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+ フォトトランジスタ TLP846 ○ スチルカメラ、デジタルスチルカメラ ○ ビデオカメラ ○ フロッピーディスクドライブ ○ パーソナル機器、小型 OA 機器 TLP846 は、GaAs 赤外 LED と Si フォトトランジスタを組み合わせたフォト インタラプタです。 超小型パッケージで溝幅が広く、またスリット幅が狭くて高分解能です。 • 超小型パッケージ : 3.5×2.6×2.9mm • 溝幅 : 1.2mm • 高分解能 : スリット幅 0.15 mm • 高変換効率 : IC/IF = 3% (最小) • 本体樹脂材質 : ポリブチレンテレフタレート (UL94V-0、黒色) • 鉛フリー対応 最大定格 (Ta = 25°C) 現品表示 (注 2) 項 目 記 号 定 格 単位 直 流 順 電 流 IF 30 mA 直流順電流低減率 (Ta > 25°C) ∆IF/°C −0.33 mA/°C 発 光 側 直 流 逆 電 圧 VR 5 V コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 電 圧 VCEO 35 V エ ミ ッ タ ・ コ レ ク タ 間 電 圧 VECO 5 V コ レ ク タ 損 失 PC 75 mW コレクタ損失低減率(Ta > 25°C) ∆PC/°C −1 mW/°C 受 光 側 コ レ ク タ 電 流 IC 50 mA 動 作 温 度 Topr −30~85 °C 保 存 温 度 Tstg −40~100 °C は ん だ 付 け 温 度 (5 s) (注 1) Tsol 260 °C 注 1: 本体樹脂下面より 1 mm 以上 注 2: 4 桁算用数字で構成し、左から 1 桁がランク表示、残り 3 桁が週別ロット表示を示す。 ※ランク表示 無印⇒無し R⇒R ランク品 ※週別ロット表示 3 桁算用数字で構成し、西暦年号の末尾 1 桁、および残りの 2 桁は製造週とする。 東 芝 11-4H2 質量: 0.035 g (標準) 製造週コード (その年の第一週を 01 とし、以降 52 または 53 まで) 製造年コード (西暦の下 1 桁) ランク表示 週別ロット表示
2.
TLP846 2004-01-232 電気・光学的特性 (Ta =
25°C) 項 目 記 号 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位 順 電 圧 VF IF = 10 mA 1.10 1.23 1.40 V 逆 電 流 IR VR = 5 V ⎯ ⎯ 10 µA 発 光 側 ピ ー ク 発 光 波 長 λP IF = 10 mA ⎯ 940 ⎯ nm 暗 電 流 ID (ICEO) VCE = 24 V, IF = 0 ⎯ ⎯ 0.1 µA受 光 側 ピ ー ク 感 度 波 長 λP ⎯ ⎯ 820 ⎯ nm TLP846 3 ⎯ 24 % 変 換 効 率 IC/IF VCE = 2 V IF = 5 mA TLP846 (R) 4 ⎯ 20 % コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE (sat) IF = 10 mA, IC = 0.15 mA ⎯ 0.1 0.4 V 上 昇 時 間 tr VCC = 5 V, IC = 1 mA ⎯ 15 50 伝 達 特 性 下 降 時 間 tf RL = 1k Ω (注 3) ⎯ 15 50 µs 注 3: スイッチング時間の測定回路、波形 使用上の注意 • はんだ付け後のフラックス除去のために薬品洗浄される場合は、はんだ付け面のリード部だけ洗浄し、パッケー ジ全体の浸漬洗浄は行わないでください。 浸漬洗浄は、LED、フォトトランジスタの発光、受光面に洗浄液が残留した場合、光学特性に影響を与え、変換 効率の著しい低下を引き起こすことがあります。 • デバイスの設置環境は十分に注意してください。油や化学薬品により、パッケージが溶解したり、クラックを引 き起こす場合があります。 • 反りのない場所へ取り付けてください。 • 変換効率は、赤外 LED への通電により時間とともに低下します。経時変化量を十分考慮し、回路設計してくださ い。 変換効率の変動は、赤外 LED の光出力変動と 1 : 1 の相関があります。 VCC VOUT RL IF VOUT IF tr 90% 10% tf td ts IC/IF (t) IC/IF (0) = Po (t) Po (0)
3.
TLP846 2004-01-233 外形図 11-4H2 質量: 0.035 g
(標準) ピン接続図 単位: mm 指定外公差:±0.2mm ( )は参考値 1: カソード 2: アノード 3: コレクタ 4: エミッタ 2 1 3 4
4.
TLP846 2004-01-234 0 20 40 60 80 0 20 40
60 80 100 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 0 2 4 6 8 10 12 1 10 100 1 10 100 0.01 0.1 1 10 1 10 100 1 10 100 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 0 5 10 15 20 25 30 35 0 20 40 60 80 100 IF – Ta 周囲温度 Ta (°C) 許容順電流IF(mA) IF – VF (代表値) 順 電 圧 VF (V) 順電流IF(mA) 0 Ta = 75°C 50 25 −25 IC – IF 順 電 流 IF (mA) コレクタ電流IC(mA) Ta = 25°C VCE = 2V VCE = 0.4V サンプル 1 サンプル 2 IC / IF – IF 順 電 流 IF (mA) 変換効率IC/IF(%) Ta = 25°C VCE = 2V VCE = 0.4V サンプル 2 サンプル 1 IC – VCE (代表値) コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ電流IC(mA) 20 IF = 5mA 10 15 Ta = 25°C PC – Ta 周囲温度 Ta (°C) 許容コレクタ損失PC(mW)
5.
TLP846 2004-01-235 1 10 100 1000 1 10 100 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 0
20 40 60 80 100 120 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 -40 -20 0 20 40 60 80 100 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 0.00 0.04 0.08 0.12 0.16 0.20 -40 -20 0 20 40 60 80 100 相対 IC – Ta (代表値) 周囲温度 Ta (°C) 相対コレクタ電流 VCE = 2V IF = 20mA IF = 10mA IF = 5mA VCE (sat) – Ta (代表値) 周囲温度 Ta (°C) コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)(V) IC = 0.15mA IF = 10mA スイッチング特性 (飽和動作) (代表値) 負荷抵抗 RL (kΩ) スイッチング時間(µs) Ta = 25°C IF = 20mA VCC = 5V VOUT ≧ 4.65V tr ts tf td スイッチング特性 (非飽和動作) (代表値) 負荷抵抗 RL (kΩ) スイッチング時間(µs) tr, tf td ts Ta = 25°C VCC = 5V VOUT = 1V ID (ICEO) – Ta (代表値) 周囲温度 Ta (°C) 暗電流ID(ICEO)(µA) VCE = 24V
6.
TLP846 2004-01-236 しゃ光板とデバイスの位置関係 正常に動作させるために、しゃ光板とデバイスの位置関係は、下図を遵守してください。 しゃ光板のスリット幅およびスリットピッチ寸法は、デバイスの検出位置特性とスイッチング時間を十分に考慮し、決定 してください。 1.4min 0.85 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 -2 -1 0
1 2 3 4 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 IF = 5mA VCE = 2V Ta = 25°C 検出位置 d = 0 ± 0.125mm 検出位置特性 (1) (代表値) 距 離 d (mm) 相対コレクタ電流 0 d しゃ光板 +− 検出位置特性 (2) (代表値) 距 離 d (mm) 相対コレクタ電流 IF = 5mA VCE = 2V Ta = 25°C 検出位置 d = 0.85 mm しゃ光板 d +0.55 -0.60.25max センサ中心 単位: mm A – A’断面図 A A’ しゃ光板
7.
TLP846 2004-01-237 • 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当 社半導体製品をご使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命・身体・財産が侵害されることの ないように、購入者側の責任において、機器の安全設計を行うことをお願いします。 なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべ き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」、「半導体信頼性ハンドブック」など でご確認ください。 • 本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器
(コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用 ロボット、家電機器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され、その故障や 誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器 (原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、 交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置など) にこれらの製品を使用すること (以下 “特定用途” とい う) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用途に使用 することは、お客様の責任でなされることとなります。 • 本資料に掲載されている製品の材料には、GaAs (ガリウムひ素) が使われています。その粉末や蒸気は人体に対 し有害ですので、破壊、切断、粉砕や化学的な分解はしないでください。 • 本資料に掲載されている技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社お よび第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。 • 本資料に掲載されている製品を、国内外の法令、規則および命令により製造、販売を禁止されている応用製品に 使用することはできません。 • 本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。 030519TAC 当社半導体製品取り扱い上のお願い
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