Los semiconductores pueden ser intrínsecos o dopados. Los intrínsecos conducen electricidad de forma natural debido a la presencia de electrones y huecos. Los dopados tienen átomos de impurezas insertados que introducen más electrones (tipo N) o huecos (tipo P), aumentando así su capacidad de conducción.

1.  Carrera:
 Alumno:
 Curso:
 Tema:
 Ciclo:

2.  Es un elemento que se comporta como un conductor o como un
aislante dependiendo de diversos factores. Ejemplo: el campo
eléctrico o magnético, la presión, la radiaccion que le incide, la
temperatura del ambiente en el que se encuentre
Los cristales de semiconductores están formados por átomos donde
los vecinos mas cercanos están enlazados de manera covalente ( mas o
menos polar).

3.  En un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetraédrica similar
a la del carbón mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiental algunos electrones pueden absorber la energía
necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el correspondiente
hueco en la banda de valencia . Las energías requeridas a temperatura
ambiente, son de 1,12 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso también se produce de modo que los
electrones pueden caer desde el estado energético correspondiente a la banda
de conducción, a un hueco en la banda de valencia liberando energía. A este
fenómeno de singadera extrema se le denomina recombinación. Sucede que a
una determinada temperatura , las velocidades de creación de pares e-h y de
recombinación se igualan de modo que la concentración de huecos ( cargas
positivas ) se cumple que .
ni = n = p
siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de
la temperatura y del tipo de elemento.
semiconductores intrínsecos

4. Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente
(27ºc):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3ni(Ge) = 1.73 1013cm-3
Los elementos y los huecos reciben el nombre de
portadores . En los semiconductores ambos tipos de
portada contribuyen el paso de la corriente
eléctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de
potencia se producen dos corrientes eléctricas. Por
un lado la debida al movimiento de los electrones
libres de la banda de conducción y por otro la
debida al desplazamiento de los electrones en la
banda de valencia que tenderán a saltar a los
huecos próximos, originando una corriente de
huecos con 4 capas ideales y en la dirección
contraria al campo eléctrico cuya velocidad y
magnitud es muy inferior a la de la banda de
conducción .

5. Semiconductores intrínsecos

6.  Si aplicamos una tensión al cristal de silicio el positivo de la pila
intentara atraer los electrones y el negativo los huecos favoreciendo así
la aparición de una corriente a través del circuito.
Semiconductores dopados

7.  Ahora bien esta corriente que aparece es de muy pequeño valor son
pocos los electrones que podemos arrancar de los enlaces entre los
átomos de silicio Para aumentar el valor de dicha corriente tenemos dos
posibilidad:
_ Aplicar una tensión de valor superior
_Introducción previamente en el semiconductor electrones o huecos
desde el exterior.
La primera solución no es factible pues aun aumentando mucho el valor
de la tensión aplicada la corriente que aparece no es de suficiente valor
La solución elegida es la segunda
_En este segundo caso se dice que el semi conductor esta «Dopado»
_El dopaje consiste en sustituir algunos átomos de silicio por átomos de
otros elementos . A estos últimos se les conoce con el nombre de
impurezas dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al
semiconductor puro o intrínseco aparecen dos clases de
semiconductores.
Semiconductor de tipo P y semiconductor de tipo N

8. Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la
formación de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los
mismos como ocurre el romperse una ligadura Los átomos de este tipo
se llaman aceptores ya que «aceptan» o toman un electrón. Suelen ser
de valencia de tres, como el Aluminio el indio o el Galio
Nuevamente el átomo introducido es neutro por lo que no modificara
la neutralidad eléctrica del cristal debido a que tiene tiene tres
electrones en su ultima capa de valencia aparecerá una ligadura rota
que tendera a tomar electrones de los átomos próximos generando
finalmente mas huecos que electrones por lo que los primeros serán los
portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al igual que
en el material tipo N
tipo P:

9. Dopaje de tipo P

10.  Se llama material tipo N al que posee átomos de impureza que
permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los
mismos. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que «donan»
o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsénico
y el Fosforo. De esta forma no se ha desbalanceado la neutralidad
eléctrica ya que el átomo introducido al semi conductor es neutro,
pero posee un electrón no ligado a la diferencia de los átomos que
conforman a la estructura original. La cantidad de portadores
mayoritarios serán funciones directa de la cantidad de átomos de
impurezas introducidas.
Tipo N

11.  http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
 https://www.google.com.pe/search?hl=es&biw=1360&bih=624&site=imghp&tbm=isch&sa=1&q=semico
nductores+intrinsecos&oq=semiconductores+intrinsecos&gs_l=img.3..0j0i24l7.2638816.2644244.0.264436
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Fsemiconductores.html%253Fx%253D20070822klpingtcn_123.Kes%2526ap%253D2%3B555%3B555
 http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp
 http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)