tarea

1. Colegio de educación profesional técnica del
estado de México
Elaboro: Méndez Mendoza Jennifer
Robles zarate Beatriz Adriana
Semestre a cursar: 2.15-2.16
(CONCEPTOS)
Grupo: 207
Carrera: P.T.B bachiller en informática
Turno: matutino
Modulo: mantenimiento de equipo de cómputo
básico
Profesor: Hugo Acosta

2. DIMM: Los módulos DIMM sonun tipo de módulos de memoria,así
llamados por su modo de disponerlos chips que los forman. Asi, DIMM
sonlas siglas de Dual In Line MemoryModule,ycomo sunombre indica,
los módulos se disponen en paralelo, en uno o ambos lados de la
memoria, pero siempre con
contactos eléctricos separados,
cada uno independiente del otro.
Esta memoria se conecta
directamente a la placa base para
que la reconozcay la pueda utilizar,
siendo usada en general como
memoria RAM de los PCs de
sobremesa. La ventaja evidente es
que la memoria DIMM podía tener
hasta el doble de capacidad con la misma tecnologíaque las memorias
SIMM que se venían utilizando hasta entonces. Por si fuera poco, al
tener ya los módulos emparejados en un solo chip, permitían trabajar
con 64 bits con un sólo módulo, en vez de los 32 normales de las
memorias SIMM, lo que le posibilitaba trabajar con ordenadores,
periféricosy sistemas operativos más modernos,que requerían 64 bits,
y que por tanto hubiesen necesitado un par de memorias SIMM
instaladas de forma simultánea (32 bitsx2) para poder trabajar. Alguna
variante trabajaba en vez de 64 bits en 72.El motivo de esto era que en
vez de enviar los datos en paquetes de 8 bits los mandaba en paquetes
de 9, siendo el último bit usado para detectar y corregir errores en la
transmisión. Esta tecnología se llamaba ECC, y aunque no era muy
común, se usaba para detectar y corregir fallos en grandes equipos.
RIMM proviene de ("Rambus In line Memory Module"), lo que
traducido significamódulo de memoria de línea con bus integrado (este
nombre es debido a que incorpora su propio bus de datos, direcciones
y control de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria): son un tipo
de memorias RAMdeltipo RDRAM("RambusDynamic Random Access
Memory"): es decir, también están basadas en almacenamiento por

3. medio de capacitores),que integran circuitos integrados yen uno de sus
lados tienen las terminaciones,que sirven para ser insertadas dentro de
las ranuras especiales para memoria
de la tarjeta principal (Motherboard).
También se les denomina DIMM tipo
RIMM, debido a que cuentan con
conectores físicamente
independientes por ambas caras como
el primer estándar DIMM.
Se buscabaque fueranel estándarque
reemplazaría a las memorias RAM tipo DIMM ("Dual In line Memory
Module").
Las memorias RIMM fueron reemplazadas por las memorias RAM tipo
DDR ("Double Data Rate") las cuáles eran más económicas.
DDR-2 proviene de ("Dual Data Rate 2"), lo que traducido significa
transmisión doble de datos segundageneración(este nombre esdebido
a que incorpora dos canales para enviar y además recibir los datos de
manera simultánea): son un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas
construidas a base de capacitores), las cuáles tienen los chips de
memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector

4. especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal
(Motherboard). También se les denomina DIMM tipo DDR2, debido a
que cuentan con conectores físicamente independientes por ambas
caras como el primer estándar DIMM.
+ Todos las memorias DDR-2 cuentan con 240 terminales.
+ Cuentan con una muesca en un lugar estratégico delconector,
para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera
incorrecta.
+ Como sus antecesores,puedenestar ó no ocupadas todas sus
ranuras para memoria.
+ Tiene un voltaje de alimentación de 1.8 Volts.
DDR-3 proviene de ("Dual Data Rate 3"), lo que traducido significa
transmisión doble de datos tercer generación: son el mas moderno
estándar, un tipo de memorias DRAM (RAM de celdas construidas a
base de capacitores),las cuáles tienen los chips de memoria en ambos
lados de la tarjeta y cuentan con un conectorespecialde 240 terminales
para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). También se les
denomina DIMM tipo DDR3, debido a que cuentan con conectores
físicamente independientes por ambas caras como el primer estándar
DIMM. Este tipo de memoriacuenta en su gran mayoría de modeloscon
disipadores de calor, debido a que se sobrecalientan.
+ Todos las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales.
+ Una característica es que si no todas, la mayoría cuentan con
disipadores de calor.
+ Cuentan con una muesca en un lugar estratégico delconector,
para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera
incorrecta ó para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas.
+ Como sus antecesores,puedenestar ó no ocupadas todas sus
ranuras para memoria.
+ Tiene un voltaje de alimentación de 1.5 Volts hacia abajo.

5. + Con los sistemas operativos Microsoft® Windows mas recientes
en sus versiones de 32 bits , es posible que no se reconozca la
cantidad de memoria DDR3 total instalada, ya que solo se
reconoceráncomo máximo 2 GB ó 3 GB, sin embargo el problema
puede ser resuelto instalando las versiones de 64 bits.
+ Algunas versiones de memorias DDR3 son Plug&Play, por lo que
no es necesario reiniciar el equipo al conectarse y se detecta de
manera automática y se añada a la ya existente.
DDR-4 proviene de ("Dual Data Rate 4"), lo que traducido significa
transmisión doble de datos cuarta generación: se trata de el estándar
desarrollado inicialmente porla firmaSamsung® para el uso connuevas
tecnologías. Al igual que sus antecesoras, se basa en el uso de
tecnología tipo DRAM (RAM de celdas construidas a base de
capacitores), cuentan con 288 terminales, las cuáles están
especializadas para las ranuras de las tarjetas principales
(Motherboard) de nueva generación con soporte Intel® Haswell-E
(X99). También se les denomina DIMM tipo DDR4, debido a que
cuentan con conectores físicamente independientes por ambas caras
como el primer estándar DIMM
+ Cuentan con 288 terminales para la conexión a la Motherboard.
+ Cuentan con una muesca en un lugar estratégico delconector,
para que al insertarlas no haya riesgo de colocarlas de manera
incorrecta ó para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas.
+ Como sus antecesores,puedenestar ó no ocupadas todas sus
ranuras para memoria.
+ Utiliza la tecnologíade 30 nanómetros para su fabricación.
+ Tiene un voltaje de alimentación de 1.2-1.35 Volts,menor a las
anteriores versiones DDR.