1. TIPOS DE MEMORIA
NOMBRE: Jazmín Leonor Quezada Prado
CURSO: 3ERO «C»
DOCENTE: ING KARINA GARCIA
2013 -2014

2. MEMORIA RAM
MEMORIA ROM

3. Hay tres tipos de memorias RAM, la
primeras son las DRAM, SRAM y
una emulación denominada Swap
RAM proviene de ("Read Aleatory Memory") ó memoria de
lectura aleatoria: es un dispositivo electrónico que se encarga
de almacenar datos e instrucciones de manera temporal, de
ahí el término de memoria de tipo volátil ya que pierde los
datos almacenados una vez apagado el equipo; pero a cambio
tiene una muy alta velocidad para realizar la transmisión de la
información.

4. las siglas provienen de ("Dinamic
Read Aleatory Memory") ó dinámicas,
debido a que sus chips se encuentran
construidos a base de condensadores
(capacitores).
Memoria RAM tipo TSOP.
Memoria RAM tipo SIP.
Memoria RAM tipo SIMM.
Memoria RAM tipo DIMM - SDRAM.
Memoria RAM tipo DDR/DDR1 y SODDR.
La siguiente lista muestra las
memorias RAM en modo
descendente, la primer liga es la
mas antigua y la última la mas
reciente:
Memoria RAM tipo RIMM.
Memoria G-RAM / V-RAM (Actual).
Memoria RAM tipo DDR2 y SO-DDR2
(Actual).
Memoria RAM tipo DDR3 y SODDR3(Actual).
Memoria RAM tipo DDR4 y SO-DDR4
(Próxima Generación).

5. Memoria RAM tipo TSOP.
Memoria RAM tipo SIP.
TSOP proviene de ("Thin Small
Out-line Package"), lo que
traducido significa conjunto de
bajo perfil fuera de línea. Son un
tipo de memorias DRAM (RAM de
celdas construidas a base
de capacitores), los
primeros módulos de memoria
aislados que se introducían en
zócalos especiales de la tarjeta
principal ("Motherboard"). Estos
chips en conjunto iban sumando
las cantidades de memoria RAM
del equipo
SIP es la sigla de ("Single In-line
Package"), lo que traducido significa
soporte simple en línea: son los
primeros tipos de memorias DRAM
(RAM de celdas construidas a base
decapacitores), que integraron en
una sola tarjeta varios módulos
de memoria TSOP, lográndose
comercializar mayores capacidades
en una sola placa. Las terminales se
concentraron en la parte baja en
forma de pines (30) que se
insertaban dentro de las ranuras
especiales de la tarjeta principal
(Motherboard).

6. SIMM proviene de ("Single In
line Memory Module"), lo que
traducido significa módulo de
memoria de únicamente una línea
(este nombre es debido a que sus
contactos se comparten de
ambos lados de la tarjeta de
memoria): son un tipo de
memorias DRAM (RAM de celdas
construidas a base
de capacitores), las cuáles tienen
los chips de memoria de un solo
lado de la tarjeta y cuentan con
un conector especial de 30 ó 72
terminales
DIMM proviene de ("Dual In line
Memory Module"), lo que traducido
significa módulo de memoria de línea
dual (este nombre es debido a que
sus contactos de cada lado son
independientes, por lo tanto el
contacto es doble en la tarjeta de
memoria): son un tipo de memorias
DRAM (RAM de celdas construidas a
base de capacitores), las cuáles
pueden tener chips de memoria en
ambos lados de la tarjeta ó solo de
un lado, cuentan con un conector
especial de 168 terminales para
ranuras de la tarjeta principal
(Motherboard).

7. DDR proviene de ("Dual Data Rate"),
lo que traducido significa transmisión
doble de datos (este nombre es
debido a que incorpora dos canales
para enviar los datos de manera
simultánea): son un tipo de memorias
DRAM (RAM de celdas construidas a
base de capacitores), las cuáles
tienen los chips de memoria en ambos
lados de la tarjeta y cuentan con un
conector especial de 184 terminales
para ranuras de la tarjeta principal
(Motherboard). También se les
denomina DIMM tipo DDR, debido a
que cuentan con conectores
físicamente independientes por ambas
caras como el primer estándar DIMM.
RIMM proviene de ("Rambus In line
Memory Module"), lo que traducido
significa módulo de memoria de línea
con bus integrado (este nombre es
debido a que incorpora su propio bus
de datos, direcciones y control de
gran velocidad en la propia tarjeta de
memoria): son un tipo de memorias
RAM del tipo RDRAM ("Rambus
Dynamic Random Access Memory"):
es decir, también están basadas en
almacenamiento por medio
de capacitores), que integrancircuitos
integrados y en uno de sus lados
tienen las terminaciones, que sirven
para ser insertadas dentro de las
ranuras especiales para memoria de
la tarjeta principal (Motherboard).

8. Es una tarjeta para expansión de
capacidades que sirve para procesar y
otorgar mayor capacidad de
despliegue de gráficos en pantalla, por
lo que libera al microprocesador y a
la memoria RAM de estas actividades
y les permite dedicarse a otras
tareas. La tarjeta de video se inserta
dentro de las ranuras de expansión ó
"Slots" integradas en la tarjeta
principal ("Motherboard") y se atornilla
al gabinete para evitar movimientos y
por ende fallas. Todas las tarjetas de
video integran uno ó
varios puertos para conectar los
dispositivos externos tales como
monitores CRT, pantallas LCD,
proyectores, etc.
DDR-2 proviene de ("Dual Data
Rate 2"), lo que traducido significa
transmisión doble de datos segunda
generación (este nombre es debido a
que incorpora dos canales para
enviar y además recibir los datos de
manera simultánea): son un tipo de
memorias DRAM (RAM de celdas
construidas a base de capacitores),
las cuáles tienen los chips de
memoria en ambos lados de la tarjeta
y cuentan con un conector especial
de 240 terminales para ranuras de
la tarjeta principal (Motherboard).
También se les denomina DIMM tipo
DDR2, debido a que cuentan con
conectores físicamente
independientes por ambas caras
como el primer estándar DIMM.

9. DDR-3 proviene de ("Dual Data
Rate 3"), lo que traducido significa
transmisión doble de datos tercer
generación: son el mas moderno
estándar, un tipo de memorias DRAM
(RAM de celdas construidas a base
de capacitores), las cuáles tienen los
chips de memoria en ambos lados de
la tarjeta y cuentan con un conector
especial de 240 terminales para
ranuras de la tarjeta principal
(Motherboard). También se les
denomina DIMM tipo DDR3, debido a
que cuentan con conectores
físicamente independientes por ambas
caras como el primer estándar DIMM.
Este tipo de memoria cuenta en su
gran mayoría de modelos con
disipadores de calor, debido a que se
sobrecalientan.
DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate
4"), lo que traducido significa transmisión
doble de datos cuarta generación: se trata
de el estándar desarrollado por la firma
Samsung® para el uso con futuras
tecnologías. Al igual que sus antecesoras,
se basa en el uso de tecnología tipo
DRAM (RAM de celdas construidas a
base de capacitores), las cuáles tienen los
chips de memoria en ambos lados de la
tarjeta, y según las imágenes liberadas
por el sitio Web, 240 terminales, las
cuáles están especializadas para las
ranuras de las tarjetas principales
(Motherboard) de nueva generación.
También se les denomina DIMM tipo
DDR4, debido a que cuentan con
conectores físicamente independientes
por ambas caras como el primer estándar
DIMM.

10. La memoria ROM (Read Only Memory) o memoria de sólo
lectura es una medio que permite el almacenamiento de
información en computadoras y dispositivos electrónicos.
Como su nombre lo indica, sólo es posible la lectura de los
datos, no su escritura. Los mismos no pueden ser
modificados.

11. PROM o PROGRAMMABLE
READ ONLY MEMORY (ROM
programmable): es una memoria
de character digital en donde la
valoración de un bit esta sujeta al
estado de un fusible, el cual tiene la
posibilidad de quemarse una única
vez.
EPROM o ERASABLE
PROGRAMMABLE READ ONLY
MEMORY (ROM programable y
borrable): se refiere a un chip de
memoria ROM constituido por celdas de
transistores de puerta flotante. Éstos
provienen de la fábrica sin ser cargados.
En consecuencia son interpretados como
1. La programación de estos chips se
realiza por medio de un dispositivo
electrónico especial.
ROM
EEPROM o ELECTRICALLY ERASABLE
PROGRAMMABLE READ ONLY
MEMORY (ROM programable y borrable
eléctricamente): como su nombre lo
indica, esta clase de memoria ROM
dispone de la capacidad de programación,
borrado y reprogramación de forma
eléctrica. No son memorias volátiles.
FLASH: constituye una clase de
EEPROM, la cual puede ser
reprogramada en bloques. Es un
dispositivo de almacenamiento que
admite la lectura y escritura de un gran
número de posiciones de memoria en una
misma acción. Tiene una velocidad de
funcionamiento superior al resto de las
memorias ROM.