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EL DIODO DE UNIÓN BIPOLAR
DIODO IDEAL
El diodo es el más simple de los dispositivos semiconductores,
pero con un papel fundamental para los sistemas electrónicos
ya que cuenta con características que lo asemejan a un
interruptor sencillo.
El diodo ideal es un dispositivo
de dos terminales que se
representa por el símbolo de la
figura    1a     y     posee    las
características que se muestran
en la figura 1b. De forma ideal, el
diodo conducirá corriente en la
dirección definida por la flecha
que se muestra en el símbolo y
actuará como un circuito abierto
ante cualquier intento por
establecer     corriente   en    la
dirección opuesta.
                                      Figura 1. Diodo Ideal: (a) Símbolo;
                                              (b) Características.
El diodo ideal representa un circuito cerrado en la región de
conducción, y representa un circuito abierto en la región de no
conducción. Es relativamente fácil determinar si el diodo se
encuentra en la región de conducción o en la de no conducción
mediante la simple observación de la dirección de la corriente ID
que establece el voltaje aplicado.




           Figura 2. Estado de (a) conducción y (b) no conducción.
DIODO SEMICONDUCTOR
Ya que el diodo es un dispositivo de dos terminales, la
aplicación de un voltaje a través de sus terminales ofrece tres
posibilidades:
a) Sin Polarización (VD = 0V)
b) Polarización Directa (VD > 0V)
c) Polarización Inversa (VD < 0V)
SIN POLARIZACIÓN ( VD = 0V)

En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto
de carga en cualquier dirección para un diodo semiconductor es
cero.




        Figura 3. Situación sin polarización para un diodo semiconductor.
POLARIZACIÓN INVERSA ( VD < 0V)

La corriente que se forma bajo una situación de polarización
inversa se denomina corriente de saturación inversa y se
representa por IS.




          Figura 4. Situación de polarización inversa para un diodo
                               semiconductor.
POLARIZACIÓN DIRECTA ( VD > 0V)

Un diodo semiconductor se encuentra en polarización directa
cuando se establece una asociación tipo p con positivo y tipo n
con negativo.




          Figura 5. Situación de polarización directa para un diodo
                               semiconductor.
Mediante el empleo de la física del estado sólido se puede
demostrar que las características generales de un diodo
semiconductor se pueden definir con la ecuación siguiente:

                         ID = ISekVD/Tk - IS

Donde:
IS = corriente de saturación inversa
k = 11,600/ƞ donde ƞ=1 para el Ge y ƞ=2 para el Si para niveles relativamente
bajos de corriente del diodo y ƞ=1 tanto para el Ge como para el Si para
niveles mayores de corriente del diodo.
Tk= TC + 273º
Figura 6. Características del diodo semiconductor de silicio.
REGIÓN ZENER
El potencial de polarización inversa que provoca un cambio
dramático de las características del diodo se denomina
potencial Zener y se le asigna el símbolo Vz.




                     Figura 7. Región Zener.
COMPARACIÓN ENTRE EL SILICIO Y EL
                     GERMANIO
Figura 8. Comparación entre diodos semiconductores de Si y de Ge.
NIVELES DE RESISTENCIA
RESISTENCIA DE DC O RESISTENCIA ESTÁTICA

La resistencia del diodo en el punto de operación puede
encontrarse fácilmente localizando primero los valores
correspondientes de VD y de ID.




      Figura 9. Determinación de la resistencia de dc de un diodo en un
                      punto de operación en particular..
EJEMPLO

Determine      los   niveles   de
resistencia dc para el diodo de la
figura utilizando los siguientes
valores:
a) ID = 2mA
b) ID = 20mA
c) VD = -10V




                                     Figura 10. Ejemplo.
RESISTENCIA DE AC O RESISTENCIA DINÁMICA

Resulta obvio que la resistencia de dc de un diodo es
independiente de la forma que tenga la característica para la
región que rodea al punto de interés. Si en lugar de aplicar una
entrada de dc, se aplica una entrada senoidal, la situación
cambiará por completo.
La variación       de     entrada
desplazará por completo al
punto         de       operación
instantáneo hacia arriba y hacia
abajo a una región de las
características y de esta forma
definirá un cambio específico
en la corriente y el voltaje.




                                          Figura 11. Definición de la
                                    resistencia dinámica o resistencia de
                                                      ac.
CIRCUITO EQUIVALENTES PARA DIODOS
Un circuito equivalente es un combinación de elementos
elegidos de forma apropiada para representar de la mejor
manera las características terminales reales de un dispositivo,
sistema o similar, para un región de operación en particular.
CIRCUITO EQUIVALENTE DE SEGMENTOS LINEALES

                     Figura 12. Definición del circuito equivalente de
                     segmentos lineales utilizando segmentos de líneas
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                      Figura 13. Componentes del circuito equivalente de
                                     segmentos lineales.
CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO




           Figura 14. Circuito equivalente simplificado para el
                     diodo semiconductor de silicio.
CIRCUITO EQUIVALENTE IDEAL




              Figura 15. Diodo ideal y sus características.

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El Diodo Semiconductor

  • 1. EL DIODO DE UNIÓN BIPOLAR
  • 3. El diodo es el más simple de los dispositivos semiconductores, pero con un papel fundamental para los sistemas electrónicos ya que cuenta con características que lo asemejan a un interruptor sencillo.
  • 4. El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que se representa por el símbolo de la figura 1a y posee las características que se muestran en la figura 1b. De forma ideal, el diodo conducirá corriente en la dirección definida por la flecha que se muestra en el símbolo y actuará como un circuito abierto ante cualquier intento por establecer corriente en la dirección opuesta. Figura 1. Diodo Ideal: (a) Símbolo; (b) Características.
  • 5. El diodo ideal representa un circuito cerrado en la región de conducción, y representa un circuito abierto en la región de no conducción. Es relativamente fácil determinar si el diodo se encuentra en la región de conducción o en la de no conducción mediante la simple observación de la dirección de la corriente ID que establece el voltaje aplicado. Figura 2. Estado de (a) conducción y (b) no conducción.
  • 7. Ya que el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicación de un voltaje a través de sus terminales ofrece tres posibilidades: a) Sin Polarización (VD = 0V) b) Polarización Directa (VD > 0V) c) Polarización Inversa (VD < 0V)
  • 8. SIN POLARIZACIÓN ( VD = 0V) En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de carga en cualquier dirección para un diodo semiconductor es cero. Figura 3. Situación sin polarización para un diodo semiconductor.
  • 9. POLARIZACIÓN INVERSA ( VD < 0V) La corriente que se forma bajo una situación de polarización inversa se denomina corriente de saturación inversa y se representa por IS. Figura 4. Situación de polarización inversa para un diodo semiconductor.
  • 10. POLARIZACIÓN DIRECTA ( VD > 0V) Un diodo semiconductor se encuentra en polarización directa cuando se establece una asociación tipo p con positivo y tipo n con negativo. Figura 5. Situación de polarización directa para un diodo semiconductor.
  • 11. Mediante el empleo de la física del estado sólido se puede demostrar que las características generales de un diodo semiconductor se pueden definir con la ecuación siguiente: ID = ISekVD/Tk - IS Donde: IS = corriente de saturación inversa k = 11,600/ƞ donde ƞ=1 para el Ge y ƞ=2 para el Si para niveles relativamente bajos de corriente del diodo y ƞ=1 tanto para el Ge como para el Si para niveles mayores de corriente del diodo. Tk= TC + 273º
  • 12. Figura 6. Características del diodo semiconductor de silicio.
  • 14. El potencial de polarización inversa que provoca un cambio dramático de las características del diodo se denomina potencial Zener y se le asigna el símbolo Vz. Figura 7. Región Zener.
  • 15. COMPARACIÓN ENTRE EL SILICIO Y EL GERMANIO
  • 16. Figura 8. Comparación entre diodos semiconductores de Si y de Ge.
  • 18. RESISTENCIA DE DC O RESISTENCIA ESTÁTICA La resistencia del diodo en el punto de operación puede encontrarse fácilmente localizando primero los valores correspondientes de VD y de ID. Figura 9. Determinación de la resistencia de dc de un diodo en un punto de operación en particular..
  • 19. EJEMPLO Determine los niveles de resistencia dc para el diodo de la figura utilizando los siguientes valores: a) ID = 2mA b) ID = 20mA c) VD = -10V Figura 10. Ejemplo.
  • 20. RESISTENCIA DE AC O RESISTENCIA DINÁMICA Resulta obvio que la resistencia de dc de un diodo es independiente de la forma que tenga la característica para la región que rodea al punto de interés. Si en lugar de aplicar una entrada de dc, se aplica una entrada senoidal, la situación cambiará por completo.
  • 21. La variación de entrada desplazará por completo al punto de operación instantáneo hacia arriba y hacia abajo a una región de las características y de esta forma definirá un cambio específico en la corriente y el voltaje. Figura 11. Definición de la resistencia dinámica o resistencia de ac.
  • 23. Un circuito equivalente es un combinación de elementos elegidos de forma apropiada para representar de la mejor manera las características terminales reales de un dispositivo, sistema o similar, para un región de operación en particular.
  • 24. CIRCUITO EQUIVALENTE DE SEGMENTOS LINEALES Figura 12. Definición del circuito equivalente de segmentos lineales utilizando segmentos de líneas rectas para aproximar la curva característica. Figura 13. Componentes del circuito equivalente de segmentos lineales.
  • 25. CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO Figura 14. Circuito equivalente simplificado para el diodo semiconductor de silicio.
  • 26. CIRCUITO EQUIVALENTE IDEAL Figura 15. Diodo ideal y sus características.