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Departamento de Electricidad y Electrónica
Plan de Estudios de Ingeniería Electrónica
Laboratorio de Electrónica I
Práctica Nº 4: “POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES”
OBJETIVOS:
1. Evaluar e interpretar características fundamentales de transistores BJT.
2. Analizar un transistor bipolar, respecto de la medición de sus terminales.
3. Verificar la polarización y Zonas de trabajo del transistor BJT.
4. Medir el punto Q de operación del transistor.
5. Observar el comportamiento del transistor en las zonas de corte y saturación.
6. Polarizar un transistor BJT npn para ubicar su punto de operación en la región activa,
utilizando los circuito de polarización fija y divisor de voltaje.
7. Comprobar experimentalmente el nivel de estabilidad del punto de operación Q de un
transistor BJT npn debido a los cambios de temperatura y los parámetros internos del
dispositivo.
PREGUNTAS PREVIAS:
1. ¿Explique el procedimiento a seguir para determinar el estado, tipo de transistor e
Identificar cada uno de los terminales de los transistores bipolares?
2. ¿Cuáles son las zonas de trabajo que tiene el transistor?
3. ¿De qué depende la corriente de colector en la FIG 2?
4. ¿De qué depende la corriente de colector en la FIG 3?
5. ¿Por qué se utiliza una resistencia en emisor (Re) para estabilizar el punto Q?
6. Determine la ICSAT o ICmax y VCE max . Calcule los valores para ICQ y VCEQ en cada uno de
lo circuitos.
7. ¿Al aumentar la temperatura en el transistor qué efecto se produce sobre la corriente
de colector, y sobre la corriente de base?.
8. Realice la simulación de cada uno de los circuitos diseñado. Mida el voltaje de colector
a emisor, la corriente de colector y la corriente de base. Mida los voltajes en la base,
en el emisor y en el colector.
EQUIPO NECESARIO:
1 Protoboard
1 Fuente de voltaje Regulada
1 DVM
1 Punta de prueba para DVM
1 Generador de señal con su respectiva punta de prueba
1 Osciloscopio cos sus respectivas puntas de prueba
1 Secador (traerlo los estudiantes)
Departamento de Electricidad y Electrónica
Plan de Estudios de Ingeniería Electrónica
Laboratorio de Electrónica I
Práctica Nº 4: “POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES”
COMPONENTES NECESARIOS:
1 Resistencias de 100, 1k, 6.8k, 8.2k, 36k, 56k, 100K, otras de 1/2 de watt
1 2n3904, 2n3906, Tip 41, Tip 42
3 Transistor 2n2222
1 Potenciómetro de 50K y 100K para montaje en protoboards
NOTA:
 No olvide utilizar su bata blanca y procurar zapatos de gomas como calzado en el
laboratorio
 No olvide sus herramientas de trabajo. (Pinzas, pelacables, cables etc.)
 Al inicio de la práctica deben presentar la solución de las preguntas previas, además
de presentar las simulaciones de todos los circuitos (como método de estudio).
 Es necesario que tenga presente la forma en que vienen interconectados los
diferentes contactos de los "protoboards" y cómo realizar conexiones en ellos.
DEBEN PRESENTARSE FOTOCOPIAS DE LAS HOJAS DE DATOS DEL FABRICANTE
DE LOS DIFERENTES DISPOSITIVOS A UTILIZAR EN LA PRÁCTICA. CUALQUIER
INCONVENIENTE CON LAS MEDICIONES DEBE SER CONSULTADO CON EL
PROFESOR.
PROCEDIMIENTO:
TERMINALES DE TRANSISTORES NPN y PNP
1. Mida el transistor con tester en escala de diodo. Concluya finalmente el tipo de
transistor y el nombre de cada uno de los terminales para cada uno de los transistores
listados en la tabla de elementos.
2. Utilizando el Multímetro determine el β de cada uno de los elementos. De que otra
forma se puede determinar este parámetro.
Departamento de Electricidad y Electrónica
Plan de Estudios de Ingeniería Electrónica
Laboratorio de Electrónica I
Práctica Nº 4: “POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES”
3. Mediante el manual técnico consulte la asignación de terminales y compruebe con lo
obtenido en forma práctica e indique además las características más importantes de
cada uno de ellos.
ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR BJT
0
Q1
Q2N2222
Vcc
5V
FIG 1
Vbb
RC
100
0RB
10k
0
4. Implemente el circuito de la Fig 1. Ajuste el voltaje Vbb (entre 0 Volts y 10 Volts) y con
el multimetro mida los voltajes entre colector y emisor Vce; el voltaje en la resistencia
RB, el voltaje en la resistencia RC para completar la siguiente tabla (agregue las filas
necesarias para completar hasta 10V).
Vbb V(RC) V(RB) Vce Vbe
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Departamento de Electricidad y Electrónica
Plan de Estudios de Ingeniería Electrónica
Laboratorio de Electrónica I
Práctica Nº 4: “POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES”
5. Con los valores obtenidos en la tabla anterior, determine el estado o zona en que está
trabajando el transistor (Activa, saturación o corte) para cada fila de la tabla, indicando
las razones de cada una de ellas además del estado de la unión base emisor y base
colector.
6. Para todos los casos en que el transistor trabaja en la zona activa, determine el valor
de la relación Ic / Ib. ¿A que parámetro del transistor corresponde dicho valor?; (Las
corrientes Ic e Ib se puede obtener utilizando la ley de Ohm, esto es, I = V / R en cada
caso).
CIRCUITO DE POLARIZACION FIJA
0
FIG 2
Vcc
0
RB
36k
RC
100
Q1
Q2N2222
Vcc
Vcc
12V
7. Implemente el circuito de la FIG 2.
8. Mida los voltajes VCE, VBE, VC, VE, VB, VRB, VRE, VRC. Si no se encuentra en el punto
medio de la recta de carga varié la resistencia RB.
9. Determine el β del transistor a partir de la corriente de colector y la corriente de base.
10. Cambie el transistor por otro de la misma referencia, Mida nuevamente los voltajes en
el circuito y determine el β. Si existen diferencias explique la razón.
11. Al circuito polarizado en el punto medio de la recta de carga auméntele la temperatura
de forma progresiva y realice las mediciones de voltaje a diferentes temperaturas.
¿Qué sucede con el punto Q?. ¿Cómo cambian los parámetro internos del transistor al
aumentar la temperatura?.
Departamento de Electricidad y Electrónica
Plan de Estudios de Ingeniería Electrónica
Laboratorio de Electrónica I
Práctica Nº 4: “POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES”
CIRCUITO DE POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE
0
Q2
Q2N2222
FIG 3
R2
8.2k
Vcc
Re
1k
0
Rc1
6.8k
R1
56k
Vcc
Vcc
12V
12. Implemente el circuito de la Fig 3 y repita los puntos 8, 9, 10 y 11.
13. Qué ventajas y desventajas tiene la implementación de esta configuración con
respecto a la anterior.
14. Después de haber llevado a la práctica las configuraciones básicas para polarizar a un
BJT ¿cuál considera más estable respecto a las variaciones de temperatura?.
15. Diseñe un cuadro de datos y compare los resultados prácticos con los teóricos y los
obtenidos en la simulación. Que puede concluir a partir de esta tabla.
ANOTACIONES, CONCLUSIONES Y SUGERENCIAS
Relacione la bibliografía utilizada para el desarrollo de la práctica.

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Practica no 4

  • 1. Departamento de Electricidad y Electrónica Plan de Estudios de Ingeniería Electrónica Laboratorio de Electrónica I Práctica Nº 4: “POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES” OBJETIVOS: 1. Evaluar e interpretar características fundamentales de transistores BJT. 2. Analizar un transistor bipolar, respecto de la medición de sus terminales. 3. Verificar la polarización y Zonas de trabajo del transistor BJT. 4. Medir el punto Q de operación del transistor. 5. Observar el comportamiento del transistor en las zonas de corte y saturación. 6. Polarizar un transistor BJT npn para ubicar su punto de operación en la región activa, utilizando los circuito de polarización fija y divisor de voltaje. 7. Comprobar experimentalmente el nivel de estabilidad del punto de operación Q de un transistor BJT npn debido a los cambios de temperatura y los parámetros internos del dispositivo. PREGUNTAS PREVIAS: 1. ¿Explique el procedimiento a seguir para determinar el estado, tipo de transistor e Identificar cada uno de los terminales de los transistores bipolares? 2. ¿Cuáles son las zonas de trabajo que tiene el transistor? 3. ¿De qué depende la corriente de colector en la FIG 2? 4. ¿De qué depende la corriente de colector en la FIG 3? 5. ¿Por qué se utiliza una resistencia en emisor (Re) para estabilizar el punto Q? 6. Determine la ICSAT o ICmax y VCE max . Calcule los valores para ICQ y VCEQ en cada uno de lo circuitos. 7. ¿Al aumentar la temperatura en el transistor qué efecto se produce sobre la corriente de colector, y sobre la corriente de base?. 8. Realice la simulación de cada uno de los circuitos diseñado. Mida el voltaje de colector a emisor, la corriente de colector y la corriente de base. Mida los voltajes en la base, en el emisor y en el colector. EQUIPO NECESARIO: 1 Protoboard 1 Fuente de voltaje Regulada 1 DVM 1 Punta de prueba para DVM 1 Generador de señal con su respectiva punta de prueba 1 Osciloscopio cos sus respectivas puntas de prueba 1 Secador (traerlo los estudiantes)
  • 2. Departamento de Electricidad y Electrónica Plan de Estudios de Ingeniería Electrónica Laboratorio de Electrónica I Práctica Nº 4: “POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES” COMPONENTES NECESARIOS: 1 Resistencias de 100, 1k, 6.8k, 8.2k, 36k, 56k, 100K, otras de 1/2 de watt 1 2n3904, 2n3906, Tip 41, Tip 42 3 Transistor 2n2222 1 Potenciómetro de 50K y 100K para montaje en protoboards NOTA:  No olvide utilizar su bata blanca y procurar zapatos de gomas como calzado en el laboratorio  No olvide sus herramientas de trabajo. (Pinzas, pelacables, cables etc.)  Al inicio de la práctica deben presentar la solución de las preguntas previas, además de presentar las simulaciones de todos los circuitos (como método de estudio).  Es necesario que tenga presente la forma en que vienen interconectados los diferentes contactos de los "protoboards" y cómo realizar conexiones en ellos. DEBEN PRESENTARSE FOTOCOPIAS DE LAS HOJAS DE DATOS DEL FABRICANTE DE LOS DIFERENTES DISPOSITIVOS A UTILIZAR EN LA PRÁCTICA. CUALQUIER INCONVENIENTE CON LAS MEDICIONES DEBE SER CONSULTADO CON EL PROFESOR. PROCEDIMIENTO: TERMINALES DE TRANSISTORES NPN y PNP 1. Mida el transistor con tester en escala de diodo. Concluya finalmente el tipo de transistor y el nombre de cada uno de los terminales para cada uno de los transistores listados en la tabla de elementos. 2. Utilizando el Multímetro determine el β de cada uno de los elementos. De que otra forma se puede determinar este parámetro.
  • 3. Departamento de Electricidad y Electrónica Plan de Estudios de Ingeniería Electrónica Laboratorio de Electrónica I Práctica Nº 4: “POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES” 3. Mediante el manual técnico consulte la asignación de terminales y compruebe con lo obtenido en forma práctica e indique además las características más importantes de cada uno de ellos. ZONAS DE TRABAJO DEL TRANSISTOR BJT 0 Q1 Q2N2222 Vcc 5V FIG 1 Vbb RC 100 0RB 10k 0 4. Implemente el circuito de la Fig 1. Ajuste el voltaje Vbb (entre 0 Volts y 10 Volts) y con el multimetro mida los voltajes entre colector y emisor Vce; el voltaje en la resistencia RB, el voltaje en la resistencia RC para completar la siguiente tabla (agregue las filas necesarias para completar hasta 10V). Vbb V(RC) V(RB) Vce Vbe 0 1 2 3 4 5 6 7 8
  • 4. Departamento de Electricidad y Electrónica Plan de Estudios de Ingeniería Electrónica Laboratorio de Electrónica I Práctica Nº 4: “POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES” 5. Con los valores obtenidos en la tabla anterior, determine el estado o zona en que está trabajando el transistor (Activa, saturación o corte) para cada fila de la tabla, indicando las razones de cada una de ellas además del estado de la unión base emisor y base colector. 6. Para todos los casos en que el transistor trabaja en la zona activa, determine el valor de la relación Ic / Ib. ¿A que parámetro del transistor corresponde dicho valor?; (Las corrientes Ic e Ib se puede obtener utilizando la ley de Ohm, esto es, I = V / R en cada caso). CIRCUITO DE POLARIZACION FIJA 0 FIG 2 Vcc 0 RB 36k RC 100 Q1 Q2N2222 Vcc Vcc 12V 7. Implemente el circuito de la FIG 2. 8. Mida los voltajes VCE, VBE, VC, VE, VB, VRB, VRE, VRC. Si no se encuentra en el punto medio de la recta de carga varié la resistencia RB. 9. Determine el β del transistor a partir de la corriente de colector y la corriente de base. 10. Cambie el transistor por otro de la misma referencia, Mida nuevamente los voltajes en el circuito y determine el β. Si existen diferencias explique la razón. 11. Al circuito polarizado en el punto medio de la recta de carga auméntele la temperatura de forma progresiva y realice las mediciones de voltaje a diferentes temperaturas. ¿Qué sucede con el punto Q?. ¿Cómo cambian los parámetro internos del transistor al aumentar la temperatura?.
  • 5. Departamento de Electricidad y Electrónica Plan de Estudios de Ingeniería Electrónica Laboratorio de Electrónica I Práctica Nº 4: “POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES” CIRCUITO DE POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE 0 Q2 Q2N2222 FIG 3 R2 8.2k Vcc Re 1k 0 Rc1 6.8k R1 56k Vcc Vcc 12V 12. Implemente el circuito de la Fig 3 y repita los puntos 8, 9, 10 y 11. 13. Qué ventajas y desventajas tiene la implementación de esta configuración con respecto a la anterior. 14. Después de haber llevado a la práctica las configuraciones básicas para polarizar a un BJT ¿cuál considera más estable respecto a las variaciones de temperatura?. 15. Diseñe un cuadro de datos y compare los resultados prácticos con los teóricos y los obtenidos en la simulación. Que puede concluir a partir de esta tabla. ANOTACIONES, CONCLUSIONES Y SUGERENCIAS Relacione la bibliografía utilizada para el desarrollo de la práctica.