1. TRANSISTORES

2. TRANSISTORES
El transistor es un dispositivo
electrónico semiconductor que
cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmu
tador o rectificador. El término
«transistor» es la contracción
en inglés de transfer resistor
(«resistencia de
transferencia»).
Actualmente se encuentran prácticamente en todos los
aparatos electrónicos de uso diario:
radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes
de cuarzo, computadoras, lámparas
fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc.

3. TRANSISTORES BIPOLARES NPN
 NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las
letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro
de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores
bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del
electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de
operación.
 Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor
dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una
pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común
es amplificada en la salida del colector.
 La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del
emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

4. TRANSISTOR MC140 (NPN)
 Material: Si
 La estructura de transistor: NPN
 Máxima disipación de potencia continua colector del transistor
(Pc): 3.5W
 Limite el colector DC-base (Ucb): 80V
 Límite de colector-emisor del transistor de tensión (Uce): 40V
 Límite de tensión emisor-base (Ueb): 5V
 Máxima corriente continua de colector del transistor (Ic max):
1A
 Temperatura límite de unión pn (Tj): 150°C
 Frecuencia de corte de la relación de transferencia corriente del
transistor (Ft): 60MHz
 Capacidad de la unión de colector (Cc), Pf: 25
 Estática coeficiente de transferencia de corriente en el circuito
con emisor común (Hfe), min/max: 40/300
 Fabricante: PHO
 Caso: TO126

5. Transistores Bipolares PNP
 El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
 El símbolo de un transistor PNP.
 Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor
dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son
comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al
terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica
externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
 La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
está en funcionamiento activo

6. Número de Parte: 2N3639
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2
Tensión colector-base (Ucb): 6
Tensión colector-emisor (Uce): 6
Tensión emisor-base (Ueb): 4
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.08
Temperatura operativa máxima (Tj), C: 125
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 500
Capacitancia de salida (Cc), pF: 3.5
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Empaquetado / Estuche: TO106
TRANSISTOR PNP 2N3639

7. TRANSISTOR FET
Tienen 3 terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero
(Sink), que igualmente dependiendo del encapsulado que tenga el
transistor pueden estar distribuidos de varias formas.
Croquis de un FET con canal N

8.  Estructura del transistor: FET
 Altura 5.2mm
 Ancho 4.2mm
 Configuración Único
 Conteo de Pines 3
 Corriente Máxima Continua de Drenaje 10 mA
 Dimensiones 4.8 x 4.2 x 5.2mm
 Longitud 4.8mm
 Resistencia Máxima Drenador-Fuente Ω18
 Temperatura de Funcionamiento Mínima -65 C
 Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 C
 Tensión Máxima Drenador-Fuente 25 V
 Tensión Máxima Puerta-Drenador -25V
 Tensión Máxima Puerta-Fuente -25 V
 Tipo de Canal N
 Tipo de Encapsulado SPT
 Tipo de Montaje Orificio Pasante
ESPECIFICACIONES
TRANSISTOR FET J110

9. TRANSISTOR JFET
El transistor JFET (Junction Field Efect
Transistor, que se traduce como transistor de
efecto de campo) es un dispositivo electrónico
activo unipolar.
Funcionamiento básico
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT.
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por
tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no
corriente
entre drenador y fuente.

10. CARACTERISTICAS JFET

11. TRANSISTOR MOSFET
Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor. Consiste en un
transistor de efecto de campo basado en la
estructura MOS. Es el transistor más utilizado
en la industria microelectrónica. La práctica
totalidad de los circuitos integrados de uso
comercial están basados en transistores
MOSFET.
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor
dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos
islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una
capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor.
Funcionamiento :

12. TRANSISTOR NDP6030PL (MOSFET)
CARACTERISTICAS
 Los valores máximos absolutos TC = 25 ° C a menos que
se indique lo contrario
 Símbolo de los parámetros NDP6030PL NDB6030PL
unidades
 VDSS drenaje-fuente de tensión -30 V
 VGSS puerta-fuente de tensión - Continuo ± 16 V
 Identificación Consumo de corriente - continua -30 A

CARACTERÍSTICAS TÉRMICAS
 RqJC Resistencia térmica, conexión a Caso 2 ° C / W
 RqJA Resistencia térmica, Junction-a-ambiente 62.5 ° C /
W
 NDP6030PL Rev.B1
 Un -30, -30 V. RDS (on) = 0,042 W @ VGS = -4,5 V
 RDS (on) = 0,025 W @ VGS = -10 V.
 Críticos de los parámetros eléctricos de corriente
continua especificadas a temperaturas elevadas