1. Colegio Vocacional Monseñor Sanabria
Especialidad de Electrotecnia.
Sub área de Control de maquinas eléctricas.
Tema Catalogo de Semiconductores.
Profesor Luis Fernando Corrales C.
Oscar Castillo Morales.
5-10
2014

3. Formado al igual que todos los diodos de una unión P-N.
Como lo dice su nombre su función principal es la de
“Rectificar”.
Soportan elevadas temperaturas.
Su función de rectificar nos permite convertir la CA en CD
(utilizándolo 4 diodos rectificadores en un puente de
diodos)

4. Su nombre proviene del ingles: Light Emitting Diode, en
español: Diodo emisor de luz.
Polarizado inversamente no funciona.
El color de la luz que emiten depende de los materiales que
están construidos.
Su voltaje de operación va de los 1.5V a los 2.2V.

5. A uno de sus lados se le dopa con mas impurezas que al otro.
Presenta el efecto Zener y el efecto de avalancha.
En el zener podemos distinguir tres zonas: conducción,
bloqueo y avalancha.
También llamado: Diodo Regulador de Tensión.

6. Se deferencia de los demás diodos por tener una alta
concentración de impurezas en sus dos lados.
A consecuencia del gran numero de átomos de
impurezas, la zona de carga espacial es muy
estrecha.
Posee el efecto túnel.
También se le llama diodo: Esaki.
Tiene resistencia negativa.

7. Este diodo esta formado por una unión PN.
Trabaja en polarización inversa.
El mecanismo de funcionamiento de un fotodiodo es
igual al de una celda solar, pero en miniatura.
Su tiempo de respuesta es rápido (nanosegundos).
Se usan en lectores de CD y en la fibra optica…

8. Por sus siglas en ingles: Silicon Controlled Rectifier
Por sus siglas en español: Rectificador Controlado De Silicio
Dispositivo semiconductor biestable.
Formado por tres uniones PN
Al igual que todos los semiconductores posee las terminales;
anodo y catodo, pero este posee una terminal extra llamada
Compuerta o Gate.
Elemento unidireccional.

9. Características mas importantes:
Interruptor casi ideal.
Soporta tensiones altas
Amplificador eficaz.
Capaz de controlar altas potencias.
Relativa rapidez.

10. Por sus siglas en ingles: Diode Alternative Current.
Es un dispositivo bidireccionsal que no posee polaridad.
Posee dos electrodos: MT1 y MT2.
Conduce en ambos sentidos de sus terminales al llegar
al voltaje de disparo.
Especialmente diseñado para disparar: TRIACS y
Tirisrores.
Se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a
1Watt.

11. Aplicaciones:
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un
control de fase de la corriente del triac, de forma que
solo se aplica tensión a la carga durante una fracción de
ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el
control de iluminación con intensidad
variable, calefacción eléctrica con regulación de
temperatura y algunos controles de velocidad de
motores.

12. Tiristor es un nombre genérico de una serie de
dispositivos semiconductores de potencia.
Es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por
completo el paso de la corriente.
Interruptor unidireccional.
Si la tensión en sus bornes es negativa, el tiristor esta
bloqueado.

13. Formas de activar un tiristor:
La luz.
Corriente de Compuerta.
Térmica.
Alto voltaje.
Elevación del voltaje anodo-catodo.

14. Del ingles: Bipolar Junction Transistor.
Del español: Transistor de union bipolar.
Posee dos uniones PN que permiten el paso de la
corriente.
Dispositivo de estado solido.
Existen dos tipos: NPN Y PNP,

15. Del ingles: Triode for Alternative Current
dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa
para controlar el flujo de corriente promedio a una
carga, con la particularidad de que conduce en ambos
sentidos
Puede ser disparado por medio de CD O CA.
Principal utilidad: regulador de potencia entregada a
una carga en CA.
Es bidireccional.

16. Diseñado para controlar principalmente altas
potencias, en su diseño está compuesto por un
transistor bipolar de unión BJT y transistor de efecto de
campo de metal oxido semiconductor MOSFET..
es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se
alternan (PNPN)
Combina las características del TBJ y del MOSFET.

17. Del ingles: Field Effect Transistor.
En español: Transistor de efecto de campo.
Son los transistores que se en el campo electrico para controlar
la conductividad.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador
(drain) y fuente (source).
La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar
Junction Transistor). El transistor de efecto de campo se
comporta como un interruptor controlado por tensión, donde
el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no
corriente entre drenador y fuente.

18. La puerta de este semiconductor esta aislada, esto
provoca que la corriente de dicha terminal sea muy
pequeña.
L a resistencia de entrada de este transistor es
elevada, lo que los convierte en componentes ideales
para amplificar señales muy débiles.
Existen de dos tipos de empobrecimiento y de
enriquecimiento.

19. Como se podrá observar en las curvas
características, este transistor sólo conduce cuando son
aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que
normalmente estará en no conducción o apagado.

20. Protección de los MOSFET
Tanto los MOSFET de empobrecimiento
como los de enriquecimiento, poseen una
capa extremadamente delgada de aislante
que separa la puerta del canal. Esta capa
se destruye con suma facilidad si se aplica
una tensión VGS por encima de la máxima
soportable. Por esta razón, nunca debe
operarse con una tensión superior a la
VGS(max) prescrita en las características del
MOSFET.

21. Es un circuito integrado muy estable cuya función
primordial es la de producir pulsos de temporización
con una gran precisión y que, además, puede funcionar
como oscilador.

22. Sus características más destacables son:
Temporización desde microsegundos hasta horas.
Modos de funcionamiento:
Monoestable.
Astable.
Aplicaciones:
Temporizador.
Oscilador.
Divisor de frecuencia.
Modulador de frecuencia.
Generador de señales triangulares.

23. Configuración Monoestable

24. Configuración Astable

25. Páginas web de Referencia:
• http://www.unicrom.com/tut_diac.asp
• http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_diac/diac.htm
• http://www.ie.itcr.ac.cr/juanjimenez/cursos/Potencia/tiristor
• http://www.dte.uvigo.es/recursos/potencia/ac-dc/archivos/tiristor.htm
• http://www.slideshare.net/Boytronic/tiristores-caractersticas-
aplicaciones-y-funcionamiento
• http://ocw.um.es/ingenierias/tecnologia-y-sistemas-
electronicos/material-de-clase-1/tema-3.-transistores-de-union-
• bipolar-bjt.pdf
• http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_triac/triac.htm
• http://www.ecured.cu/index.php/Transistor_IGBT
• http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_campo
• http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/MOSFET.htmhttp
://www.uv.es/marinjl/electro/555.html