2. Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

3. Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer
transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por J.
Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan,
muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de modular la
resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de
"transfer resistor". Se basa en efectos de superficie, poco
conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas)
y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W.
Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la
actualidad ha desaparecido.

4. Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una región de tipo P en un canal de tipo N,
tal y como se muestra en la Figura 1. A ambos lados del canal se conectan los
terminales de fuente (S, Source) y drenaje (D, Drain). El tercer terminal se denomina
puerta (G, Gate).
Figura 1: Esquema del transistor JFET de canal N

5. Figura 2: Símbolos de los transistores JFET

6.  Las prestaciones del transistor MOSFET
son similares a las del JFET, aunque su
principio de operación y su estructura
interna son diferentes. Existen cuatro
tipos de transistores MOS:
 Enriquecimiento de canal N
 Enriquecimiento de canal P
 Empobrecimiento de canal N
 Empobrecimiento de canal P
 Los símbolos son:
La característica constructiva
común a todos los tipos de transistor
MOS es que el terminal de puerta (G)
está formado por una estructura de tipo
Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es
aislante, con lo que la corriente de
puerta es prácticamente nula, mucho
menor que en los JFET. Por ello, los
MOS se emplean para tratar señales de
muy baja potencia.

7.  En la Figura se pone de manifiesto
cómo la intensidad ID aumenta
bruscamente cuando se supera la
tensión umbral VTH (Threshold
Voltage) y se crea el canal. Es un
componente idóneo para
conmutación, puesto que pasa de
un estado de corte a uno de
conducción a partir de un valor de
la señal de control. En los
dispositivos con el terminal de
puerta de aluminio y el aislante de
óxido de silicio, la tensión umbral
está en torno a los cinco voltios.
La característica VDS - ID del transistor NMOS de enriquecimiento
es muy similar a la del JFET, pero los valores de VGS cambian: en
este caso la conducción se da para voltajes positivos por encima
del umbral.

8.  ElNMOS de
empobrecimiento
puede funcionar
también como
transistor de
enriquecimiento. Si la
tensión VGS se hace
positiva se atraerán
electrones al canal.
Además, a diferencia
de los JFET, la
impedancia de
entrada continua
siendo muy elevada

10. • http://es.wikipedia.org/wiki/
• http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
• http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_se
miconductor_5.htm
• http://www.circuitosimpresos.org/2008/06/02/diodos/
• http://www.microelectronicash.com/
• http://www.ifent.org/lecciones/zener/default.asp
• http://www.neoteo.com/midiendo-diodos-y-transistores-
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