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2SK2313
                                                                                        2
                  東芝電界効果トランジスタ                               シリコンNチャネルMOS形 (L −π−MOSⅤ)


                                                     2SK2313
○ リレー駆動、DC−DC コンバータ用
                                                                                                                単位: mm
○ モータドライブ用


 4V 駆動です。
 オン抵抗が低い。                               : RDS (ON) = 8mΩ (標準)
 順方向伝達アドミタンスが高い。 : |Yfs| = 60S (標準)
 漏れ電流が低い。                               : IDSS = 100μA (最大)     (VDS = 60V)
 取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。
                                        : Vth = 0.8~2.0V (VDS = 10V、ID = 1mA)


絶対最大定格 (Ta = 25℃)

                      項目                          記号            定格            単位

 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧                            VDSS           60             V
 ドレイン・ゲート間電圧 (RGS=20kΩ)                          VDGR            60             V
 ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧                              VGSS           ±20            V      1. ゲート
                                                                                       2. ドレイン (放熱板)
                                   DC   (注 1)      ID            60             A
 ド レ イ ン 電 流                                                                           3. ソース
                               パルス (注 1)           IDP           240            A
 許        容       損        失 (Tc=25℃)              PD            150            W      JEDEC              ―
 アバランシェエネルギー(単発) (注 2)                            EAS           1054           mJ      JEITA            SC−65
 ア    バ       ラ   ン    シ       ェ        電   流      IAR           60             A
                                                                                       東    芝           2−16C1B
 アバランシェエネルギー(連続) (注 3)                            EAR            15            mJ
                                                                                       質量: 4.6 g (標準)
 チ      ャ         ネ        ル       温        度      Tch           150           ℃
 保            存                温            度     Tstg         −55~150         ℃

 注:     本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電
        流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、 信頼性が著しく低下するおそれがあります。
        弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
        び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。


熱抵抗特性

                      項目                          記号            最大            単位

 チ ャ ネ ル ・ ケ ー ス 間 熱 抵 抗                        Rth (ch−c)      0.833         °C / W
 チ ャ ネ ル ・ 外 気 間 熱 抵 抗                          Rth (ch−a)       50           °C / W

 注 1:     チャネル温度が 150℃を超えることのない放熱条件でご使用ください。

 注 2:     アバランシェエネルギー (単発) 印加条件
          VDD = 25V、Tch = 25℃ (初期) 、L = 398μH、RG = 25Ω、IAR = 60A

 注 3:     連続印加の際、パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。

 この製品は MOS 構造です。取り扱いの際には、静電気にご注意ください。




                                                                  1                                       2006-11-16
2SK2313
電気的特性 (Ta = 25℃)

                     項目                             記号                     測定条件                最小    標準     最大     単位

 ゲ   ー       ト       漏        れ       電       流     IGSS       VGS = ±16V, VDS = 0V            ―      ―     ±10    μA
 ド   レ   イ       ン   し    ゃ       断       電   流     IDSS       VDS = 60V, VGS = 0V             ―      ―     100    μA
 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 降 伏 電 圧                        V (BR) DSS   ID = 10mA, VGS = 0V             60     ―      ―     V
 ゲ   ー   ト       し   き    い       値       電   圧      Vth       VDS = 10V, ID = 1mA             0.8    ―      2.0   V
                                                               VGS = 4V, ID = 30A              ―      12     15
 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 オ ン 抵 抗                        RDS (ON)                                                         mΩ
                                                               VGS = 10V, ID = 30A             ―      8      11
 順 方 向 伝 達 ア ド ミ タ ン ス                               |Yfs|     VDS = 10V, ID = 30A             40    60      ―     S
 入           力                容               量      Ciss                                      ―     5400    ―
 帰           還                容               量      Crss      VDS = 10V, VGS = 0V, f = 1MHz   ―     920     ―     pF

 出           力                容               量     Coss                                       ―     2600    ―

                          上       昇       時   間       tr                                       ―      30     ―


                          ターンオン時間                    ton                                       ―      60     ―
 スイッチング時間                                                                                                          ns
                          下       降       時   間       tf                                       ―      65     ―


                          ターンオフ時間                    toff                                      ―     220     ―

 ゲ   ー       ト   入       力    電           荷   量      Qg                                        ―     170     ―
                                                               VDD≒48V, VGS = 10V,
 ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 荷 量                               Qgs                                       ―     110     ―     nC
                                                               ID = 60A
 ゲ ー ト ・ ド レ イ ン 間 電 荷 量                             Qgd                                       ―      60     ―



ソース・ドレイン間の定格と電気的特性 (Ta = 25℃)

                     項目                             記号                     測定条件                最小    標準     最大     単位

 ド レ イ ン 逆 電 流 (連続) (注 1)                            IDR                      ―                ―      ―      60    A
 ド レ イ ン 逆 電 流 (パルス) (注 1)                          IDRP                      ―                ―      ―     240    A
 順 方 向 電 圧 ( ダ イ オ ー ド )                            VDSF       IDR = 60A, VGS = 0V             ―      ―     −1.7   V
 逆       回           復            時           間       trr      IDR = 60A, VGS = 0V                   150     ―     ns
 逆       回       復        電           荷       量      Qrr       dIDR / dt = 50A / μs            ―     0.3     ―     μC



現品表示




                 K2313                    製品名 (または略号)
                                          ロット No.


                                          外装鉛フリー
                                          識別マーク
                                          (なし: 鉛含有
                                           あり: 鉛フリー)




                                                                  2                                         2006-11-16
2SK2313




3   2006-11-16
2SK2313




4   2006-11-16
2SK2313




5   2006-11-16
2SK2313




当社半導体製品取り扱い上のお願い                                     20070701-JA

• 当社は品質,信頼性の向上に努めておりますが,一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当
  社半導体製品をご使用いただく場合は,半導体製品の誤作動や故障により,生命・身体・財産が侵害されること
  のないように,購入者側の責任において,機器の安全設計を行うことをお願いします。
  なお,設計に際しては,最新の製品仕様をご確認の上,製品保証範囲内でご使用いただくと共に,考慮されるべ
  き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」「半導体信頼性ハンドブック」な
                                     ,
  どでご確認ください。

• 本資料に掲載されている製品は,一般的電子機器(コンピュータ,パーソナル機器,事務機器,計測機器,産業
  用ロボット,家電機器など)に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され,その故
  障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器(原子力制御機器,航空宇宙機器,輸送
  機器,交通信号機器,燃焼制御,医療機器,各種安全装置など)にこれらの製品を使用すること(以下“特定用
  途”という)は意図もされていませんし,また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用
  途に使用することは,お客様の責任でなされることとなります。

• 本資料に掲載されている製品を,国内外の法令,規則及び命令により製造,使用,販売を禁止されている応用製
  品に使用することはできません。

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  び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。

• 本資料に掲載されている製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合
  せください。本資料に掲載されている製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制する RoHS 指令な
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  とにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。

• 本資料の掲載内容は,技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。




                           6                     2006-11-16

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  • 1. 2SK2313 2 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 (L −π−MOSⅤ) 2SK2313 ○ リレー駆動、DC−DC コンバータ用 単位: mm ○ モータドライブ用 4V 駆動です。 オン抵抗が低い。 : RDS (ON) = 8mΩ (標準) 順方向伝達アドミタンスが高い。 : |Yfs| = 60S (標準) 漏れ電流が低い。 : IDSS = 100μA (最大) (VDS = 60V) 取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。 : Vth = 0.8~2.0V (VDS = 10V、ID = 1mA) 絶対最大定格 (Ta = 25℃) 項目 記号 定格 単位 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧 VDSS 60 V ドレイン・ゲート間電圧 (RGS=20kΩ) VDGR 60 V ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧 VGSS ±20 V 1. ゲート 2. ドレイン (放熱板) DC (注 1) ID 60 A ド レ イ ン 電 流 3. ソース パルス (注 1) IDP 240 A 許 容 損 失 (Tc=25℃) PD 150 W JEDEC ― アバランシェエネルギー(単発) (注 2) EAS 1054 mJ JEITA SC−65 ア バ ラ ン シ ェ 電 流 IAR 60 A 東 芝 2−16C1B アバランシェエネルギー(連続) (注 3) EAR 15 mJ 質量: 4.6 g (標準) チ ャ ネ ル 温 度 Tch 150 ℃ 保 存 温 度 Tstg −55~150 ℃ 注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電 流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、 信頼性が著しく低下するおそれがあります。 弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。 熱抵抗特性 項目 記号 最大 単位 チ ャ ネ ル ・ ケ ー ス 間 熱 抵 抗 Rth (ch−c) 0.833 °C / W チ ャ ネ ル ・ 外 気 間 熱 抵 抗 Rth (ch−a) 50 °C / W 注 1: チャネル温度が 150℃を超えることのない放熱条件でご使用ください。 注 2: アバランシェエネルギー (単発) 印加条件 VDD = 25V、Tch = 25℃ (初期) 、L = 398μH、RG = 25Ω、IAR = 60A 注 3: 連続印加の際、パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。 この製品は MOS 構造です。取り扱いの際には、静電気にご注意ください。 1 2006-11-16
  • 2. 2SK2313 電気的特性 (Ta = 25℃) 項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位 ゲ ー ト 漏 れ 電 流 IGSS VGS = ±16V, VDS = 0V ― ― ±10 μA ド レ イ ン し ゃ 断 電 流 IDSS VDS = 60V, VGS = 0V ― ― 100 μA ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 降 伏 電 圧 V (BR) DSS ID = 10mA, VGS = 0V 60 ― ― V ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Vth VDS = 10V, ID = 1mA 0.8 ― 2.0 V VGS = 4V, ID = 30A ― 12 15 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 オ ン 抵 抗 RDS (ON) mΩ VGS = 10V, ID = 30A ― 8 11 順 方 向 伝 達 ア ド ミ タ ン ス |Yfs| VDS = 10V, ID = 30A 40 60 ― S 入 力 容 量 Ciss ― 5400 ― 帰 還 容 量 Crss VDS = 10V, VGS = 0V, f = 1MHz ― 920 ― pF 出 力 容 量 Coss ― 2600 ― 上 昇 時 間 tr ― 30 ― ターンオン時間 ton ― 60 ― スイッチング時間 ns 下 降 時 間 tf ― 65 ― ターンオフ時間 toff ― 220 ― ゲ ー ト 入 力 電 荷 量 Qg ― 170 ― VDD≒48V, VGS = 10V, ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 荷 量 Qgs ― 110 ― nC ID = 60A ゲ ー ト ・ ド レ イ ン 間 電 荷 量 Qgd ― 60 ― ソース・ドレイン間の定格と電気的特性 (Ta = 25℃) 項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位 ド レ イ ン 逆 電 流 (連続) (注 1) IDR ― ― ― 60 A ド レ イ ン 逆 電 流 (パルス) (注 1) IDRP ― ― ― 240 A 順 方 向 電 圧 ( ダ イ オ ー ド ) VDSF IDR = 60A, VGS = 0V ― ― −1.7 V 逆 回 復 時 間 trr IDR = 60A, VGS = 0V 150 ― ns 逆 回 復 電 荷 量 Qrr dIDR / dt = 50A / μs ― 0.3 ― μC 現品表示 K2313 製品名 (または略号) ロット No. 外装鉛フリー 識別マーク (なし: 鉛含有 あり: 鉛フリー) 2 2006-11-16
  • 3. 2SK2313 3 2006-11-16
  • 4. 2SK2313 4 2006-11-16
  • 5. 2SK2313 5 2006-11-16
  • 6. 2SK2313 当社半導体製品取り扱い上のお願い 20070701-JA • 当社は品質,信頼性の向上に努めておりますが,一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当 社半導体製品をご使用いただく場合は,半導体製品の誤作動や故障により,生命・身体・財産が侵害されること のないように,購入者側の責任において,機器の安全設計を行うことをお願いします。 なお,設計に際しては,最新の製品仕様をご確認の上,製品保証範囲内でご使用いただくと共に,考慮されるべ き注意事項や条件について「東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い」「半導体信頼性ハンドブック」な , どでご確認ください。 • 本資料に掲載されている製品は,一般的電子機器(コンピュータ,パーソナル機器,事務機器,計測機器,産業 用ロボット,家電機器など)に使用されることを意図しています。特別に高い品質・信頼性が要求され,その故 障や誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器(原子力制御機器,航空宇宙機器,輸送 機器,交通信号機器,燃焼制御,医療機器,各種安全装置など)にこれらの製品を使用すること(以下“特定用 途”という)は意図もされていませんし,また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用 途に使用することは,お客様の責任でなされることとなります。 • 本資料に掲載されている製品を,国内外の法令,規則及び命令により製造,使用,販売を禁止されている応用製 品に使用することはできません。 • 本資料に掲載してある技術情報は,製品の代表的動作・応用を説明するためのもので,その使用に際して当社及 び第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。 • 本資料に掲載されている製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合 せください。本資料に掲載されている製品のご使用に際しては、特定の物質の含有・使用を規制する RoHS 指令な どの法令を十分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様が適用される法令を遵守しないこ とにより生じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。 • 本資料の掲載内容は,技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。 6 2006-11-16