7129780438155377180-232410TIPOS DE MEMORIA0TIPOS DE MEMORIA<br />7129780149225     QUE ES<br />3700780197485se refiere a parte de los componentes que forman parte de una computadora. Son dispositivos que retienen datos informáticos durante algún intervalo de tiempo.00se refiere a parte de los componentes que forman parte de una computadora. Son dispositivos que retienen datos informáticos durante algún intervalo de tiempo.<br />6882130607695009130030607695259588060769525958806076950071774053314706167755607695<br />12139930285115<br />11577955247650CACHECACHE8539480238125FLASHFLASH5558155238125EEPROMEEPROM2072005238125EPROMEPROM<br />9099552886710Se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta.Se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.0Se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta.Se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.108254802934335Es un sistema de almacenamiento de alta velocidadEs efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instruccionesEs un sistema de almacenamiento de alta velocidadEs efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones77203302934335Permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigeniaContiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada intersección.Permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigeniaContiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada intersección.46437552934335Puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente.Están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.Puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente.Están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.122351802658110920623026581106243955264858525673052648585115779552410460CARACTERISTICASCARACTERISTICAS84632802419985CARACTERISTICASCARACTERISTICAS55105302410460CARACTERISTICASCARACTERISTICAS18910302410460CARACTERISTICASCARACTERISTICAS12235180213423592062302134235624395521342352576830213423510920730448310Usada por la unidad central de procesamiento de una computadora para reducir el tiempo de acceso a la memoria. La caché es una memoria más pequeña y rápida, la cual almacena copias de los datos ubicados en la memoria principal utilizados con más frecuencia.00Usada por la unidad central de procesamiento de una computadora para reducir el tiempo de acceso a la memoria. La caché es una memoria más pequeña y rápida, la cual almacena copias de los datos ubicados en la memoria principal utilizados con más frecuencia.7720330448310La memoria flash es una tecnología de almacenamiento —derivada de la memoria EEPROM— que permite la lecto-escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación.00La memoria flash es una tecnología de almacenamiento —derivada de la memoria EEPROM— que permite la lecto-escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación.4729480448310Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no volátiles.00Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no volátiles.1224280448310Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formado por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o \"
transistores de puerta flotante\"
, cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 100Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formado por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o \"
transistores de puerta flotante\"
, cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 112139930181610912050517208561677551720852586355172085<br />

Evidencia 3

  • 1.
    7129780438155377180-232410TIPOS DE MEMORIA0TIPOSDE MEMORIA<br />7129780149225 QUE ES<br />3700780197485se refiere a parte de los componentes que forman parte de una computadora. Son dispositivos que retienen datos informáticos durante algún intervalo de tiempo.00se refiere a parte de los componentes que forman parte de una computadora. Son dispositivos que retienen datos informáticos durante algún intervalo de tiempo.<br />6882130607695009130030607695259588060769525958806076950071774053314706167755607695<br />12139930285115<br />11577955247650CACHECACHE8539480238125FLASHFLASH5558155238125EEPROMEEPROM2072005238125EPROMEPROM<br />9099552886710Se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta.Se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.0Se puede borrar solamente mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta.Se reconocen fácilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.108254802934335Es un sistema de almacenamiento de alta velocidadEs efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instruccionesEs un sistema de almacenamiento de alta velocidadEs efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones77203302934335Permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigeniaContiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada intersección.Permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigeniaContiene una matriz de celdas con un transistor evolucionado con dos puertas en cada intersección.46437552934335Puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente.Están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.Puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente.Están constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.122351802658110920623026581106243955264858525673052648585115779552410460CARACTERISTICASCARACTERISTICAS84632802419985CARACTERISTICASCARACTERISTICAS55105302410460CARACTERISTICASCARACTERISTICAS18910302410460CARACTERISTICASCARACTERISTICAS12235180213423592062302134235624395521342352576830213423510920730448310Usada por la unidad central de procesamiento de una computadora para reducir el tiempo de acceso a la memoria. La caché es una memoria más pequeña y rápida, la cual almacena copias de los datos ubicados en la memoria principal utilizados con más frecuencia.00Usada por la unidad central de procesamiento de una computadora para reducir el tiempo de acceso a la memoria. La caché es una memoria más pequeña y rápida, la cual almacena copias de los datos ubicados en la memoria principal utilizados con más frecuencia.7720330448310La memoria flash es una tecnología de almacenamiento —derivada de la memoria EEPROM— que permite la lecto-escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación.00La memoria flash es una tecnología de almacenamiento —derivada de la memoria EEPROM— que permite la lecto-escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación.4729480448310Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no volátiles.00Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no volátiles.1224280448310Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formado por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o \" transistores de puerta flotante\" , cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 100Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman. Está formado por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o \" transistores de puerta flotante\" , cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 112139930181610912050517208561677551720852586355172085<br />