SlideShare una empresa de Scribd logo
1 de 7
Descargar para leer sin conexión
TLP846
2004-01-231
東芝フォトインタラプタ 赤外 LED + フォトトランジスタ
TLP846
○ スチルカメラ、デジタルスチルカメラ
○ ビデオカメラ
○ フロッピーディスクドライブ
○ パーソナル機器、小型 OA 機器
TLP846 は、GaAs 赤外 LED と Si フォトトランジスタを組み合わせたフォト
インタラプタです。
超小型パッケージで溝幅が広く、またスリット幅が狭くて高分解能です。
• 超小型パッケージ : 3.5×2.6×2.9mm
• 溝幅 : 1.2mm
• 高分解能 : スリット幅 0.15 mm
• 高変換効率 : IC/IF = 3% (最小)
• 本体樹脂材質 : ポリブチレンテレフタレート (UL94V-0、黒色)
• 鉛フリー対応
最大定格 (Ta = 25°C) 現品表示 (注 2)
項 目 記 号 定 格 単位
直 流 順 電 流 IF 30 mA
直流順電流低減率 (Ta > 25°C) ∆IF/°C −0.33 mA/°C
発
光
側
直 流 逆 電 圧 VR 5 V
コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 電 圧 VCEO 35 V
エ ミ ッ タ ・ コ レ ク タ 間 電 圧 VECO 5 V
コ レ ク タ 損 失 PC 75 mW
コレクタ損失低減率(Ta > 25°C) ∆PC/°C −1 mW/°C
受
光
側
コ レ ク タ 電 流 IC 50 mA
動 作 温 度 Topr −30~85 °C
保 存 温 度 Tstg −40~100 °C
は ん だ 付 け 温 度 (5 s) (注 1) Tsol 260 °C
注 1: 本体樹脂下面より 1 mm 以上
注 2: 4 桁算用数字で構成し、左から 1 桁がランク表示、残り 3 桁が週別ロット表示を示す。
※ランク表示 無印⇒無し R⇒R ランク品
※週別ロット表示
3 桁算用数字で構成し、西暦年号の末尾 1 桁、および残りの 2 桁は製造週とする。
東 芝 11-4H2
質量: 0.035 g (標準)
製造週コード (その年の第一週を 01 とし、以降 52 または 53 まで)
製造年コード (西暦の下 1 桁)
ランク表示
週別ロット表示
TLP846
2004-01-232
電気・光学的特性 (Ta = 25°C)
項 目 記 号 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位
順 電 圧 VF IF = 10 mA 1.10 1.23 1.40 V
逆 電 流 IR VR = 5 V ⎯ ⎯ 10 µA
発
光
側
ピ ー ク 発 光 波 長 λP IF = 10 mA ⎯ 940 ⎯ nm
暗 電 流 ID (ICEO) VCE = 24 V, IF = 0 ⎯ ⎯ 0.1 µA受
光
側 ピ ー ク 感 度 波 長 λP ⎯ ⎯ 820 ⎯ nm
TLP846 3 ⎯ 24 %
変 換 効 率 IC/IF
VCE = 2 V
IF = 5 mA TLP846 (R) 4 ⎯ 20 %
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE (sat) IF = 10 mA, IC = 0.15 mA ⎯ 0.1 0.4 V
上 昇 時 間 tr VCC = 5 V, IC = 1 mA ⎯ 15 50
伝
達
特
性
下 降 時 間 tf RL = 1k Ω (注 3) ⎯ 15 50
µs
注 3: スイッチング時間の測定回路、波形
使用上の注意
• はんだ付け後のフラックス除去のために薬品洗浄される場合は、はんだ付け面のリード部だけ洗浄し、パッケー
ジ全体の浸漬洗浄は行わないでください。
浸漬洗浄は、LED、フォトトランジスタの発光、受光面に洗浄液が残留した場合、光学特性に影響を与え、変換
効率の著しい低下を引き起こすことがあります。
• デバイスの設置環境は十分に注意してください。油や化学薬品により、パッケージが溶解したり、クラックを引
き起こす場合があります。
• 反りのない場所へ取り付けてください。
• 変換効率は、赤外 LED への通電により時間とともに低下します。経時変化量を十分考慮し、回路設計してくださ
い。
変換効率の変動は、赤外 LED の光出力変動と 1 : 1 の相関があります。
VCC
VOUT
RL
IF
VOUT
IF
tr
90%
10%
tf
td
ts
IC/IF (t)
IC/IF (0)
=
Po (t)
Po (0)
TLP846
2004-01-233
外形図
11-4H2
質量: 0.035 g (標準)
ピン接続図
単位: mm
指定外公差:±0.2mm
( )は参考値
1: カソード
2: アノード
3: コレクタ
4: エミッタ
2
1
3
4
TLP846
2004-01-234
0
20
40
60
80
0 20 40 60 80 100
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0 2 4 6 8 10 12
1
10
100
1 10 100
0.01
0.1
1
10
1 10 100
1
10
100
0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
0
5
10
15
20
25
30
35
0 20 40 60 80 100
IF – Ta
周囲温度 Ta (°C)
許容順電流IF(mA)
IF – VF (代表値)
順 電 圧 VF (V)
順電流IF(mA)
0
Ta = 75°C
50 25
−25
IC – IF
順 電 流 IF (mA)
コレクタ電流IC(mA)
Ta = 25°C
VCE = 2V
VCE = 0.4V
サンプル 1
サンプル 2
IC / IF – IF
順 電 流 IF (mA)
変換効率IC/IF(%)
Ta = 25°C
VCE = 2V
VCE = 0.4V
サンプル 2
サンプル 1
IC – VCE (代表値)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流IC(mA)
20
IF = 5mA
10
15
Ta = 25°C
PC – Ta
周囲温度 Ta (°C)
許容コレクタ損失PC(mW)
TLP846
2004-01-235
1
10
100
1000
1 10 100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 20 40 60 80 100 120
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-40 -20 0 20 40 60 80 100
0.1
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
-40 -20 0 20 40 60 80 100
相対 IC – Ta (代表値)
周囲温度 Ta (°C)
相対コレクタ電流
VCE = 2V
IF = 20mA
IF = 10mA
IF = 5mA
VCE (sat) – Ta (代表値)
周囲温度 Ta (°C)
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(sat)(V)
IC = 0.15mA
IF = 10mA
スイッチング特性 (飽和動作) (代表値)
負荷抵抗 RL (kΩ)
スイッチング時間(µs)
Ta = 25°C
IF = 20mA
VCC = 5V
VOUT ≧ 4.65V
tr
ts
tf
td
スイッチング特性 (非飽和動作) (代表値)
負荷抵抗 RL (kΩ)
スイッチング時間(µs)
tr, tf
td
ts
Ta = 25°C
VCC = 5V
VOUT = 1V
ID (ICEO) – Ta (代表値)
周囲温度 Ta (°C)
暗電流ID(ICEO)(µA)
VCE = 24V
TLP846
2004-01-236
しゃ光板とデバイスの位置関係
正常に動作させるために、しゃ光板とデバイスの位置関係は、下図を遵守してください。
しゃ光板のスリット幅およびスリットピッチ寸法は、デバイスの検出位置特性とスイッチング時間を十分に考慮し、決定
してください。
1.4min
0.85
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-2 -1 0 1 2 3 4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6
IF = 5mA
VCE = 2V
Ta = 25°C
検出位置
d = 0 ± 0.125mm
検出位置特性 (1) (代表値)
距 離 d (mm)
相対コレクタ電流
0
d
しゃ光板
+−
検出位置特性 (2) (代表値)
距 離 d (mm)
相対コレクタ電流
IF = 5mA
VCE = 2V
Ta = 25°C
検出位置
d = 0.85 mm
しゃ光板
d
+0.55
-0.60.25max
センサ中心
単位: mm
A – A’断面図
A
A’
しゃ光板
TLP846
2004-01-237
• 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当
社半導体製品をご使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命・身体・財産が侵害されることの
ないように、購入者側の責任において、機器の安全設計を行うことをお願いします。
なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべ
き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」、「半導体信頼性ハンドブック」など
でご確認ください。
• 本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器 (コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用
ロボット、家電機器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され、その故障や
誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器 (原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、
交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置など) にこれらの製品を使用すること (以下 “特定用途” とい
う) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用途に使用
することは、お客様の責任でなされることとなります。
• 本資料に掲載されている製品の材料には、GaAs (ガリウムひ素) が使われています。その粉末や蒸気は人体に対
し有害ですので、破壊、切断、粉砕や化学的な分解はしないでください。
• 本資料に掲載されている技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社お
よび第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。
• 本資料に掲載されている製品を、国内外の法令、規則および命令により製造、販売を禁止されている応用製品に
使用することはできません。
• 本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
030519TAC
当社半導体製品取り扱い上のお願い

Más contenido relacionado

La actualidad más candente

CNZ1023(ON1023)のデータシート
CNZ1023(ON1023)のデータシートCNZ1023(ON1023)のデータシート
CNZ1023(ON1023)のデータシートTsuyoshi Horigome
 
ダーリントントランジスタのスパイスモデル
ダーリントントランジスタのスパイスモデルダーリントントランジスタのスパイスモデル
ダーリントントランジスタのスパイスモデルTsuyoshi Horigome
 
SSM3K15FSのスパイスモデルの注意点
SSM3K15FSのスパイスモデルの注意点SSM3K15FSのスパイスモデルの注意点
SSM3K15FSのスパイスモデルの注意点Tsuyoshi Horigome
 
Arduino简单交互尝试
Arduino简单交互尝试Arduino简单交互尝试
Arduino简单交互尝试Yuebo Shen
 
バリスタのスパイスモデル
バリスタのスパイスモデルバリスタのスパイスモデル
バリスタのスパイスモデルTsuyoshi Horigome
 
2SK2313のデータシート
2SK2313のデータシート2SK2313のデータシート
2SK2313のデータシートspicepark
 
Bee Technologies Products(Version 11) for DOC
Bee Technologies Products(Version 11) for DOCBee Technologies Products(Version 11) for DOC
Bee Technologies Products(Version 11) for DOCTsuyoshi Horigome
 
パワーMOSFETのtoffに関するモデルパラメータについて
パワーMOSFETのtoffに関するモデルパラメータについてパワーMOSFETのtoffに関するモデルパラメータについて
パワーMOSFETのtoffに関するモデルパラメータについてTsuyoshi Horigome
 
機械系のためのメカトロニクス オペアンプ(演算増幅器)
機械系のためのメカトロニクス オペアンプ(演算増幅器)機械系のためのメカトロニクス オペアンプ(演算増幅器)
機械系のためのメカトロニクス オペアンプ(演算増幅器)makoto shimojo
 
平成26年度熊本高専Arduino講座 第3週 DCモータの制御
平成26年度熊本高専Arduino講座 第3週 DCモータの制御平成26年度熊本高専Arduino講座 第3週 DCモータの制御
平成26年度熊本高専Arduino講座 第3週 DCモータの制御Katsuhiro Morishita
 
自動車業界向けSPICE(MATLAB)を活用したEV・HEVシミュレーションセミナー資料
自動車業界向けSPICE(MATLAB)を活用したEV・HEVシミュレーションセミナー資料自動車業界向けSPICE(MATLAB)を活用したEV・HEVシミュレーションセミナー資料
自動車業界向けSPICE(MATLAB)を活用したEV・HEVシミュレーションセミナー資料Tsuyoshi Horigome
 
MUSES8920の日本語のデータシート
MUSES8920の日本語のデータシートMUSES8920の日本語のデータシート
MUSES8920の日本語のデータシートspicepark
 
機械系のためのメカトロニクス 2)エレクトロニクス基礎その1
機械系のためのメカトロニクス 2)エレクトロニクス基礎その1機械系のためのメカトロニクス 2)エレクトロニクス基礎その1
機械系のためのメカトロニクス 2)エレクトロニクス基礎その1makoto shimojo
 
トランジスタ技術2012年5月号(209ページ)
トランジスタ技術2012年5月号(209ページ)トランジスタ技術2012年5月号(209ページ)
トランジスタ技術2012年5月号(209ページ)Tsuyoshi Horigome
 
ロボット技術研究会回路講習会2017-1
ロボット技術研究会回路講習会2017-1ロボット技術研究会回路講習会2017-1
ロボット技術研究会回路講習会2017-1MasayaMorinaga
 
機械系のためのメカトロニクス ディジタル回路
機械系のためのメカトロニクス ディジタル回路機械系のためのメカトロニクス ディジタル回路
機械系のためのメカトロニクス ディジタル回路makoto shimojo
 
トランジスタ技術2011年11月号(181ページ)
トランジスタ技術2011年11月号(181ページ)トランジスタ技術2011年11月号(181ページ)
トランジスタ技術2011年11月号(181ページ)Tsuyoshi Horigome
 

La actualidad más candente (20)

CNZ1023(ON1023)のデータシート
CNZ1023(ON1023)のデータシートCNZ1023(ON1023)のデータシート
CNZ1023(ON1023)のデータシート
 
ダーリントントランジスタのスパイスモデル
ダーリントントランジスタのスパイスモデルダーリントントランジスタのスパイスモデル
ダーリントントランジスタのスパイスモデル
 
SSM3K15FSのスパイスモデルの注意点
SSM3K15FSのスパイスモデルの注意点SSM3K15FSのスパイスモデルの注意点
SSM3K15FSのスパイスモデルの注意点
 
Arduino简单交互尝试
Arduino简单交互尝试Arduino简单交互尝试
Arduino简单交互尝试
 
バリスタのスパイスモデル
バリスタのスパイスモデルバリスタのスパイスモデル
バリスタのスパイスモデル
 
2SK2313のデータシート
2SK2313のデータシート2SK2313のデータシート
2SK2313のデータシート
 
Japanino Workshop #2
Japanino Workshop #2Japanino Workshop #2
Japanino Workshop #2
 
Bee Technologies Products(Version 11) for DOC
Bee Technologies Products(Version 11) for DOCBee Technologies Products(Version 11) for DOC
Bee Technologies Products(Version 11) for DOC
 
パワーMOSFETのtoffに関するモデルパラメータについて
パワーMOSFETのtoffに関するモデルパラメータについてパワーMOSFETのtoffに関するモデルパラメータについて
パワーMOSFETのtoffに関するモデルパラメータについて
 
機械系のためのメカトロニクス オペアンプ(演算増幅器)
機械系のためのメカトロニクス オペアンプ(演算増幅器)機械系のためのメカトロニクス オペアンプ(演算増幅器)
機械系のためのメカトロニクス オペアンプ(演算増幅器)
 
平成26年度熊本高専Arduino講座 第3週 DCモータの制御
平成26年度熊本高専Arduino講座 第3週 DCモータの制御平成26年度熊本高専Arduino講座 第3週 DCモータの制御
平成26年度熊本高専Arduino講座 第3週 DCモータの制御
 
自動車業界向けSPICE(MATLAB)を活用したEV・HEVシミュレーションセミナー資料
自動車業界向けSPICE(MATLAB)を活用したEV・HEVシミュレーションセミナー資料自動車業界向けSPICE(MATLAB)を活用したEV・HEVシミュレーションセミナー資料
自動車業界向けSPICE(MATLAB)を活用したEV・HEVシミュレーションセミナー資料
 
MUSES8920の日本語のデータシート
MUSES8920の日本語のデータシートMUSES8920の日本語のデータシート
MUSES8920の日本語のデータシート
 
機械系のためのメカトロニクス 2)エレクトロニクス基礎その1
機械系のためのメカトロニクス 2)エレクトロニクス基礎その1機械系のためのメカトロニクス 2)エレクトロニクス基礎その1
機械系のためのメカトロニクス 2)エレクトロニクス基礎その1
 
DS25CP102(Japanese)
DS25CP102(Japanese)DS25CP102(Japanese)
DS25CP102(Japanese)
 
Datasheet of D5LC20U
Datasheet of D5LC20UDatasheet of D5LC20U
Datasheet of D5LC20U
 
トランジスタ技術2012年5月号(209ページ)
トランジスタ技術2012年5月号(209ページ)トランジスタ技術2012年5月号(209ページ)
トランジスタ技術2012年5月号(209ページ)
 
ロボット技術研究会回路講習会2017-1
ロボット技術研究会回路講習会2017-1ロボット技術研究会回路講習会2017-1
ロボット技術研究会回路講習会2017-1
 
機械系のためのメカトロニクス ディジタル回路
機械系のためのメカトロニクス ディジタル回路機械系のためのメカトロニクス ディジタル回路
機械系のためのメカトロニクス ディジタル回路
 
トランジスタ技術2011年11月号(181ページ)
トランジスタ技術2011年11月号(181ページ)トランジスタ技術2011年11月号(181ページ)
トランジスタ技術2011年11月号(181ページ)
 

Destacado (20)

06grammer
06grammer06grammer
06grammer
 
01to
01to01to
01to
 
Epsode 4
Epsode 4Epsode 4
Epsode 4
 
04qa01
04qa0104qa01
04qa01
 
001 it nihongo top
001 it nihongo top001 it nihongo top
001 it nihongo top
 
110819 modality02 slides
110819 modality02 slides110819 modality02 slides
110819 modality02 slides
 
0202 k2
0202 k20202 k2
0202 k2
 
36grammar
36grammar36grammar
36grammar
 
01導入
01導入01導入
01導入
 
23grammar
23grammar23grammar
23grammar
 
0201 Pattern Practice
0201 Pattern Practice0201 Pattern Practice
0201 Pattern Practice
 
Taisho background
Taisho backgroundTaisho background
Taisho background
 
36grammar
36grammar36grammar
36grammar
 
Epsode 5 3
Epsode 5 3Epsode 5 3
Epsode 5 3
 
L11 grammar 1
L11 grammar 1L11 grammar 1
L11 grammar 1
 
Lesson contents l14
Lesson contents l14Lesson contents l14
Lesson contents l14
 
110818 modality01 slides
110818 modality01 slides110818 modality01 slides
110818 modality01 slides
 
06 tprコミュニカティブアプローチその他
06 tprコミュニカティブアプローチその他06 tprコミュニカティブアプローチその他
06 tprコミュニカティブアプローチその他
 
35grammar
35grammar35grammar
35grammar
 
L6 grammar 1
L6 grammar 1L6 grammar 1
L6 grammar 1
 

Similar a TLP846の日本語のデータシート

TPS601A(F)のデータシート
TPS601A(F)のデータシートTPS601A(F)のデータシート
TPS601A(F)のデータシートTsuyoshi Horigome
 
2SC4054のデータシート
2SC4054のデータシート2SC4054のデータシート
2SC4054のデータシートTsuyoshi Horigome
 
サーミスタを用いた閾値システム
サーミスタを用いた閾値システムサーミスタを用いた閾値システム
サーミスタを用いた閾値システムkatukikenta
 
TCR4S18DWBGのデータシート
TCR4S18DWBGのデータシートTCR4S18DWBGのデータシート
TCR4S18DWBGのデータシートTsuyoshi Horigome
 
Datasheet of TCR4S12DWBG(Japanese)
Datasheet of TCR4S12DWBG(Japanese)Datasheet of TCR4S12DWBG(Japanese)
Datasheet of TCR4S12DWBG(Japanese)Tsuyoshi Horigome
 
TCR4S30DWBGのデータシート
TCR4S30DWBGのデータシートTCR4S30DWBGのデータシート
TCR4S30DWBGのデータシートTsuyoshi Horigome
 
REFERENCEの等価回路モデル
REFERENCEの等価回路モデルREFERENCEの等価回路モデル
REFERENCEの等価回路モデルTsuyoshi Horigome
 
LISN Simulation using PSpice
LISN Simulation using PSpiceLISN Simulation using PSpice
LISN Simulation using PSpiceTsuyoshi Horigome
 
Dragino LoRaWAN人感センサー&人感プローブ
Dragino LoRaWAN人感センサー&人感プローブDragino LoRaWAN人感センサー&人感プローブ
Dragino LoRaWAN人感センサー&人感プローブCRI Japan, Inc.
 
トランジスタ技術2012年1月号(169ページ)
トランジスタ技術2012年1月号(169ページ)トランジスタ技術2012年1月号(169ページ)
トランジスタ技術2012年1月号(169ページ)Tsuyoshi Horigome
 
トランジスタ技術2012年7月号(198ページ)
トランジスタ技術2012年7月号(198ページ)トランジスタ技術2012年7月号(198ページ)
トランジスタ技術2012年7月号(198ページ)Tsuyoshi Horigome
 
UVLOの等価回路モデル作成方法
UVLOの等価回路モデル作成方法UVLOの等価回路モデル作成方法
UVLOの等価回路モデル作成方法Tsuyoshi Horigome
 
トランスのスパイスモデル(PART2)の資料
トランスのスパイスモデル(PART2)の資料トランスのスパイスモデル(PART2)の資料
トランスのスパイスモデル(PART2)の資料Tsuyoshi Horigome
 
エナジーハーベスティングのデザイン手法セミナーテキスト
エナジーハーベスティングのデザイン手法セミナーテキストエナジーハーベスティングのデザイン手法セミナーテキスト
エナジーハーベスティングのデザイン手法セミナーテキストTsuyoshi Horigome
 
OVPの等価回路モデリング(PPT)
OVPの等価回路モデリング(PPT)OVPの等価回路モデリング(PPT)
OVPの等価回路モデリング(PPT)Tsuyoshi Horigome
 
サイダックのスパイスモデル
サイダックのスパイスモデルサイダックのスパイスモデル
サイダックのスパイスモデルTsuyoshi Horigome
 
IoT関連エンジニアリング・サービスのご紹介
IoT関連エンジニアリング・サービスのご紹介IoT関連エンジニアリング・サービスのご紹介
IoT関連エンジニアリング・サービスのご紹介Tsuyoshi Horigome
 
電気通信大学 VBセミナー 回路シミュレータの活用方法
電気通信大学 VBセミナー 回路シミュレータの活用方法電気通信大学 VBセミナー 回路シミュレータの活用方法
電気通信大学 VBセミナー 回路シミュレータの活用方法Tsuyoshi Horigome
 

Similar a TLP846の日本語のデータシート (20)

TPS601A(F)のデータシート
TPS601A(F)のデータシートTPS601A(F)のデータシート
TPS601A(F)のデータシート
 
2SC4054のデータシート
2SC4054のデータシート2SC4054のデータシート
2SC4054のデータシート
 
サーミスタを用いた閾値システム
サーミスタを用いた閾値システムサーミスタを用いた閾値システム
サーミスタを用いた閾値システム
 
TCR4S18DWBGのデータシート
TCR4S18DWBGのデータシートTCR4S18DWBGのデータシート
TCR4S18DWBGのデータシート
 
Datasheet of TCR4S12DWBG(Japanese)
Datasheet of TCR4S12DWBG(Japanese)Datasheet of TCR4S12DWBG(Japanese)
Datasheet of TCR4S12DWBG(Japanese)
 
TCR4S30DWBGのデータシート
TCR4S30DWBGのデータシートTCR4S30DWBGのデータシート
TCR4S30DWBGのデータシート
 
REFERENCEの等価回路モデル
REFERENCEの等価回路モデルREFERENCEの等価回路モデル
REFERENCEの等価回路モデル
 
LISN Simulation using PSpice
LISN Simulation using PSpiceLISN Simulation using PSpice
LISN Simulation using PSpice
 
Dragino LoRaWAN人感センサー&人感プローブ
Dragino LoRaWAN人感センサー&人感プローブDragino LoRaWAN人感センサー&人感プローブ
Dragino LoRaWAN人感センサー&人感プローブ
 
トランジスタ技術2012年1月号(169ページ)
トランジスタ技術2012年1月号(169ページ)トランジスタ技術2012年1月号(169ページ)
トランジスタ技術2012年1月号(169ページ)
 
ULVOの等価回路モデル
ULVOの等価回路モデルULVOの等価回路モデル
ULVOの等価回路モデル
 
トランジスタ技術2012年7月号(198ページ)
トランジスタ技術2012年7月号(198ページ)トランジスタ技術2012年7月号(198ページ)
トランジスタ技術2012年7月号(198ページ)
 
UVLOの等価回路モデル作成方法
UVLOの等価回路モデル作成方法UVLOの等価回路モデル作成方法
UVLOの等価回路モデル作成方法
 
トランスのスパイスモデル(PART2)の資料
トランスのスパイスモデル(PART2)の資料トランスのスパイスモデル(PART2)の資料
トランスのスパイスモデル(PART2)の資料
 
エナジーハーベスティングのデザイン手法セミナーテキスト
エナジーハーベスティングのデザイン手法セミナーテキストエナジーハーベスティングのデザイン手法セミナーテキスト
エナジーハーベスティングのデザイン手法セミナーテキスト
 
OVPの等価回路モデリング(PPT)
OVPの等価回路モデリング(PPT)OVPの等価回路モデリング(PPT)
OVPの等価回路モデリング(PPT)
 
サイダックのスパイスモデル
サイダックのスパイスモデルサイダックのスパイスモデル
サイダックのスパイスモデル
 
IoT関連エンジニアリング・サービスのご紹介
IoT関連エンジニアリング・サービスのご紹介IoT関連エンジニアリング・サービスのご紹介
IoT関連エンジニアリング・サービスのご紹介
 
Katalog produk kyoritsu distributed by tridinamika
Katalog produk kyoritsu distributed by tridinamikaKatalog produk kyoritsu distributed by tridinamika
Katalog produk kyoritsu distributed by tridinamika
 
電気通信大学 VBセミナー 回路シミュレータの活用方法
電気通信大学 VBセミナー 回路シミュレータの活用方法電気通信大学 VBセミナー 回路シミュレータの活用方法
電気通信大学 VBセミナー 回路シミュレータの活用方法
 

Más de Tsuyoshi Horigome

Update 46 models(Solar Cell) in SPICE PARK(MAY2024)
Update 46 models(Solar Cell) in SPICE PARK(MAY2024)Update 46 models(Solar Cell) in SPICE PARK(MAY2024)
Update 46 models(Solar Cell) in SPICE PARK(MAY2024)Tsuyoshi Horigome
 
SPICE PARK APR2024 ( 6,793 SPICE Models )
SPICE PARK APR2024 ( 6,793 SPICE Models )SPICE PARK APR2024 ( 6,793 SPICE Models )
SPICE PARK APR2024 ( 6,793 SPICE Models )Tsuyoshi Horigome
 
Update 22 models(Schottky Rectifier ) in SPICE PARK(APR2024)
Update 22 models(Schottky Rectifier ) in SPICE PARK(APR2024)Update 22 models(Schottky Rectifier ) in SPICE PARK(APR2024)
Update 22 models(Schottky Rectifier ) in SPICE PARK(APR2024)Tsuyoshi Horigome
 
SPICE PARK APR2024 ( 6,747 SPICE Models )
SPICE PARK APR2024 ( 6,747 SPICE Models )SPICE PARK APR2024 ( 6,747 SPICE Models )
SPICE PARK APR2024 ( 6,747 SPICE Models )Tsuyoshi Horigome
 
Update 31 models(Diode/General ) in SPICE PARK(MAR2024)
Update 31 models(Diode/General ) in SPICE PARK(MAR2024)Update 31 models(Diode/General ) in SPICE PARK(MAR2024)
Update 31 models(Diode/General ) in SPICE PARK(MAR2024)Tsuyoshi Horigome
 
SPICE PARK MAR2024 ( 6,725 SPICE Models )
SPICE PARK MAR2024 ( 6,725 SPICE Models )SPICE PARK MAR2024 ( 6,725 SPICE Models )
SPICE PARK MAR2024 ( 6,725 SPICE Models )Tsuyoshi Horigome
 
Update 29 models(Solar cell) in SPICE PARK(FEB2024)
Update 29 models(Solar cell) in SPICE PARK(FEB2024)Update 29 models(Solar cell) in SPICE PARK(FEB2024)
Update 29 models(Solar cell) in SPICE PARK(FEB2024)Tsuyoshi Horigome
 
SPICE PARK FEB2024 ( 6,694 SPICE Models )
SPICE PARK FEB2024 ( 6,694 SPICE Models )SPICE PARK FEB2024 ( 6,694 SPICE Models )
SPICE PARK FEB2024 ( 6,694 SPICE Models )Tsuyoshi Horigome
 
Circuit simulation using LTspice(Case study)
Circuit simulation using LTspice(Case study)Circuit simulation using LTspice(Case study)
Circuit simulation using LTspice(Case study)Tsuyoshi Horigome
 
Mindmap of Semiconductor sales business(15FEB2024)
Mindmap of Semiconductor sales business(15FEB2024)Mindmap of Semiconductor sales business(15FEB2024)
Mindmap of Semiconductor sales business(15FEB2024)Tsuyoshi Horigome
 
2-STAGE COCKCROFT-WALTON [SCHEMATIC] using LTspice
2-STAGE COCKCROFT-WALTON [SCHEMATIC] using LTspice2-STAGE COCKCROFT-WALTON [SCHEMATIC] using LTspice
2-STAGE COCKCROFT-WALTON [SCHEMATIC] using LTspiceTsuyoshi Horigome
 
PSpice simulation of power supply for TI is Error
PSpice simulation of power supply  for TI is ErrorPSpice simulation of power supply  for TI is Error
PSpice simulation of power supply for TI is ErrorTsuyoshi Horigome
 
IGBT Simulation of Results from Rgext or Rgint
IGBT Simulation of Results from Rgext or RgintIGBT Simulation of Results from Rgext or Rgint
IGBT Simulation of Results from Rgext or RgintTsuyoshi Horigome
 
Electronic component sales method centered on alternative proposals
Electronic component sales method centered on alternative proposalsElectronic component sales method centered on alternative proposals
Electronic component sales method centered on alternative proposalsTsuyoshi Horigome
 
Electronic component sales method focused on new hires
Electronic component sales method focused on new hiresElectronic component sales method focused on new hires
Electronic component sales method focused on new hiresTsuyoshi Horigome
 
Mindmap(electronics parts sales visions)
Mindmap(electronics parts sales visions)Mindmap(electronics parts sales visions)
Mindmap(electronics parts sales visions)Tsuyoshi Horigome
 
Chat GPTによる伝達関数の導出
Chat GPTによる伝達関数の導出Chat GPTによる伝達関数の導出
Chat GPTによる伝達関数の導出Tsuyoshi Horigome
 
伝達関数の理解(Chatgpt)
伝達関数の理解(Chatgpt)伝達関数の理解(Chatgpt)
伝達関数の理解(Chatgpt)Tsuyoshi Horigome
 
DXセミナー(2024年1月17日開催)のメモ
DXセミナー(2024年1月17日開催)のメモDXセミナー(2024年1月17日開催)のメモ
DXセミナー(2024年1月17日開催)のメモTsuyoshi Horigome
 
0Ω抵抗を評価ボードで採用する理由は何ですか?
0Ω抵抗を評価ボードで採用する理由は何ですか?0Ω抵抗を評価ボードで採用する理由は何ですか?
0Ω抵抗を評価ボードで採用する理由は何ですか?Tsuyoshi Horigome
 

Más de Tsuyoshi Horigome (20)

Update 46 models(Solar Cell) in SPICE PARK(MAY2024)
Update 46 models(Solar Cell) in SPICE PARK(MAY2024)Update 46 models(Solar Cell) in SPICE PARK(MAY2024)
Update 46 models(Solar Cell) in SPICE PARK(MAY2024)
 
SPICE PARK APR2024 ( 6,793 SPICE Models )
SPICE PARK APR2024 ( 6,793 SPICE Models )SPICE PARK APR2024 ( 6,793 SPICE Models )
SPICE PARK APR2024 ( 6,793 SPICE Models )
 
Update 22 models(Schottky Rectifier ) in SPICE PARK(APR2024)
Update 22 models(Schottky Rectifier ) in SPICE PARK(APR2024)Update 22 models(Schottky Rectifier ) in SPICE PARK(APR2024)
Update 22 models(Schottky Rectifier ) in SPICE PARK(APR2024)
 
SPICE PARK APR2024 ( 6,747 SPICE Models )
SPICE PARK APR2024 ( 6,747 SPICE Models )SPICE PARK APR2024 ( 6,747 SPICE Models )
SPICE PARK APR2024 ( 6,747 SPICE Models )
 
Update 31 models(Diode/General ) in SPICE PARK(MAR2024)
Update 31 models(Diode/General ) in SPICE PARK(MAR2024)Update 31 models(Diode/General ) in SPICE PARK(MAR2024)
Update 31 models(Diode/General ) in SPICE PARK(MAR2024)
 
SPICE PARK MAR2024 ( 6,725 SPICE Models )
SPICE PARK MAR2024 ( 6,725 SPICE Models )SPICE PARK MAR2024 ( 6,725 SPICE Models )
SPICE PARK MAR2024 ( 6,725 SPICE Models )
 
Update 29 models(Solar cell) in SPICE PARK(FEB2024)
Update 29 models(Solar cell) in SPICE PARK(FEB2024)Update 29 models(Solar cell) in SPICE PARK(FEB2024)
Update 29 models(Solar cell) in SPICE PARK(FEB2024)
 
SPICE PARK FEB2024 ( 6,694 SPICE Models )
SPICE PARK FEB2024 ( 6,694 SPICE Models )SPICE PARK FEB2024 ( 6,694 SPICE Models )
SPICE PARK FEB2024 ( 6,694 SPICE Models )
 
Circuit simulation using LTspice(Case study)
Circuit simulation using LTspice(Case study)Circuit simulation using LTspice(Case study)
Circuit simulation using LTspice(Case study)
 
Mindmap of Semiconductor sales business(15FEB2024)
Mindmap of Semiconductor sales business(15FEB2024)Mindmap of Semiconductor sales business(15FEB2024)
Mindmap of Semiconductor sales business(15FEB2024)
 
2-STAGE COCKCROFT-WALTON [SCHEMATIC] using LTspice
2-STAGE COCKCROFT-WALTON [SCHEMATIC] using LTspice2-STAGE COCKCROFT-WALTON [SCHEMATIC] using LTspice
2-STAGE COCKCROFT-WALTON [SCHEMATIC] using LTspice
 
PSpice simulation of power supply for TI is Error
PSpice simulation of power supply  for TI is ErrorPSpice simulation of power supply  for TI is Error
PSpice simulation of power supply for TI is Error
 
IGBT Simulation of Results from Rgext or Rgint
IGBT Simulation of Results from Rgext or RgintIGBT Simulation of Results from Rgext or Rgint
IGBT Simulation of Results from Rgext or Rgint
 
Electronic component sales method centered on alternative proposals
Electronic component sales method centered on alternative proposalsElectronic component sales method centered on alternative proposals
Electronic component sales method centered on alternative proposals
 
Electronic component sales method focused on new hires
Electronic component sales method focused on new hiresElectronic component sales method focused on new hires
Electronic component sales method focused on new hires
 
Mindmap(electronics parts sales visions)
Mindmap(electronics parts sales visions)Mindmap(electronics parts sales visions)
Mindmap(electronics parts sales visions)
 
Chat GPTによる伝達関数の導出
Chat GPTによる伝達関数の導出Chat GPTによる伝達関数の導出
Chat GPTによる伝達関数の導出
 
伝達関数の理解(Chatgpt)
伝達関数の理解(Chatgpt)伝達関数の理解(Chatgpt)
伝達関数の理解(Chatgpt)
 
DXセミナー(2024年1月17日開催)のメモ
DXセミナー(2024年1月17日開催)のメモDXセミナー(2024年1月17日開催)のメモ
DXセミナー(2024年1月17日開催)のメモ
 
0Ω抵抗を評価ボードで採用する理由は何ですか?
0Ω抵抗を評価ボードで採用する理由は何ですか?0Ω抵抗を評価ボードで採用する理由は何ですか?
0Ω抵抗を評価ボードで採用する理由は何ですか?
 

TLP846の日本語のデータシート

  • 1. TLP846 2004-01-231 東芝フォトインタラプタ 赤外 LED + フォトトランジスタ TLP846 ○ スチルカメラ、デジタルスチルカメラ ○ ビデオカメラ ○ フロッピーディスクドライブ ○ パーソナル機器、小型 OA 機器 TLP846 は、GaAs 赤外 LED と Si フォトトランジスタを組み合わせたフォト インタラプタです。 超小型パッケージで溝幅が広く、またスリット幅が狭くて高分解能です。 • 超小型パッケージ : 3.5×2.6×2.9mm • 溝幅 : 1.2mm • 高分解能 : スリット幅 0.15 mm • 高変換効率 : IC/IF = 3% (最小) • 本体樹脂材質 : ポリブチレンテレフタレート (UL94V-0、黒色) • 鉛フリー対応 最大定格 (Ta = 25°C) 現品表示 (注 2) 項 目 記 号 定 格 単位 直 流 順 電 流 IF 30 mA 直流順電流低減率 (Ta > 25°C) ∆IF/°C −0.33 mA/°C 発 光 側 直 流 逆 電 圧 VR 5 V コ レ ク タ ・ エ ミ ッ タ 間 電 圧 VCEO 35 V エ ミ ッ タ ・ コ レ ク タ 間 電 圧 VECO 5 V コ レ ク タ 損 失 PC 75 mW コレクタ損失低減率(Ta > 25°C) ∆PC/°C −1 mW/°C 受 光 側 コ レ ク タ 電 流 IC 50 mA 動 作 温 度 Topr −30~85 °C 保 存 温 度 Tstg −40~100 °C は ん だ 付 け 温 度 (5 s) (注 1) Tsol 260 °C 注 1: 本体樹脂下面より 1 mm 以上 注 2: 4 桁算用数字で構成し、左から 1 桁がランク表示、残り 3 桁が週別ロット表示を示す。 ※ランク表示 無印⇒無し R⇒R ランク品 ※週別ロット表示 3 桁算用数字で構成し、西暦年号の末尾 1 桁、および残りの 2 桁は製造週とする。 東 芝 11-4H2 質量: 0.035 g (標準) 製造週コード (その年の第一週を 01 とし、以降 52 または 53 まで) 製造年コード (西暦の下 1 桁) ランク表示 週別ロット表示
  • 2. TLP846 2004-01-232 電気・光学的特性 (Ta = 25°C) 項 目 記 号 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位 順 電 圧 VF IF = 10 mA 1.10 1.23 1.40 V 逆 電 流 IR VR = 5 V ⎯ ⎯ 10 µA 発 光 側 ピ ー ク 発 光 波 長 λP IF = 10 mA ⎯ 940 ⎯ nm 暗 電 流 ID (ICEO) VCE = 24 V, IF = 0 ⎯ ⎯ 0.1 µA受 光 側 ピ ー ク 感 度 波 長 λP ⎯ ⎯ 820 ⎯ nm TLP846 3 ⎯ 24 % 変 換 効 率 IC/IF VCE = 2 V IF = 5 mA TLP846 (R) 4 ⎯ 20 % コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE (sat) IF = 10 mA, IC = 0.15 mA ⎯ 0.1 0.4 V 上 昇 時 間 tr VCC = 5 V, IC = 1 mA ⎯ 15 50 伝 達 特 性 下 降 時 間 tf RL = 1k Ω (注 3) ⎯ 15 50 µs 注 3: スイッチング時間の測定回路、波形 使用上の注意 • はんだ付け後のフラックス除去のために薬品洗浄される場合は、はんだ付け面のリード部だけ洗浄し、パッケー ジ全体の浸漬洗浄は行わないでください。 浸漬洗浄は、LED、フォトトランジスタの発光、受光面に洗浄液が残留した場合、光学特性に影響を与え、変換 効率の著しい低下を引き起こすことがあります。 • デバイスの設置環境は十分に注意してください。油や化学薬品により、パッケージが溶解したり、クラックを引 き起こす場合があります。 • 反りのない場所へ取り付けてください。 • 変換効率は、赤外 LED への通電により時間とともに低下します。経時変化量を十分考慮し、回路設計してくださ い。 変換効率の変動は、赤外 LED の光出力変動と 1 : 1 の相関があります。 VCC VOUT RL IF VOUT IF tr 90% 10% tf td ts IC/IF (t) IC/IF (0) = Po (t) Po (0)
  • 3. TLP846 2004-01-233 外形図 11-4H2 質量: 0.035 g (標準) ピン接続図 単位: mm 指定外公差:±0.2mm ( )は参考値 1: カソード 2: アノード 3: コレクタ 4: エミッタ 2 1 3 4
  • 4. TLP846 2004-01-234 0 20 40 60 80 0 20 40 60 80 100 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 0 2 4 6 8 10 12 1 10 100 1 10 100 0.01 0.1 1 10 1 10 100 1 10 100 0.9 1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 0 5 10 15 20 25 30 35 0 20 40 60 80 100 IF – Ta 周囲温度 Ta (°C) 許容順電流IF(mA) IF – VF (代表値) 順 電 圧 VF (V) 順電流IF(mA) 0 Ta = 75°C 50 25 −25 IC – IF 順 電 流 IF (mA) コレクタ電流IC(mA) Ta = 25°C VCE = 2V VCE = 0.4V サンプル 1 サンプル 2 IC / IF – IF 順 電 流 IF (mA) 変換効率IC/IF(%) Ta = 25°C VCE = 2V VCE = 0.4V サンプル 2 サンプル 1 IC – VCE (代表値) コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ電流IC(mA) 20 IF = 5mA 10 15 Ta = 25°C PC – Ta 周囲温度 Ta (°C) 許容コレクタ損失PC(mW)
  • 5. TLP846 2004-01-235 1 10 100 1000 1 10 100 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 0 20 40 60 80 100 120 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 -40 -20 0 20 40 60 80 100 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 0.00 0.04 0.08 0.12 0.16 0.20 -40 -20 0 20 40 60 80 100 相対 IC – Ta (代表値) 周囲温度 Ta (°C) 相対コレクタ電流 VCE = 2V IF = 20mA IF = 10mA IF = 5mA VCE (sat) – Ta (代表値) 周囲温度 Ta (°C) コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)(V) IC = 0.15mA IF = 10mA スイッチング特性 (飽和動作) (代表値) 負荷抵抗 RL (kΩ) スイッチング時間(µs) Ta = 25°C IF = 20mA VCC = 5V VOUT ≧ 4.65V tr ts tf td スイッチング特性 (非飽和動作) (代表値) 負荷抵抗 RL (kΩ) スイッチング時間(µs) tr, tf td ts Ta = 25°C VCC = 5V VOUT = 1V ID (ICEO) – Ta (代表値) 周囲温度 Ta (°C) 暗電流ID(ICEO)(µA) VCE = 24V
  • 6. TLP846 2004-01-236 しゃ光板とデバイスの位置関係 正常に動作させるために、しゃ光板とデバイスの位置関係は、下図を遵守してください。 しゃ光板のスリット幅およびスリットピッチ寸法は、デバイスの検出位置特性とスイッチング時間を十分に考慮し、決定 してください。 1.4min 0.85 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 -2 -1 0 1 2 3 4 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 IF = 5mA VCE = 2V Ta = 25°C 検出位置 d = 0 ± 0.125mm 検出位置特性 (1) (代表値) 距 離 d (mm) 相対コレクタ電流 0 d しゃ光板 +− 検出位置特性 (2) (代表値) 距 離 d (mm) 相対コレクタ電流 IF = 5mA VCE = 2V Ta = 25°C 検出位置 d = 0.85 mm しゃ光板 d +0.55 -0.60.25max センサ中心 単位: mm A – A’断面図 A A’ しゃ光板
  • 7. TLP846 2004-01-237 • 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当 社半導体製品をご使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命・身体・財産が侵害されることの ないように、購入者側の責任において、機器の安全設計を行うことをお願いします。 なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべ き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」、「半導体信頼性ハンドブック」など でご確認ください。 • 本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器 (コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用 ロボット、家電機器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され、その故障や 誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器 (原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、 交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置など) にこれらの製品を使用すること (以下 “特定用途” とい う) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用途に使用 することは、お客様の責任でなされることとなります。 • 本資料に掲載されている製品の材料には、GaAs (ガリウムひ素) が使われています。その粉末や蒸気は人体に対 し有害ですので、破壊、切断、粉砕や化学的な分解はしないでください。 • 本資料に掲載されている技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するためのもので、その使用に際して当社お よび第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。 • 本資料に掲載されている製品を、国内外の法令、規則および命令により製造、販売を禁止されている応用製品に 使用することはできません。 • 本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。 030519TAC 当社半導体製品取り扱い上のお願い