1. Universidad Tecnica de
machala
faultad ciencias quimicas y de
la salud
escuela de enfermeria
informatica II
alumna:
sonia fares
profesora:
ing: karina garcia

3. MEMORIA RAM
• Concepto
• RAM
:
Siglas
de
Random Access Memory, un tipo
de memoria a la que se puede
acceder de forma aleatoria; esto
es, se puede acceder a cualquier
byte de la memoria sin pasar por
los bytes precedentes. RAM es el
tipo más común de memoria en
las computadoras y en otros
dispositivos,
tales
como
las impresoras.
• Hay dos tipos básicos de RAM:
• DRAM (Dynamic RAM), RAM
dinámica
• SRAM (Static RAM), RAM estática
• La RAM dinámica necesita ser
refrescada cientos de veces por
segundo, mientras que la
RAM estática no necesita ser
refrescada tan frecuentemente,
lo que la hace más rápida, pero
también más cara que la RAM
dinámica. Ambos tipos son
volátiles, lo que significa que
pueden perder su contenido
cuando
se
desconecta
la
alimentación.

4. TIPOS DE MEMORIA RAM
VRAM
•
Siglas de Vídeo RAM, una memoria de
propósito especial usada por los
adaptadores de vídeo. A diferencia de la
convencional
memoria
RAM, la VRAM puede ser accedida por
dos diferentes dispositivos de forma
simultánea.
Esto
permite
que
un monitor pueda acceder a la VRAM
para las actualizaciones de la pantalla al
mismo
tiempo
que
un procesador gráfico suministra
nuevos datos. VRAM permite mejores
rendimientosgráficos aunque es más
cara que la una RAM normal.
SIMM
•
•
Siglas de Single In line Memory Module, un
tipo de encapsulado consistente en una
pequeña placa de circuito impreso que
almacena chips de memoria, y que se inserta
en un zócalo SIMM en la placa madre o en la
placa de memoria. Los SIMMs son más
fáciles de instalar que los antiguos chips de
memoria individuales, y a diferencia de ellos
son medidos en bytes en lugar de bits.
El primer formato que se hizo popular en los
computadores personales tenía 3.5" de largo
y usaba un conector de 32 pins. Un formato
más largo de 4.25", que usa 72 contactos y
puede almacenar hasta 64 megabytes de
RAM es actualmente el más frecuente.

5. DIMM
DIP
• Siglas de Dual In line Memory
Module, un tipo de
encapsulado, consistente en
una pequeña placa de circuito
impreso que almacena chips
de memoria, que se inserta en
un zócalo DIMM en la placa
madre y usa generalmente un
conector de 168 contactos.
• Siglas de Dual In line
Package, un tipo de
encapsulado consistente en
almacenar un chip de
memoria en una caja
rectangular con dos filas de
pines de conexión en cada
lado.

6. RAM Disk
•
•
Se refiere a la RAM que ha sido configurada
para simular un disco duro. Se puede acceder
a los ficheros de un RAM disk de la misma
forma en la que se acceden a los de un disco
duro. Sin embargo, los RAM disk son
aproximadamente miles de veces más
rápidos que los discos duros, y son
particularmente útiles para aplicaciones que
precisan de frecuentes accesos a disco.
Dado que están constituidos por RAM
normal. los RAM disk pierden su contenido
una vez que la computadora es apagada. Para
usar los RAM Disk se precisa copiar los
ficheros desde un disco duro real al inicio de
la sesión y copiarlos de nuevo al disco duro
antes de apagar la máquina. Observe que en
el caso de fallo de alimentación eléctrica, se
perderán los datos que huviera en el RAM
disk. El sistema operativo DOS permite
convertir la memoria extendida en un RAM
Disk por medio del comando VDISK, siglas de
Virtual DISK, otro nombre de los RAM Disks.
Memoria Caché ó RAM Caché
•
Un caché es un sistema especial
de almacenamiento de alta velocidad. Puede
ser tanto un área reservada de la memoria
principal
como
un
dispositivo
de
almacenamiento
de
alta
velocidad
independiente. Hay dos tipos de caché
frecuentemente usados en las computadoras
personales: memoria caché y caché de disco.
Una memoria caché, llamada tambien a
veces almacenamiento caché ó RAM caché,
es una parte de memoria RAM estática de
alta velocidad (SRAM) más que la lenta y
barata RAM dinámica (DRAM) usada como
memoria principal. La memoria caché es
efectiva dado que los programas acceden
una y otra vez a los mismos datos o
instrucciones.
Guardando
esta
información
en
SRAM,
la computadora evita acceder a la lenta
DRAM.

7. SRAM
•
•
•
Siglas de Static Random Access Memory, es
un tipo de memoria que es más rápida y
fiable que la más común DRAM (Dynamic
RAM). El término estática viene derivado del
hecho que necesita ser refrescada menos
veces que la RAM dinámica.
Los chips de RAM estática tienen tiempos de
acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos,
mientras que las RAM dinámicas están por
encima de 30, y las memorias bipolares y ECL
se encuentran por debajo de 10
nanosegundos.
Un bit de RAM estática se construye con un -- como circuito flip-flop que permite que la
corriente fluya de un lado a otro basándose
en cual de los dos transistores es activado.
Las RAM estáticas no precisan de circuiteria
de refresco como sucede con las RAMs
dinámicas, pero precisan más espacio y usan
mas energía. La SRAM, debido a su alta
velocidad, es usada como memoria caché.
DRAM
•
Siglas de Dynamic RAM, un tipo de
memoria de gran capacidad pero
que precisa ser constantemente
refrescada (re-energizada) o
perdería su contenido.
Generalmente usa un transistor y
un condensador para representar
un bit Los condensadores debe de
ser energizados cientos de veces
por segundo para mantener las
cargas. A diferencia de los chips
firmware (ROMs, PROMs, etc.) las
dos principales variaciones de RAM
(dinámica y estática) pierden su
contenido cuando se desconectan
de la alimentación. Contrasta con la
RAM estática.

8. SDRAM
•
Siglas de Synchronous DRAM,
DRAM síncrona, un tipo de
memoria RAM dinámica que es casi
un 20% más rápida que la RAM
EDO. SDRAM entrelaza dos o
más matrices de memoria interna
de tal forma que mientras que se
está accediendo a una matriz, la
siguiente se está preparando para
el acceso. SDRAM-II es tecnología
SDRAM más rápida esperada para
1998. También conocido como DDR
DRAM o DDR SDRAM (Double Data
Rate DRAM o SDRAM), permite leer
y escribir datos a dos veces la
velocidad bús.
FPM
•
Siglas de Fast Page Mode, memoria en
modo paginado, el diseño más comun
de chips de RAM dinámica. El acceso a
los bits de memoria se realiza por
medio de coordenadas, fila y columna.
Antes del modo paginado, era leido
pulsando la fila y la columna de las
líneas seleccionadas. Con el modo
pagina, la fila se selecciona solo una vez
para todas las columnas (bits) dentro de
la fila, dando como resultado un rápido
acceso. La memoria en modo paginado
tambien es llamada memoria de modo
Fast Page o memoria FPM, FPM RAM,
FPM DRAM. El término "fast" fué
añadido cuando los más nuevos chips
empezaron a correr a 100 nanoseconds
e incluso más.

9. EDO
•
•
•
•
Siglas de Extended Data Output, un tipo
de chip de RAM dinámica que mejora el
rendimiento del modo de memoria Fast
Page alrededor de un 10%. Al ser un
subconjunto de Fast Page, puede ser
substituida por chips de modo Fast
Page.
Sin embargo, si el controlador de
memoria no está diseñado para los más
rápidos chips EDO, el rendimiento será
el mismo que en el modo Fast Page.
EDO elimina los estados de espera
manteniendo activo el buffer de salida
hasta que comienza el próximo ciclo.
BEDO (Burst EDO) es un tipo más rápido
de EDO que mejora la velocidad usando
un contador de dirección para las
siguientes
direcciones
y
un estado 'pipeline' que solapa
las operaciones.
PB SRAM
•
•
Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama
'pipeline'
a
una
categoría
de
técnicas
que
proporcionan
un proceso simultáneo, o en paralelo
dentro de la computadora, y se refiere a
las operaciones de solapamiento
moviendo datos o instrucciones en una
'tuberia' conceptual con todas las fases
del 'pipe' procesando simultáneamente.
Por ejemplo, mientras una instrucción
se está ejecutándo, la computadora
está decodificando la siguiente
instrucción.
En procesadores vectoriales, pueden
procesarse simultáneamente varios
pasos de operaciones de coma flotante
La PB SRAM trabaja de esta forma y se
mueve en velocidades de entre 4 y 8
nanosegundos

10. TIPOS DE MEMORIA ROM
PROM
•
Por las siglas de Programmable Read
Only memory, en castellano ROM
programable, se caracteriza por ser
digital. En ella, cada uno de los bits
depende de un fusible, el cual puede
ser quemado una única vez. Esto
ocasiona que, a través de un
programador PROM, puedan ser
programadas por única vez. La memoria
PROM es utilizada en casos en que los
datos necesiten cambiarse en todos o la
mayoría de los casos. También se
recurre a ella cuando aquellos datos
que quieran almacenarse fe forma
permanente no superen a los de la
ROM.
EPROM
Por las siglas en inglés de Erasable Programmable
Read-Only Memory, en castellano, ROM
programable borrable de sólo lectura. Esta
memoria ROM es un chip no volátil y está
conformada por transistores de puertas flotantes
o celdas FAMOS que salen de fábrica sin carga
alguna. Esta memoria puede programarse a
través de un dispositivo electrónico cuyos voltajes
superan a los usados en circuitos electrónicos. A
partir de esto, las celdas comienzan a leerse
como 1, previo a esto se lo hace como 0. Esta
memoria puede ser borrada sólo si se la expone a
luces ultravioletas. Una vez que la EPROM es
programada, se vuelve no volátil, o sea que los
datos almacenados permanecen allí de forma
indefinida. A pesar de esto, puede ser borrada y
reprogramada con la utilización de elevados
niveles de voltaje.

11. EEPROM
• Como su nombre lo indica,
esta clase de memoria ROM
dispone de la capacidad de
programación, borrado y
reprogramación de forma
eléctrica. No son memorias
volátiles.
• La cantidad de veces que una0
memoria EEPROM puede
borrarse y reprogramarse
oscila entre cien mil y un
millón de veces. Sin embargo
son ilimitadas las veces que la
misma puede leerse.
FLASH
• Constituye una clase de
EEPROM, la cual puede ser
reprogramada en bloques. Es
un dispositivo de
almacenamiento que admite
la lectura y escritura de un
gran número de posiciones de
memoria en una misma
acción. Tiene una velocidad de
funcionamiento superior al
resto de las memorias ROM.
• La tecnología flash es utilizada
en pendrives, cámaras de
fotos, etc.