Más contenido relacionado
La actualidad más candente (20)
Más de Mohamadreza Govahi (6)
CVD-Chemical Vapor Deposition by Mr.Govahi
- 2. بخار فاز از شیمیایی گذاری رسوب
و فلزی های الیه رسوب برای فراگیر فرایندی
باشد می سرامیکی.
واکنش از جامد ماده یک فرایند این طی
آید می بوجود بخار فاز در شیمیایی.
داغ زیرالیه یک روی بر شیمیایی واکنش این
افتد می اتفاق سرد یا و.
- 3. کاربردهایCVD
الکترونیکی تجهیزات و ها هادی نیمه تولید
سایش به مقاوم قطعات دهی پوشش
نوری فیبرهای مانند ُپتیکیا مواد
خوردگی به مقاوم مواد
باال استحکام فیبرهای
نانو های پوشش
نازک های پوشش(Thin Films)
- 4. کاربرد های زمینهCVD
پلی ،ها کریستال تک فابریکیشن میکرو
کریستالهای تک و آمورف مواد ،ها کریستال
محور هم(Epitaxial)
،کربنی فیبرهای نانو ،کربنی فیبر ،سیلیکون
ها خازن ،کربنی های لوله نانو ،ها فالمنت
W, SiO2, SiC, SiN, TiN,Si-Ge
مصنوعی های الماس تولید(Synthetic
Diamonds)
- 6. روشهای بندی طبقهCVDفشار اساس بر
AP-CVD:CVDاتمسفر فشار با
LP-CVD:CVDکم فشار با
UHV-CVD:CVDزیاد بسیار خالء تحت
(0.000001 atm)
- 7. بندی طبقهروشهایCVDدما اساس بر
HT-CVD:از باالتر دماهای در دهی رسوب
900سانتیگراد درجه
MT-CVD:دماهای بین دهی رسوب600تا
900سانتیگراد درجه
LT-CVD:زیر دماهای برای دهی رسوب
600سانتیگراد درجه
- 11. های واکنش کننده کنترل عواملCVD
واکنش شیمی
ترمودینامیکی پارامترهای(و جرم انتقال)...
دما
فشار
فرآیند شیمیایی اکتیویته
- 12. حرارتی روشThermal CVD
از باالتر دمای در واکنش حرارتی روش در
900cهای روش جز و شود می فعالHT-
CVDباشد می.
رآکتور گاز؛ تزریق واحد به مجهز دستگاه
(گذاری رسوب محفظه)گاز خروج سیستم و
باشد می.
- 17. CVDپالسما
بین دماهای در روش این300تا700درجه
سانتیگراد(فوالدها یوتکتویید خط زیر)انجام
های روش جز و شود میMT-CVDاست.
روش این در حرارتی پسماند تنشهای
کیفیت و بوده کمتر حرارتی روش به نسبت
است بهتر.
ذوب نقطه با فلزات توان می دماها این در
نمود دهی رسوب نیز را پلیمرها و پایین.
- 24. در دهی پوشش موادCVD
الکتریکها دی و ها خازن:SiN, SiO2
فلزات:W,Mo,Cu,Al,Ti,Ni,Re
ها هادی نیمه:Epitaxial Silicon,
Germanium Arsenide, Poly Silicon,…
- 25. مولیبدن گذاری رسوب واکنش
1-مولیبدن کلرید احیای:دمای بین400تا
1350از کمتر فشار در و سانتیگراد درجه
20Torr
2-مولیبدن کربونیل تجزیه:دمای در300تا
700بین فشاری و سانتیگراد درجه1-700
Torrهیدروژنی اتمسفر در
- 26. نیکل گذاری رسوب واکنش
نیکل کربونیل تجزیه:دماهای بین180c-
200cاز کمتر فشار و760Torr
- 27. تنگستن گذاری رسوب واکنش
هیدروژن توسط تنگستن هالید احیای:
بین دمایی محدوده300تا700cمحدوده و
بین فشاری10-760Torr
هیدروژن توسط تنگستن کلراید احیای:
بین دمایی محدوده900-1300cمحدوده و
بین فشاری15-20Torr
- 30. پوششهای کاربرد ترین مهمCVD
فلزات دهی شکل صنعت:
•سیم کشش قالبهای(TiC)
•سکه تولید ابزارهای(TiC)
•عمیق کشش های قالب(TiC)
•آسیاب های چرخ پوشش(B4C)
سرامیک و پالستیک تولید صنایع:
•اکستروژن های قالب(TiC)
- 31. پوششهای کاربرد ترین مهمCVD
شیمیایی مواد تولید صنایع:
•خورنده مایعات حامل های سوپاپ و ها پمپ(SiC)
•ساینده مایعات حامل های لوله(TiB2)
•ساینده مواد انتقال های لوله(WC)
•کاغذ تولید های شافت و غلطک(TiC)
•سندبالست های نازل(TiC,TiB2,B4C)
- 32. پوششهای کاربرد ترین مهمCVD
ای هسته صنایع:
•ای هسته رآکتور در نوترون فالکس کنترل برای پوشش
(B4C)
•نوترونی های اشعه دربرابر محافظ ورقهای پوشش
(B4C)
•ای هسته شکاف رآکتور پوشش(SiC)
•اتمی زباله حمل کانتینرهای پوشش(SiC)
•تشعشعی سنسورهای(SiC)
- 38. روش مزایایCVD
.1دمای از کمتر دمایی در دیرگداز مواد
شوند می گذاری رسوب زینترشان.
.2تئوری دانسیته به نزدیک پوشش دانسیته
است آن.
.3و پوشش های دانه گیری جهت کنترلاندازه
آنها
.4جو فشار در فرآیند انجام امکان.
.5است مناسب بسیار پوشش و زیرالیه پیوند.
- 39. روش های محدودیتCVD
.1باال کاربری دمای(مواد از خاصی محدوده
بود خواهند گذاری رسوب قابلیت)
.2بکار شیمیایی مواد بودن سمی و خطرناک
شده برده
.3که پوشش الیه از غیر محصوالتی ایجاد
اند خورنده یا سمی بسیار
.4باال دما گذاری رسوب برای باال بسیار هزینه
- 40. الماس توسط شده دهی پوشش مته
روش به مصنوعیCVDشرکت سفارش به
مارتین النکهید
- 45. ایندیوم های دات کوانتوم-داده رسوب آرسناید
ها هادی نیمه در آرسناید گالیم روی شده
- 47. منابع و مراجع
ASM Handbook Vol 5, Surface
Engineering
Wikipedia.com
Wikipg.org
diamondtc.com
endmill.com
sp3diamondtech.com
Raskhoon.com