ウェハー内のESDスパイスモデル

1. ウェハー内のESDの
スパイスモデルのご案内
2013年4月2日
株式会社ビー・テクノロジー
horigome@beetech.info
1
All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc.2013

2. ESDのスパイスモデルに必要な情報(データ)について
(1)IV特性の電気的特性(3ページをご参照下さい)
Symbol Description Unit
Vav Avalanche Voltage V
Vsp Snapback Voltage V
Isp Snapback Current A
Ron Snapback Slope ohm
It2 Destructive Current A
(2)MOSFET(M1)とトランジスタ(Q1)のスパイスモデル(4ページをご参照下さい)
MOSFET(M1)とトランジスタ(Q1)のスパイスモデルがない場合は、
当社でデバイスモデリングする事は可能です。
2
All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc.2013

3. DC Characteristics:
ESD Parameters
1) Vav (Avalanche Voltage)
2) Vsp (Snapback Voltage)
3) Isp (Snapback Current)
4) Ron (Snapback Slope)
5) It2 (Destructive Current) Id
Ron
Vsp
Isp Vav
I(Rd)
V(D)Vd
I-V Characteristic: ESD Parameters
3
All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc.2013

4. ESDのスパイスモデルの等価回路図
G
Rs {R} Rd {R}
S D
D2
M1 Dsp
B D1
Dave
Q1 F
Qpr s {f 1}
PARAMETERS:
Rsub
Rsub = 1800
R = 85
f1 = 10
B
All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc.2013 4