U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z...
TransistorJEFTEl transistor JFET (Junction Field EfectTransistor, que se traduce comotransistor de efecto de campo) es und...
FUNCIONAMIENTO BÁSICOTienen tres terminales, denominadaspuerta (gate), drenador (drain) y fuente(source). La puerta es la ...
CARACTERÍSTICASEste tipo de transistor se polariza demanera diferente al transistorbipolar. La terminal de drenaje sepolar...
TransistorMOSFETSon las siglas de Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor.Consiste en un transistor de efecto dec...
FUNCIONAMIENTOUn transistor MOSFET consiste en unsustrato de material semiconductordopado en el que, mediante técnicasde d...
CARACTERÍSTICASExisten dos tipos de transistoresMOS:• MOSFET de canal N o NMOSy• MOSFET de canal P o PMOS.A su vez, estos ...
TransistorFETUn transistor de efecto campo (FET)típico está formado por una barritade material p ó n, llamada canal,rodead...
FUNCIONAMIENTOEntre las zonas de funcionamiento están:• ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zonael transistor se comporta como u...
CARACTERÍSTICASPuesto que hay una tensión positiva entre eldrenador y el surtidor, los electrones fluirándesde el surtidor...
Transistor bipolar deunión (BJT)El transistor de unión bipolar (del inglés BipolarJunction Transistor, o sus siglas BJT) e...
FUNCIONAMIENTOEn una configuración normal, launión emisor-base se polariza endirecta y la unión base-colector eninversa. D...
CARACTERÍSTICASUn transistor de unión bipolarconsiste en tres regionessemiconductoras dopadas: laregión del emisor, la reg...
TransistorMESFETMESFETMESFET significa transistorde efecto de campo de metalsemiconductor . Es muy similar aunJFET en la c...
CARACTERÍSTICASNumerosas posibilidades de fabricación MESFETse han explorado para una amplia variedad desistemas de semico...
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  1. 1. U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  2. 2. TransistorJEFTEl transistor JFET (Junction Field EfectTransistor, que se traduce comotransistor de efecto de campo) es undispositivo electrónico activounipolar.U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  3. 3. FUNCIONAMIENTO BÁSICOTienen tres terminales, denominadaspuerta (gate), drenador (drain) y fuente(source). La puerta es la terminalequivalente a la base del BJT. El transistorde efecto de campo se comporta como uninterruptor controlado por tensión, dondeel voltaje aplicado a la puerta permitehacer que fluya o no corriente entredrenador y fuente.U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  4. 4. CARACTERÍSTICASEste tipo de transistor se polariza demanera diferente al transistorbipolar. La terminal de drenaje sepolariza positivamente con respectoal terminal de fuente (Vdd) y lacompuerta se polarizanegativamente con respecto a lafuente (-Vgg).Al hacer un barrido en corrientedirecta, se obtienen las curvascaracterísticas del transistor JFET. Lascurvas características típicas paraestos transistores se encuentran enla imagen, nótese que se distinguentres zonas importantes: la zonaóhmica, la zona de corte y la zona desaturación.U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  5. 5. TransistorMOSFETSon las siglas de Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor.Consiste en un transistor de efecto decampo basado en la estructura MOS. Esel transistor más utilizado en la industriamicroelectrónica. La práctica totalidad delos circuitos integrados de uso comercialestán basados en transistores MOSFET.U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  6. 6. FUNCIONAMIENTOUn transistor MOSFET consiste en unsustrato de material semiconductordopado en el que, mediante técnicasde difusión de dopantes, se crean dosislas de tipo opuesto separadas por unárea sobre la cual se hace crecer unacapa de dieléctrico culminada por unacapa de conductor.U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  7. 7. CARACTERÍSTICASExisten dos tipos de transistoresMOS:• MOSFET de canal N o NMOSy• MOSFET de canal P o PMOS.A su vez, estos transistorespueden ser de acumulación(enhancement) o deplexion(deplexion); en la actualidad lossegundos están prácticamenteen desuso y aquí únicamenteserán descritos los MOS deacumulación también conocidoscomo de enriquecimiento.U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  8. 8. TransistorFETUn transistor de efecto campo (FET)típico está formado por una barritade material p ó n, llamada canal,rodeada en parte de su longitud porun collar del otro tipo de materialque forma con el canal una unión p-n.En los extremos del canal se hacensendas conexiones óhmicas llamadasrespectivamente sumidero (d-drain)y fuente (s-source), más unaconexión llamada puerta (g-gate) enel collar.U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  9. 9. FUNCIONAMIENTOEntre las zonas de funcionamiento están:• ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zonael transistor se comporta como unaresistencia variable dependiente delvalor de VGS. Un parámetro queaporta el fabricante es la resistenciaque presenta el dispositivo para VDS=0(rds on), y distintos valores de VGS.• ZONA DE SATURACIÓN: En esta zonaes donde el transistor amplifica y secomporta como una fuente decorriente gobernada por VGS• ZONA DE CORTE: La intensidad dedrenado es nula (ID=0).U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  10. 10. CARACTERÍSTICASPuesto que hay una tensión positiva entre eldrenador y el surtidor, los electrones fluirándesde el surtidor al drenador (o viceversasegún la configuración del mismo), aunque hayque notar que también fluye una corrientedespreciable entre el surtidor (o drenador) y lapuerta, ya que el diodo formado por la unióncanal – puerta, esta polarizado inversamente.En el caso de un diodo polarizado en sentidoinverso, donde inicialmente los huecos fluyenhacia la terminal negativa de la batería y loselectrones del material N, fluyen hacia elterminal positivo de la misma. Loanteriormente dicho se puede aplicar altransistor FET, en donde, cuando se aumentaVDS aumenta una región conempobrecimiento de cargas libresU N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  11. 11. Transistor bipolar deunión (BJT)El transistor de unión bipolar (del inglés BipolarJunction Transistor, o sus siglas BJT) es undispositivo electrónico de estado sólidoconsistente en dos uniones PN muy cercanas entresí, que permite controlar el paso de la corriente através de sus terminales. La denominación debipolar se debe a que la conducción tiene lugargracias al desplazamiento de portadores de dospolaridades (huecos positivos y electronesnegativos), y son de gran utilidad en gran númerode aplicaciones; pero tienen ciertosinconvenientes, entre ellos su impedancia deentrada bastante baja.U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  12. 12. FUNCIONAMIENTOEn una configuración normal, launión emisor-base se polariza endirecta y la unión base-colector eninversa. Debido a la agitacióntérmica los portadores de carga delemisor pueden atravesar la barrerade potencial emisor-base y llegar ala base. A su vez, prácticamentetodos los portadores que llegaronson impulsados por el campoeléctrico que existe entre la base yel colector.U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  13. 13. CARACTERÍSTICASUn transistor de unión bipolarconsiste en tres regionessemiconductoras dopadas: laregión del emisor, la región dela base y la región del colector.Estas regionesson, respectivamente, tipoP, tipo N y tipo P en un PNP, ytipo N, tipo P, y tipo N en untransistor NPN. Cada región delsemiconductor está conectadaa un terminal, denominadoemisor (E), base (B) o colector(C), según corresponda.U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  14. 14. TransistorMESFETMESFETMESFET significa transistorde efecto de campo de metalsemiconductor . Es muy similar aunJFET en la construcción yterminología. La diferencia es que enlugar de utilizar una unión pn parauna puerta, una Schottky ( de metal -semiconductor ) unión se utiliza.MESFET se construyen normalmenteen las tecnologías desemiconductores compuestos quecarecen de pasivación de alta calidadde la superficie.U N I V E R S I D A D P R I V A D A T E L E S U PA D M I S I O N 2 0 1 2 – I V C I C L O / 2 D OM E SQ U I S P E A L O N Z O , I S A B E L D E L P I L A RI N G . D E S I S T E M A S E I N F O R M Á T I C AC U R S O : F í s i c a E l e c t r ó n i c aA B R I L D E L 2 0 1 3 .
  15. 15. CARACTERÍSTICASNumerosas posibilidades de fabricación MESFETse han explorado para una amplia variedad desistemas de semiconductores. Algunas de lasprincipales áreas de aplicación son:• Comunicaciones militares• Como amplificador de ruido bajo extremodelantero de los receptores de microondas enlos dos militares de radar y dispositivos decomunicación.• Comercial optoelectrónica• Comunicaciones por satélite• Como amplificador de potencia para la etapa desalida de los enlaces de microondas.• Como un oscilador de potencia.

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