i. O documento descreve os transistores bipolares de junção (TBJ), que são formados por três regiões semicondutoras (emissor, base e coletor) com duas junções PN.
ii. Há dois tipos de TBJ: n-p-n e p-n-p, dependendo da polaridade das regiões semicondutoras.
iii. A polarização das junções determina o modo de operação do TBJ, sendo os modos ativo, de corte e de saturação os mais importantes para aplicações eletrônicas.
2. 2
Esta aula baseia-se no livro:
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES: DIODOS E TRANSISTORES
EDUARDO CESAR ALVES CRUZ,
SALOMAO CHOUERI JUNIOR e
ANGELO EDUARDO BATTISTINI MARQUES
3. Transistor Bipolar de Junção
Os transistores são dispositivos que podem amplificar
sinais ou funcionar como uma chave eletrônica,
comutando um dispositivo de um estado ligado para
um estado desligado.
3
4. Transistor Bipolar de Junção
Os transistores bipolares que iremos estudar nesta aula
são formados por três regiões de materiais
semicondutoras, apresentando duas junções PN, daí o
nome de transistor bipolar de junção (TBJ).
Material
tipo
P
Material
tipo
PN
Emissor Base Coletor
Três regiões de um transistor bipolar
Junção emissor-base Junção base-coletor
4
5. Transistor Bipolar de Junção
O transistor bipolar de junção (TBJ) são dispositivos
bipolares, porque seu funcionamento depende de dois
tipos de portadores de corrente,
as lacunas e
os elétrons.
5
6. Transistor Bipolar de Junção
Os transistores bipolares podem ser de dois tipos:
6
Material
tipo
P
Material
tipo
PN P
Material
tipo
N
Material
tipo
N
Emissor Base Coletor Emissor Base Coletor
Três regiões de um transistor bipolar
n-p-n, e
p-n-p
7. Construção do TBJ n-p-n
Os transistores bipolares n-p-n consistem de três
camadas de material semicondutor, sendo uma fina
camada de semicondutor do tipo-p, sanduichada
entre duas regiões de material semicondutor tipo-n.
7
tipo-n
Emissor
tipo-n
Coletor
tipo-p
Base
n-p-n
9. tipo-n
Emissor
tipo-n
Coletor
tipo-p
Base
9
O emissor é fortemente dopado e tem função de
emitir portadores de carga para a base:
elétrons no caso do transistor n-p-n e
lacunas no caso do transistor p-n-p).
n-p-n
tipo-p tipo-ptipo-n
p-n-p
10. 10
A base é levemente dopada e muito fina.
Dessa forma, a maioria dos portadores de carga
lançados do emissor para a base, tenderão a atravessá-
la e dirigir-se ao coletor.
tipo-n
Emissor
tipo-n
Coletor
tipo-p
Base
n-p-n
11. Construção n-p-n
Um fio conecta cada uma das três regiões: emissor,
base e coletor.
tipo-n tipo-ntipo-p
Contato de
Emissor
Contato de
Coletor
Contato de
Base
Região fortemente
dopada
Região moderadamente
dopada
Região fracamente
dopada
11
12. Construção p-n-p
Transistores p-n-p são complementares aos n-p-n e são
muito menos comuns que os transistores n-p-n.
tipo-p tipo-ptipo-n
Contato de
Emissor
Contato de
Coletor
Contato de
Base
Região fortemente
dopada
Região moderadamente
dopada
Região fracamente
dopada
A região de emissor no transistor
p-n-p também é pesadamente
dopada.
A região de coletor no
transistor p-n-p também é
moderadamente dopada.
A base no transistor p-n-p também é
fina e levemente dopada.
12
14. 14
Dependendo da polaridade da tensão aplicada em cada
junção, obtém-se diferentes modos de operação do TBJ.
Modos de operação doTBJ
tipo-n
Emissor
tipo-n
Coletor
tipo-p
Base
n-p-n
15. Polarização
Para um transistor bipolar funcionar apropriadamente,
as duas junções p-n devem estar convenientemente
polarizadas.
15
17. 17
Para se entender como funcionam os transistores
bipolares, vamos inicialmente estudar cada junção
polarizada separadamente, para depois uni-las e fazer
uma análise do dispositivo como um todo.
19. 19
Lembre-se que a corrente convencional tem sentido
contrário ao fluxo de elétrons, e mesmo sentido que
o fluxo de lacunas
20. Polarizando-se a junção E-B diretamente com tensão VBE
n np
+-
VBE
iB
20
Emissor Coletor
Base
21. Polarizando-se a junção E-B diretamente com tensão VBE
n np
+-
VBE
Corrente de portadores
majoritários do lado n,
no caso elétrons, se
dirigem para a base.
Corrente de portadores minoritários do lado p, no
caso elétrons, se dirigem para o lado n.
iB
21
Emissor Coletor
Base
22. Polarizando-se a junção E-B diretamente com tensão VBE
+ -
n np
+-
VBE
Corrente de portadores
majoritários do lado n,
no caso elétrons, se
dirigem para a base.
Corrente de portadores minoritários do lado p, no
caso elétrons se dirigem para o lado n.
iB
A junção E-B funciona como um diodo polarizado
diretamente, fazendo fluir através dela uma grande
corrente iB de portadores majoritários, elétrons livres no
caso do transistor n-p-n. 22
Emissor Coletor
Base
23. O mesmo acontece se polarizarmos diretamente a
junção emissor base no caso de um transistor bipolar pnp
+ -
p pn
-+
VEB
Corrente de portadores
majoritários do lado p, no
caso, lacunas, se dirigem à
base.
Corrente de portadores minoritários
(lacunas) do lado n se dirigindo ao lado p.
iB
23
24. Assim, polarizando-se a junção E-B diretamente com
VBE (n-p-n) e VEB (p-n-p)
+ -
p pn
-+
n np
+-
VBE VEB
Corrente de
portadores
majoritários
(elétrons) do lado
n se dirigindo à
base.
Corrente de
portadores
majoritários
(lacunas) do lado
p se dirigindo à
base.
Corrente de portadores minoritários
(elétrons) do lado p se dirigindo ao
lado n.
Corrente de portadores minoritários
(lacunas) do lado n se dirigindo ao
lado p.
iB iB
Aparece uma pequena corrente, em sentido contrário,
devido aos portadores minoritários. Esta corrente é
chamada de corrente de fuga. 24
25. Analogamente, a junção B-C também comporta-se como
uma junção p-n comum.
-+
VCB VBC
n np p pn
Corrente de portadores minoritários
+-
Corrente de portadores minoritários
Alargamento da região
de depleção
Alargamento da região
de depleção
25
26. A barreira de potencial aumenta, devido ao alargamento da
região de depleção, diminuindo drasticamente o fluxo de
corrente dos portadores majoritários, porém, os portadores
minoritários atravessam a barreira com facilidade, no sentido
contrário, fazendo circular uma corrente reversa, ainda menor e
praticamente desprezível, pois tais portadores são em número
muito pequeno.
-+
VCB VBC
n np p pn
Corrente de portadores minoritários
+-
Corrente de portadores minoritários
Alargamento da região de
depleção
Alargamento da região de
depleção
26
27. 27
Tendo compreendido o efeito de se polarizar
separadamente cada junção, o próximo passo é
compreender quais são os efeitos de se polarizar
simultaneamente ambas as junções.
29. Polarização
Neste cenário, há quatro possíveis combinações,
porém, somente três delas desempenham um papel
significante na eletrônica:
29
30. Polarização
Neste cenário, há quatro possíveis combinações,
porém, somente três delas desempenham um papel
significante na eletrônica:
i. Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas
Reversamente condição de cut-off
30
31. Polarização
Neste cenário, há quatro possíveis combinações,
porém, somente três delas desempenham um papel
significante na eletrônica:
i. Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas
Reversamente condição de cut-off
ii. Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas
Diretamente condição de saturação
31
32. Polarização
Neste cenário, há quatro possíveis combinações,
porém, somente três delas desempenham um papel
significante na eletrônica:
i. Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas
Reversamente condição de cut-off
ii. Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas
Diretamente condição de saturação
iii. Junção Base-Emissor polarizada diretamente e Base-
Coletor polarizada Reversamente operações
lineares (modo ativo)
32
35. i- Junção Base-Emissor e Base-Coletor
polarizadas Reversamente
Esta é a condição conhecida como
cut off (corte)
e é essencial para operações
digitais.
N
N
P
+
-
-
+
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
35
36. Não é usada em operações
lineares, tais como
amplificadores.
N
N
P
+
-
-
+
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
36
37. Em operações digitais o
transistor somente opera
como chave aberta ou
chave fechada (do inglês,
switch on e switch off).
N
N
P
+
-
-
+
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
37
38. Operações lineares no transistor
ocorrem no espectro inteiro
entre os estados ON e OFF,
ligado/desligado. N
N
P
+
-
-
+
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
38
39. 39
ii - Junção Base-Emissor e Base-
Coletor polarizadas Diretamente
40. ii - Junção Base-Emissor e Base-Coletor
polarizadas Diretamente
A corrente é grande nas duas
junções é a condição de
corrente mais alta para um
transistor.
N
N
P
+
-
-
+
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
40
41. Esta condição é chamada de
saturação.
N
N
P
+
-
-
+
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
41
42. Nestas condições: (transistor típico)
i. VE = 0 V
ii. VB = 0.7 V
iii.VC = 0.2 V N
N
P
+
-
-
+
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
42
43. Comporta-se como um curto-circuito.
N
N
P
+
-
-
+
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
43
44. Saturação e cut-off (corte) são
as condições usadas em
circuitaria digital e
conseqüentemente em
microprocessadores.
N
N
P
+
-
-
+
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
44
45. 45
iii - Junção Base-Emissor polarizada
diretamente e Base-Coletor
polarizada Reversamente
46. iii - Junção Base-Emissor polarizada diretamente e
Base-Coletor polarizada Reversamente
N NP
RE RC
+
_ _
+
VBE VCB
Emissor Base Coletor
ICIE
IB
Observa-se agora que o fluxo de portadores majoritários na junção E-B,
que antes se dirigia totalmente ao terminal de base, agora devido à
atração maior exercida pelo coletor, dirige-se quase totalmente para o
coletor, atravessando a junção B-C sem a menor dificuldade.
46
47. -+
VCB VBC
n np p pn
+-+-
VBE
-+
VEB
Tensões e correntes nos transistores
n-p-n e p-n-p
iB iBiEiE iC iC
Emissor
Coletor
Base
iB
iC
iE
VCB
VBE
VCE
Emissor
Coletor
Base
iB
iC
iE
VEB
VBC
VEC
47
49. iE = iB + iC
Emissor
Coletor
Base
iB
iC
iE
VCB
VBE
VCE
Emissor
Coletor
Base
iB
iC
iE
VEB
VBC
VEC
Aplicando-se a primeira lei de Kirchhoff para as correntes:
n-p-n p-n-p 49
-+
VCB VBC
n np p pn
+-+-
VBE
-+
VEB
iB iBiEiE iC iC
50. Aplicando-se a segunda lei de Kirchhoff para as tensões:
VEC = VBC + VEBVCE = VBE + VCB
50
Emissor
Coletor
Base
iB
iC
iE
VCB
VBE
VCE
Emissor
Coletor
Base
iB
iC
iE
VEB
VBC
VEC
n-p-n p-n-p
-+
VCB VBC
n np p pn
+-+-
VBE
-+
VEB
iB iBiEiE iC iC
51. O comportamento esperado do transistor nesse tipo
de configuração em circuitos eletrônicos é fazer o
controle da passagem de corrente entre o emissor e o
coletor através da base.
Isto é alcançado polarizando o transistor
adequadamente.
Junção Base-Emissor polarizada diretamente e
Junção Base-Coletor polarizada Reversamente.
52. 52
N NP
RE RC
+
_ _
+
VBE VCB
Emissor Base Coletor
Fluxo de corrente em um transistor npn polarizado de
modo a operar na região ativa. Sentido convencional
das correntes.
iCiE
iB
iE = iB + iC
53. 53
53
Devido a difusão de portadores nas junções J1 e J2,
barreiras de potencial são produzidas entre emissor e
base e base e coletor, de 0.7 V para o silício e de 0.3 V
para o germânio, à temperatura ambiente.
J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor
N NP
RE RC
+
_ _
+
VBE VCB
Emissor Base Coletor
iCiE
iB
54. 54
J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor
Considere a junção J1 em polarização direta e a junção
J2 em polarização reversa.
N NP
RE RC
+
_ _
+
VBE VCB
Emissor Base Coletor
ICIE
IB
55. 55
J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor
Como a junção J1 está polarizada diretamente, não
oferece barreira aos elétrons, que passam para a região P.
N NP
RE RC
+
_ _
+
VBE VCB
Emissor Base Coletor
ICIE
IB
56. 56
J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor
Esta região (P) sendo muito estreita, e estando os
elétrons muito acelerados, apenas alguns conseguem
se recombinar com as lacunas da região P.
N NP
RE RC
+
_ _
+
VBE VCB
Emissor Base Coletor
ICIE
IB
57. Para entender porque a corrente se dirige menos à base
basta lembrar que a base é mais estreita e fracamente
dopada.
N NP
RE RC
+
_ _
+
VBE VCB
Emissor Base Coletor
ICIE
IB
57
58. Assim os portadores que vêm do emissor saturam a base
rapidamente através das recombinações, fazendo com
que os portadores se dividam em duas partes:
Uma pequena parte saindo pelo terminal de base;
E a maior parte saindo pelo coletor, atraídos pela sua
tensão.
N NP
RE RC
+
_ _
+
VBE VCB
Emissor Base Coletor
ICIE
IB
58
59. 59
A polarização direta na base de um transistor controla a
quantidade de corrente que passa pelo circuito de
coletor.
J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor
N NP
RE RC
+
_ _
+
VBE VCB
Emissor Base Coletor
ICIE
IB
60. 60
A maior parte do fluxo de corrente é de emissor para
coletor, sendo que apenas uma pequena corrente circula
entre emissor e base, ilustrando o efeito de
amplificação.
J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor
N NP
RE RC
+
_ _
+
VBE VCB
Emissor Base Coletor
ICIE
IB
61. 61
Pode-se controlar a corrente C-B controlando-se a
polarização E-B.
J1 : Junção emissor-base J2: Junção base-coletor
N NP
RE RC
+
_ _
+
VBE VCB
Emissor Base Coletor
ICIE
IB
63. O fluxo de corrente é máxima do
emissor para o coletor.
A corrente de base é muito
pequena.
A corrente base-emissor é alta.
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
63
64. Sabemos que o emissor é
pesadamente dopado, contendo
muito elétrons livres.
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
64
65. Como a base é levemente
dopada com lacunas, se alguns
elétrons se recombinam com as
lacunas, outros elétrons podem
sair da base.
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
65
66. A maior parte dos elétrons
“verão” o positivo do coletor,
entrarão na região de depleção,
entre a base e o coletor, e serão
varridos para o coletor.
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
66
67. O transistor é construído de
modo a encorajar que a
corrente flua do emissor para o
coletor, sob polarização. N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
67
68. A base por ser levemente
dopada não estimula a
recombinação por isso a
recombinação é difícil. N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
68
69. A base sendo muito fina, faz
com que seja mais provável
que os elétrons livres encontre
a camada de depleção
base/coletor antes de
encontrar uma lacuna.
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
69
70. 95 ~ 99 % dos elétrons fluirão
através do coletor.
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
70
71. Assim, definimos o α do transistor
α = IC / IE
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
71
72. Esta configuração é exigida
para transistores operando na
região linear.
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
72
73. A saída terá uma forma de onda
idêntica a onda da entrada.
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
73
74. Correntes de emissor e coletor
serão aproximadamente iguais.
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
74
75. Corrente de base será muito
pequena.
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
75
76. Se a corrente de base varia, a
corrente no emissor e coletor
variarão proporcionalmente.
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
76
77. Esta é a base para a amplificação.
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
77
78. A razão entre a corrente de
base e de coletor é pequena e
é chamada de β do transistor
β = IC / IB = hFE
N
N
P
+
+
-
-
Terminal
de coletor
Terminal de
emissor
78
79. Em resumo . . .
É importante compreender quais são os efeitos de
se polarizar simultaneamente ambas as junções.
79
82. Modos de operação do TBJ
O transistor pode operar em três diferentes estados:
82
83. Modos de operação do TBJ
O transistor pode operar em três diferentes estados:
Cut-off (corte) – no qual o transistor não tem nenhuma
corrente de saída. (i- Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas
Reversamente)
83
84. Modos de operação do TBJ
O transistor pode operar em três diferentes estados:
Cut-off (corte) – no qual o transistor não tem nenhuma
corrente de saída. (i- Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas
Reversamente)
Região Ativa – no qual a corrente de saída de coletor, iC
é controlada pela corrente de base, iB, (ii - Junção Base-Emissor e
Base-Coletor polarizadas Diretamente) e
84
85. Modos de operação do TBJ
O transistor pode operar em três diferentes estados:
Cut-off (corte) – no qual o transistor não tem nenhuma
corrente de saída. (i- Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas
Reversamente)
Saturação – onde a corrente de coletor do transistor
alcança um valor máximo e um aumento na corrente de
base não tem nenhum efeito sobre a corrente de coletor
(ii - Junção Base-Emissor e Base-Coletor polarizadas Diretamente), e
Região Ativa – no qual a corrente de saída de coletor, iC
é controlada pela corrente de base, iB, (iii - Junção Base-Emissor
polarizada diretamente e Base-Coletor polarizada Reversamente).
85
99. Modo Ativo
A relação entre as correntes é expressa pela
iE = iC + iB, e iC = β · iB
99
100. Modo Ativo
Isto demonstra que as correntes de coletor e emissor
são funções da iB corrente de entrada.
100
101. Modo Ativo
Quando a corrente de controle é a corrente de base,
dizemos que o dispositivo é controlado por corrente.
101
102. Conceitos de Polarização
Conceitos importantes para se entender sobre polarização de transistores e características.
O beta do transistor
β = IC / IB = hFE
O alfa do transistor
α = IC / IE
Saturação
fluxo de corrente máxima do transistor
Corte (cutoff)
nenhum fluxo de corrente
1
2
3
4
Emissor
Coletor
Base
Transistor típico: 2N3904 tem
100 < β < 300
Para o transistor
na região ativa.
102
103. Condições de Polarização
Para as várias aplicações, certas condições devem ser
satisfeitas para que o circuito opere apropriadamente.
Aplicação Região de
operação do
transistor
Polarização
B - E
Polarização
B - C
Circuitos
digitais
Saturação Direta Direta
Circuitos
digitais
Corte Reversa Reversa
Amplificadores Linear Direta Reversa
103