис. 11.2 Pt-Ir зонд, полученный методомэлектрохимического травленияЭлектролит :20 мл насыщенного раствора CaCl220 мл HCl (3.3 (вес. %))2 мл ацетонаРежимы травления:1) переменный ток, 4.3 В2) импульсы 100 мс, 4.3 ВA.H. Sorensen et al., 1999
  12. 12. Массоперенос между зондом и поверхностью образцаРис. 12.1. Миграция атомов меди с поверхности острия, при егоприближении к золотой поверхности. Заимствовано изElectrochimica Acta Volume 43, Issues 19–20, 16 June 1998, Pages2751–2760 D.M Kolb, R Ullmann, J.C ZieglerРис. 12.2. Массив точек меди, полученный с помощью зондовойнанолитографии. Заимствовано из Electrochimica Acta Volume 43,Issues 19–20, 16 June 1998, Pages 2751–2760 D.M Kolb, R Ullmann,J.C Ziegler
  13. 13. Пьезоэлектрический эффект — эффект возникновения поляризации диэлектрика поддействием механических напряженийОбратный пьезоэлектрический эффект (возникновение механических деформацийпод действием электрического поля) широко используется в зондовой микроскопии.Прямой эффект открыт в 1880 г. Жаком и Пьером Кюри.Обратный эффект теоретически открыт в 1881 г. Липпманом, экспериментальнопоказан Жаком и Пьером Кюри.Пьезоэффект наблюдается только в кристаллах без центра симметрии.ПьезоэффектРис. 13.1. Схематичные изображения, поясняющие продольный (а) и поперечный (б) пьезоэффекты. F — векторсилы, P — вектор поляризации. Заимствовано из http://masters.donntu.edu.ua/2012/feht/serokurova/library/article5.htm
  14. 14. Виды пьезосканеровОбратный пьезоэффект: uij= dijkEkuij- тензор деформации, dijk- компоненты тензора пьезоэлектрическихкоэффициентов, Ek- компоненты электрического поля.Рис. 14.1 ТриподРис. 14.2. БиморфРис. 14.3 Трубчатый пьезосканер+X- X+Y- Y+Z- ZИллюстрации взяты из книги В.Л. Миронова. Основы сканирующей зондовой микроскопии, Техносфера, 2004.
  15. 15. Неидеальность пьезосканеровРис. 15.1 Искажение АСМ-изображениякалибровочной решетки из-за нелинейности сканера.Заимствовано из http://www.spmtips.com/tgx1. Нелинейность — при большихуправляющих напряженияхзависимость изменения размеровпьезокерамики от приложенногонапряжения перестает бытьлинейной.2. Крип — пьезокерамикареагирует на изменениенапряжения с запаздыванием, чтоприводит к искажению деталейповерхности.3. Гистерезис — неоднозначностьзависимости изменения размеровпьезокерамики от направленияизменения электрического поля.Эти недостатки устраняются спомощью калибровки сканеров ифункций программногообеспечения.
  16. 16. Как обеспечить перемещение зонда с точностью до 0.001 нм?В зондовом микроскопе для перемещения зонда (или образца) используетсяобратный пьезоэффект. Например в случае пьезокерамической пластины, еетолщина ΔD изменяется прямо пропорционально приложенному к ее сторонамнапряжению ΔU):ΔD = d33ΔU, d33 – пьезоэлектрический модуль.Для керамики с пьезоэлектрическим модулем d33 = 200 10⋅ -12м/В необходимоприложить 5 мВ для изменения размеров пластины на 0.001 нм.Зонд будет сам изменять свои размеры при изменении температуры.Линейный коэффициент температурного расширения платины 9 10⋅ -6К-1. Игларазмером 1 см удлинится на ~10 нм при изменении температуры на 0.1 К.Даже если температура постоянна, то положение атома на кончике иглыменяется из-за тепловых колебаний. Например, в кристаллической решеткеамплитуды тепловых колебаний атомов составляют от 0.002 нм до 0.015 нмпри комнатной температуре.
  17. 17. 17Электронная система сканирующего туннельного микроскопаЗадачи электронной системы:1.Измерение и усиление туннельного тока;2.Реализация работы обратной связи;3.Обеспечение развертки по X и Y;4.Предварительная обработка и передача данных на ПС пользователя.Схема работы обратной связи:
  18. 18. Шум туннельного переходаПри нормальных условиях работы СТМ доминирует фликкер шум:S(f) ~ 1/fПри нулевом напряжении и нулевом среднем токе в СТМ наблюдается белыйшум:S = 4kBTR,где R – эквивалентное сопротивление туннельного контакта.Сканирующий шумовой микроскоп – обратная связь строится позависимости шума тока от ширины туннельного зазора, которая являетсяаналогичной зависимости туннельного тока от ширины туннельного зазора.
  19. 19. Разрешающая способностьТеоретическое выражение для разрешающей способности СТМ(J. Tersoff and D. Hamann. Phys.Rev.B, 31, 805,(1985)):Где λ – разрешение в латеральном направлении, R – радиус закругленияострия зонда, s – толщина зазора, A – константа, равная 1.025 Å-1eV-1/2, Φ –средняя высота туннельного барьера.Для иглы с радиусом закругления кончика 10 Å, и толщины зазора ~ 5 Å,разрешение составит 5 Å.
  20. 20. Сканирующая туннельная микроскопия на воздухеА = (It(Б) – It(А))/(It(Б) + It(А)), А - асимметрияТуннельный ток в позиции Б больше, чем в позиции А(при Ut = 100 мВ А = 0.2, It(Б)/It(А) = 3/2)(D. Tomanek et al., 1987)C/2=3.35a=2.46АБРис. 20.1СТМ-изображение поверхности графита.Заимствовано из www.chem.arizona.eduРис. 20.2 Схема кристаллической решетки графита.Параметры элементарной ячейки указаны в ангстремах.
  21. 21. Вакуумные системы для сканирующей туннельноймикроскопииРис. 21.2 Турбомолекулярный насос. Заимствовано изM.H. Hablanian. Vacuum. 82 (1), 2007, 61–65Рис. 21.1 СТМ (Autoprobe VP, Park Scientific Instruments), работающийв высоком вакууме, совмещенный с установкой для молекулярно-лучевой эпитаксии (Riber 1000).Заимствовано из http://www.hlphys.jku.at/groupsites/iv-vi/facilities/iv-vi_facimages.htm
  22. 22. АртефактыПричины возникновения артефактов:-Неидеальный пьезосканер;-Специфическая форма зонда;-Работа обратной связи.Рис. 22.1 Пилообразный профиль строки Рис. 22.2 Автогенерация на границах частицзолотаРис. 22.3 Влияние формы иглы на изображение Рис. 22.4 Удвоение ступеней
  23. 23. Интерпретация изображенийРис. 23.1. Параметры сканирования:туннельный ток100 пА, напряжение400 мВ; ΔH: 0.1 – 0.4 ÅРис. 23.2. Параметры сканирования:туннельный ток 100 пА, напряжение40 мВ; ΔH: 0.4 – 0.8 ÅРис. 23.3. Параметры сканирования:туннельный ток 1000 пА,напряжение40 мВ; ΔH: -0.8 – -0.3 ÅДислокационные сетки на поверхности графита, наблюдаемые вСТМ при различных параметрах сканирования.
  24. 24. Исследование реконструкций поверхностейРис. 24.1. Изображение получено при туннельномнапряжении 1 В, туннельным токе 0.11 нА.Заимствовано из A. CHENG, 2000Поверхность кремния (111) с реконструкцией 7х7. СТМ изображения,полученные при различных параметрах сканированияРис. 24.2. Изображение получено при туннельномнапряжении -1 В, туннельном токе 0.11 нА.Заимствовано из A. CHENG, 2000
  25. 25. Туннельная микроскопия полупроводниковРис. 25.1. Фронтальный и боковой вид реконструкции β2(2×4) на поверхности GaAs(001). Закрашенные кружкисоответствуют атомам As, пустые кружки – атомам Ga.Элементарная ячейка (2×4) заштрихована. (b) СТМ-изображения заполненных состояний для поверхностиGaAs(001)-β2 (2×4). Заимствовано из B.A Joyce, D.DVvedensky, G.R Bell, J.G Belk, M Itoh, T.S Jones. MaterialsScience and Engineering: B. Volume 67, Issues 1–2, 8December 1999, Pages 7–16Рис. 25.2. СТМ-изображение поверхности арсенида галлия(Ga-сторона) с реконструкциями 5×5 и 6×4. Террасыразделяют двухслойные атомные ступени. Толщина бислоя2.59 Å. R1, R2, и R3 обозначают три различных домена соструктурой 6×4, повернутые относительно друг друга.Напряжение = −1 В; туннельный ток = 0.075 нА.Заимствовано из A.R Smith, R.M Feenstra, D.W Greve, M.-SShin, M. Skowronski, J Neugebauer, J.E Northrup. SurfaceScience, Volume 423, Issue 1, 1 March 1999, Pages 70–84
  26. 26. Туннельная микроскопия сверхпроводниковРис. 26.1. СТМ-изображения BaFe1.8Co0.2As2. (a) 100 нм × 100 нм, топография, показывающая примесные атомы,как белые точки. (b) Вставка с увеличенным изображением, показывающая изображение с атомным разрешениемдля реконструкции поверхности 2×1. (c) и (d) dI/dV – изображения, полученные для энергии 5 мэВ, на которомвидны вихри, как синие области, в которых понижена проводимость, при магнитном поле 9Т и 6Т соответственно.Заимствовано изhttp://hoffman.physics.harvard.edu/research/STMresearch.php
  27. 27. Наблюдение диэлектрических образцовМетоды визуализации диэлектрических образцов в СТМ:•напыление металлических и углеродных пленок•использование тонкой водяной пленки на образце•низкотоковый СТМ•применение больших туннельных напряженийРис. 27.1 СТМ-изображение ДНК плазмиды pUC18 наповерхности слюды. Туннельный ток 0.5 пА,напряжение -7В, относительная влажность 65%.Заимствовано из R. Guckenberger et al. Science 266,1994, 1538-1540.
  28. 28. Сканирующий туннельный микроскоп длянизкотемпературных измеренийРис. 28.2 Топографическое изображение Sr2TixRu1-xO4 сх=0.00125: Белая решетка – это SrO. Черныекрестообразные дефекты – это атомы титана,расположенные на один слой ниже поверхности. а) 12 нм х12 нм, б) 3.5 нм х 3.5 нм. Изображения получены при токе0.1 нА и напряжении 100 мВ. Заимствовано из B.I. Barker etal. / Physica B 329–333 (2003) 1334–1335Рис. 28.1 Пример криогенной системы для СТМ-измерений.Заимствовано из S. Zoephel, Der Aufbau einesTieftemperatur-Rastatunnelmikroskops und Struktu-runtersuchungen auf vicinalen Kupferoberflaechen, Ph.D.thesis, Freie Universität, Berlin, 2000.
  29. 29. Наблюдение химических реакцийРис. 29.1. Проведение реакции между двумя молекулами йодбензола с образованием дифенила.Заимствовано из S.-W. Hla et al., 2000
  30. 30. Наблюдение конформационных переходовИзменение конформацииchlorophyll-aпроисходило при подаченапряжения > 0.8 В.Изображения заимствованыиз Violeta Iancu et al., 2006
  31. 31. Сканирующая туннельная микроскопияграфенаРис. 31.1. СТМ-изображения графена, один слойатомов углерода. Заимствовано из E. Stolyarovaet al., 2007.Рис. 31.2. СТМ-изображения тонкослойногографита, приблизительно пять слоев атомовуглерода. Заимствовано из E. Stolyarova et al.,2007.
  32. 32. Сканирующая туннельная микроскопия нанотрубокРис. 32.1. На изображении вверху показано, как из кусочка графенаобразуется нанотрубка. Внизу схема иллюстрирует связь междувекторами решетки в графене и направлением оси трубки. Взависимости от угла закрутки нанотрубки могут быть металлами илиполупроводниками. Условия для металлических нанотрубок: n-m=3k, гдеk – целое число. Заимствовано из Teri W Odom, Jin-Lin Huang andCharles M Lieber. J. Phys.: Condens. Matter 14 (2002) R145–R167Рис. 32.2. а) СТМ-изображения пучка из углеродныхнанотрубок, b) Спектры проводимости для различныхнанотрубок типа зигзаг, с) – Сопоставлениеэкспериментальных данных с расчетом. Заимствованоиз Teri W Odom, Jin-Lin Huang and Charles M Lieber. J.Phys.: Condens. Matter 14 (2002) R145–R167
  33. 33. 33Совмещение сканирующей туннельной микроскопии с другими методамиисследования поверхностиРис. 33.1. Дифракционная картина дляповерхности 6H-SiC(000-1) после графитизации,поучена методом дифракциинизкоэнергетических электронов. Кружокобозначает рефлексы для (1 × 1) SiC, белыестрелки обозначают рефлексы (3×3) SiC,розовые стрелки показывают слабые рефлексыSiC(2 × 2) C. Пунктирная линия показываеткольцо, соответствующее графену.Заимствовано из Tiberj et al . NanoscaleResearch Letters 2011, 6:171Рис. 33.2. СТМ-изображения поверхности 6H-SiC(000-1) послеграфитизации (a) 300 нм × 300 нм, в правой части изображения графенмонослойный. (b) 150 нм × 150 нм – увеличенное изображение верхнегоправого угла изображения в (а). (c) 50 нм × 50 нм – бислойный имонослойный графен. Виден муар с периодом 4 нм, что указывает натурбостратное строение бислоя. (d) 300 нм × 300 нм – показанораспределение островков графена различной слойности на поверхности.Заимствовано из Tiberj et al . Nanoscale Research Letters 2011, 6:171
  34. 34. Использование одновременно нескольких зондовРис. 34.1. Устройство мультизондового СТМ. Заимствовано изhttp://www.nrl.navy.mil/nanoscience/MultiprobeSTMInstrumentLab.phpРис. 34.2. а Электронно-микроскопическое изображениечетырех зондов из нанотрубок, покрытых PtIr. bЗависимость сопротивления от расстояния между зондамиВ и С, измеренная четырехзондовым методом. На вставкепоказана зависимость тока, протекающего между зондами Аи D от приложенного напряжения между зондами В и С, прирасстоянии между последними зондами 1.8 мкм.Заимствовано из H. Konishi et al. REVIEW OF SCIENTIFICINSTRUMENTS 78, 013703, 2007.
  35. 35. 35Неупругая туннельная микроскопияРис. 35.1. (a) Зонная диаграмма длятуннельного контакта. ‘a’ – упругоетуннелирование; ‘b’ – неупругоетуннелирование. (b) Соответствующиезависимости I(V), dI/dV и d2I/dV2.Рис. 35.2. Топографические СТМ-изображения, показывающие молекулы C2H4 и O2адсорбированные на поверхности Ag (110) и спектры неупругой электроннойтуннельной спектроскопии, записанные в указанных на изображениях точках.Изображения получены при напряжении 70 мВ, токе 1 нА при 13 К. (a). Молекулынаходятся на расстоянии 1.45 нм, размеры кадры 3.4 нм х 3.4 нм. (b) Схематическоеизображение, поясняющее данные СТМ в (а). Молекула ацетилена была сдвинута кмолекуле кислорода при подаче импульса напряжения 250 мВ. (c) СТМ-изображениеобразовавшегося комплекса, размер изображение 2.3 нм х 2.3 нм. (d) Схематическоеизображение, поясняющее (с).(е) Спектры, полученные методом неупругой электронной туннельной спектроскопии вуказанных на изображениях (а) и (с) точках, после вычитания фона, записанного начистой поверхности серебра. Заимствовано из J. R. Hahn and W. Ho. PHYSICALREVIEW B 80, 165428, 2009
  36. 36. Модификация зондов для сканирующей туннельноймикроскопииРис. 36.1. Схематическое изображение для туннельного контакта,состоящего из зонда с молекулой на острие и металлическойповерхности с молекулярным адсорбатом. (a) Состояния дляадсорбированных молекул на поверхности могут наблюдаться, еслиони соответствуют по энергии занятым состояниям молекуле накончике зонда (а), в противном случае состояния дляадсорбированных молекул не наблюдаются (b). Заимствовано из Ye-liang Wang, Zhi-hai Cheng, Zhi-tao Deng, Hai-ming Guo, Shi-xuan Du, andHong-jun Ga. Chimia 66 (2012) 31–37Рис. 36.2. Топографические СТМ-изображения длямонослоя фталоцианина цинка на поверхности Au(111). (a)Структура фталоцианина цинка. (b) Высшая занятаямолекулярная орбиталь для свободной молекулыфталоцианина цинка. (c) и (e) изображения получены спустой вольфрамовой иглой. (d) и (f) изображения полученыс вольфрамовой иглой, модифицированной молекулойкислорода. Параметры сканирования U = –1.6 В, I = 0.05нА. Метка – 1 нм. Заимствовано из Ye-liang Wang, Zhi-haiCheng, Zhi-tao Deng, Hai-ming Guo, Shi-xuan Du, and Hong-jun Ga. Chimia 66 (2012) 31–37
  37. 37. 37.1. СТМ-головка для высоковакуумногомикроскопа. Модель микроскопаRasterscope UHV STM, DME - Danish MicroEngineering A/SСовременное оборудование для сканирующейтуннельной микроскопии37.2. СТМ-головка для микроскопа, работающего навоздухе. Модель микроскопа ФемтоСкан, Центрперспективных технологий

×