SEMICONDUCTORES
Alumno: Ronald C. Ortiz Sotelo
ODE: Tacna
 Semiconductor intrínseco:
 A temperatura ambiente alguna de los enlaces
covalente se rompen y producen electrones libre...
 Cuando se aplica a un campo eléctrico a un semiconductor intrínseco,
se produce una corriente formada por dos componente...
Impurezas Donadoras
Impurezas aceptadoras
Semiconductores dopados: Bandas en
semiconductores intrínsecos y dopados
Los portadores mayoritarios son los portadores qu...
Propiedades de Si y Ge.
 Los fotones de energía luminosa alteran el equilibrio produciendo
nuevos pares electrón-hueco. Si R>>Rl el divisor de te...
 Siempre que hay una diferencia de concentración de algún
material, se produce una corriente de difusión de la zona de
al...
Longitud de difusión
 Debido a la deferencia de concentración de portadores
debe existir una corriente de difusión en el material, por
lo tant...
 Al unir una región tipo p con otra tipo n, se produce una
igualación del nivel de fermi.
 Esto implica que la banda de ...
 Los huecos del lado p se difunden a través de la unión hacia el lado n y lo
mismo pasa con los electrones del lado n hac...
Variación de Q,E y V en la zona de
agotamiento
Concentración de huecos y
electrones
La concentración de huecos en el diodo de unión se meustra
en la siguiente figura. Se...
Potencial de barrera y concentración de carga
Próxima SlideShare
Cargando en…5
×

Semiconductores ronald ortiz

418 visualizaciones

Publicado el

Trabajo de Física Electronica

Publicado en: Ingeniería
0 comentarios
0 recomendaciones
Estadísticas
Notas
  • Sé el primero en comentar

  • Sé el primero en recomendar esto

Sin descargas
Visualizaciones
Visualizaciones totales
418
En SlideShare
0
De insertados
0
Número de insertados
4
Acciones
Compartido
0
Descargas
3
Comentarios
0
Recomendaciones
0
Insertados 0
No insertados

No hay notas en la diapositiva.

Semiconductores ronald ortiz

  1. 1. SEMICONDUCTORES Alumno: Ronald C. Ortiz Sotelo ODE: Tacna
  2. 2.  Semiconductor intrínseco:  A temperatura ambiente alguna de los enlaces covalente se rompen y producen electrones libres y huecos que contribuyen a la conducción. SEMICONDUCTORES
  3. 3.  Cuando se aplica a un campo eléctrico a un semiconductor intrínseco, se produce una corriente formada por dos componentes: corriente de electrones en contra del campo n corriente de huecos a favor del campo. Corriente en un semiconductor
  4. 4. Impurezas Donadoras
  5. 5. Impurezas aceptadoras
  6. 6. Semiconductores dopados: Bandas en semiconductores intrínsecos y dopados Los portadores mayoritarios son los portadores que están en exceso en un semiconductor dopado. En los semiconductores tipo n son mayoritarios los electrones y en los tipo p los huecos. Los portadores en defecto se llaman portadores minoritarios.
  7. 7. Propiedades de Si y Ge.
  8. 8.  Los fotones de energía luminosa alteran el equilibrio produciendo nuevos pares electrón-hueco. Si R>>Rl el divisor de tensión que:  Vo(T)=Rl/(Rl+R)V RL/RV=RLVA/LQ[UPP}(T)+UNN(T))]  Durante el pulso la concentración de portadores aumenta disminuyendo R y aumentando la tensión de salida av sobre el valor de equilibrio vi la constate tp es el tiempo de vida de los portadores minoritarios y demanda del material. Tiempo de vida de portadores minoritarios
  9. 9.  Siempre que hay una diferencia de concentración de algún material, se produce una corriente de difusión de la zona de alta concentración hacia la zona baja concentración.  La corriente de baja concentración. Corriente de difusión
  10. 10. Longitud de difusión
  11. 11.  Debido a la deferencia de concentración de portadores debe existir una corriente de difusión en el material, por lo tanto debe existir una corriente de arrastre (y un campo eléctrico) que equilibre la corriente de difusión. Dopado no uniforme
  12. 12.  Al unir una región tipo p con otra tipo n, se produce una igualación del nivel de fermi.  Esto implica que la banda de conducción del lado p se encuentre en un nivel más alto respecto a la del lado n. Unión p-n
  13. 13.  Los huecos del lado p se difunden a través de la unión hacia el lado n y lo mismo pasa con los electrones del lado n hacia el lado p.  Los electrones difundidos del lado p se combinan con los átomos aceptores formando una región de átomos cargados negativamente y los huecos que se difunden del lado n se combinan con los átomos donadores formando una región de átomos cargados positivamente.  El proceso se interrumpe cuando el potencial formado por las dos regiones cargadas es suficiente para impedir el flujo de mas cargas eléctricas. Unión p-n en equilibrio
  14. 14. Variación de Q,E y V en la zona de agotamiento
  15. 15. Concentración de huecos y electrones La concentración de huecos en el diodo de unión se meustra en la siguiente figura. Se supone Na>Nd
  16. 16. Potencial de barrera y concentración de carga

×