1. CIRCUITOS
INTEGRADOS
TEJEDOR VALENTINA NIETO MAIRA
PROFESOR:EDGAR ESTRADA
1102 JORNADA MAÑANA
SALUDCOOP SUR
BOGOTA D.C
2014

2. CONTENIDO
•CIRCUITOS INTEGRADOS….......................................................3
•TIPOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS………………………………………………...4
•TECNOLOGIA DE FABRICACION C.I. ………………………………………………..7
•FAMILIAS LOGICAS…………………………………………………………………………….8
•REFERENCIAS……………………………………………………………………………………18

3. CIRCUITOS INTEGRADOS
Un circuito integrado (CI), también conocido como chip o
microchip, es una pastilla pequeña de material
semiconductor, de algunos milímetros cuadrados de área,
sobre la que se fabrican circuitos electrónicos generalmente
mediante fotolitografía y que está protegida dentro de un
encapsulado de plástico o cerámica. El encapsulado posee
conductores metálicos apropiados para hacer conexión
entre la pastilla y un circuito impreso.

4. TIPOS DE CIRCUITOS
INTEGRADOS
Circuitos monolíticos: Están
fabricados en un solo mono cristal,
habitualmente de silicio, pero también
existen en germanio, arseniuro de
galio, silicio-germanio, etc.

5. Circuitos híbridos de capa fina: Son muy similares a los
circuitos monolíticos, pero, además, contienen
componentes difíciles de fabricar con tecnología monolítica.
Muchos conversores A/D y conversores D/A se fabricaron
en tecnología híbrida hasta que los progresos en la
tecnología permitieron fabricar resistores precisos.

6. Circuitos híbridos de capa gruesa: Se apartan bastante
de los circuitos monolíticos. De hecho suelen contener
circuitos monolíticos sin cápsula, transistores, diodos, etc,
sobre un sustrato dieléctrico, interconectados con pistas
conductoras. Los resistores se depositan por serigrafía y se
ajustan haciéndoles cortes con láser. Todo ello se
encapsula, en cápsulas plásticas o metálicas, dependiendo
de la disipación de energía calórica requerida. En muchos
casos, la cápsula no está "moldeada", sino que
simplemente se cubre el circuito con una resina epoxi para
protegerlo. En el mercado se encuentran circuitos híbridos
para aplicaciones en módulos de radio frecuencia (RF),
fuentes de alimentación, circuitos de encendido para
automóvil, etc.

7. TECNOLOGIAS DE
FABRICACION C.I
La fabricación de integrados a gran escala sigue, en la actualidad
un procedimiento VLSI (Very Large Scale Integration, Integración
en escala muy grande, por sus siglas en inglés) partiendo
del Silicio como materia prima. Desarrollos recientes en
tecnologías de aleación de Silicio-Germanio (SiGe) y silicio,
sometido a esfuerzo, refuerzan aún más la posición de los
procesos de fabricación que se basan en este elemento en la
industria microelectrónica en los años venideros.

8. FAMILIAS LOGICAS
Se puede definir como la estructura básica a partir de la cual se
pueden construir las puertas lógicas. En esta estructura estarán
involucrados tanto los componentes que entran en juego, as’ como
sus valores (ya que si cambiamos estos valores, pasaremos a otra
familia diferente), ya que los parámetros van a depender de Ž estos.
•Familia DL: Esta familia se basa en diodos, a los que se unen
resistencias para evitar la destrucción. Un modelo de operación de un
diodo se muestra en la figura
• Conducción u ON, en la que su tensión es de Vγ
• Corte u OFF, en la que la intensidad a través de Ž l se puede
considerar nula.
• Podemos apreciar otra zona, denominada de ruptura, en la que el
diodo se convierte en un cortocircuito, que debe ser evitada. Para no
llegar nunca a esta zona, se utilizan las resistencias a las que
hacíamos mención anteriormente.

9. •Familia DL: Esta familia se basa en diodos, a los que se unen
resistencias para evitar la destrucción. Un modelo de operación de
un diodo se muestra en la figura
• Conducción u ON, en la que su tensión es de Vγ
• Corte u OFF, en la que la intensidad a través de Ž l se puede
considerar nula.
• Podemos apreciar otra zona, denominada de ruptura, en la que
el diodo se convierte
en un cortocircuito, que debe ser evitada. Para no llegar nunca a
esta zona, se utilizan
las resistencias a las que hacíamos mención anteriormente.

10. FAMILIAS BIPOLARES: Las familias bipolares son aquellas basadas en
los transistores de unión o bipolares.
Estos transistores se pueden clásica en dos tipos, según las uniones
semiconductoras: npn y pnp. En la figura 7.6 se muestran las uniones,
símbolos y su representación como diodos. De estos dos tipos de
transistores, los más empleados son los transistores npn ya que
presentan una ganancia mayor, y por lo tanto serán los más rápidos.

11. Debido a la aparición de dos diodos en cada transistores, estos
transistores mostraron cuatro zonas de operación (las combinaciones de
las diferentes zonas de cada diodo). En la figura se muestran dichas
zonas y sus principales propiedades.
• Zona de corte. El transistor se comporta como un circuito abierto, por
lo que no circulo intensidad por ninguno de sus terminales. En esta zona
los dos diodos se encuentran cortados.
• Zona activa directa, u zona húmica. El transistor se comporta como un
ampliador de intensidad desde la base hasta el colector. En este caso, el
diodo base-emisor esta conduciendo, mientras que el base-colector
esta‡ cortado.
•Zona activa inversa. Es una zona parecida a la anterior, pero cambiando
los terminales de emisor y colector. La principal diferencia (aparte de la
anterior) es que la amplificación es sustancialmente menor.
•Zona de saturación. El transistor se comporta como un cortocircuito
entre el colector
y el emisor, que debido a las diferencias geométricas de ambas uniones
mantiene una
pequeña tensión. En esta zona los dos diodos se encuentran
conduciendo.

12. FAMILIA TTL: Esta familia es una de las más empleadas en la
construcción de dispositivos MSI. Esta‡ basada en el transistor
multi-emisor. Este transistor es un transistor con varios emisores,
una sola base y un solo colector. En la figura mostramos el símbolo
de este transistor, su representación en transistores con un solo
emisor y su forma de operación:

13. FAMILIA ECL: La familia ECL se basa en un amplificador diferencial.
Para que el retraso de esta familia
sea mínimo, se impone la restricción de que los transistores del
amplificador trabajen en los límites de Z.A.D. - corte y Z.A.D. saturación. Este hecho implica que la diferencia de tensión
que tenga que soportar sea mínima. Esta situación tiene tres
implicaciones básicas:
• niveles de tensión altos y bajos cercanos (que le proporciona una
alta velocidad).
• incompatibilidad con otras familias lógicas.
• disposición de salidas diferenciales, es decir, tanto de la salida
complementada como
sin complementar.

14. FAMILIAS MOS: Las familias MOS son aquellas que basan su
funcionamiento en los transistores de efecto campo o MOSFET.
Estos transistores se pueden clasificar en dos tipos, según el canal
utilizado: NMOS y PMOS. En la figura se muestra su estructura y
varios símbolos:

15. FAMILIA NMOS: La familia NMOS se basa en el empleo
œnicamente de transistores NMOS para obtener
la función lógica. Un esquema de esta familia se muestra en la
figura.
El funcionamiento de la puerta es el siguiente. Cuando la
entrada se encuentra en un nivel bajo, el transistor NMOS
estar‡ en su zona de corte. Por lo tanto, la intensidad que
circulara por el circuito será nula y en la salid se encontrara la
tensión de polarización, es decir, un nivel alto.
Cuando la entrada se encuentra en un nivel alto, el transistor
estar‡ conduciendo y se comportar‡ aproximadamente como
un interruptor. Por lo tanto, en la salida estar‡ un nivel bajo.

16. En la familia NMOS se puede construir cualquier función arbitraria
siempre y cuando se mantengan las limitaciones tecnológicas. (que
suelen traducirse en la conexión en serie de un
número máximo de transistores). Para formar cualquier función, las
estructuras son las siguientes:
• la conexión en paralelo de dos transistores (o grupo de ellos) actúa
como una puerta OR.
• la conexión en serie de dos transistores (o grupo de ellos) actúa
como una puerta AND. Algunos ejemplos de puertas complejas se
muestran en la figura.

17. FAMILIAS CMOS: Esta familia su operación en la utilización de los
transistores NMOS y PMOS funcionando como interruptores, de tal
forma que los transistores NMOS suministrar el nivel bajo (ya que no se
degrada con la tensión umbral) y los transistores PMOS suministran el
nivel alto (ya que no se degrada con la tensión umbral).
Una puerta construida con la familia CMOS solamente estar‡ formada
por transistores, como se muestra en la figura.

18. REFERENCIAS
• http://www.uhu.es/raul.jimenez/DIGITAL_I/dig1_vii.pdf
• http://es.wikipedia.org/wiki/Circuito_integrado
• http://es.wikipedia.org/wiki/Circuito_integrado#Tipos
•http://es.wikipedia.org/wiki/Fabricaci%C3%B3n_de_circuitos_integr
ados