1. Développement de procédés de gravure
de grille métallique W, WN pour les nœuds
technologiques sub-45 nm
Thèse CIFRE STMicroelectronics
Réalisée au CEA-LETI
Thomas Morel
Université Joseph Fourier
Encadrant : Sébastien Barnola (CEA-LETI-Minatec)
Directeur de thèse : Olivier Joubert (CNRS-LTM)
5 mai 2009
2. Sommaire
Contexte
Introduction
Objectifs de l’étude
Dispositif expérimental
La méthodologie de travail
Les réacteurs de gravure
Optimisation des procédés de gravure
Caractérisation des matériaux
Etude préliminaire
Développement de chimies à base de Cl2/O2
Compréhension des mécanismes de gravure
Analyse de surface par XPS
Analyse des plasmas Cl2/O2 par spectrométrie de masse
Analyse des couches de passivation
Conclusions et perspectives
3. Conclusions Compréhension Optimisation Dispositif
Perspectives des mécanismes des procédés expérimental Contexte
Qu’est-ce que la microélectronique ?
3
4. Qu’est-ce que la microélectronique ?
Contexte
expérimental
Dispositif
des procédés
Optimisation
Deux grandes parties dans une puce
Le back-end : interconnexions
des mécanismes
Compréhension
Le front-end : dispositifs actifs
Perspectives
Conclusions
Source : www.intel.com
4
5. Le transistor MOS
Contexte
Transistor MOS ≡ Commutateur
Diélectrique de
grille
expérimental
Dispositif
TOX
Source : www.ibm.com
des procédés
Optimisation
Pour la technologie 150 nm (2000)
Longueur de grille L = 120 nm
Tox (Epaisseur d’oxyde) = 1,9 nm
des mécanismes
Compréhension
10 ans
Pour la technologie 45 nm (2010)
Perspectives
Conclusions
2300 transistors Longueur de grille L = 23 nm
Tox équivalent = 0,65 nm
5
6. Optimisation du transistor MOS
Limiter les courants de fuite Eviter la déplétion de grille
Contexte
Remplacer l’oxyde de grille par un High-K Insérer une couche métallique entre la
grille et le diélectrique de grille
expérimental
kSiO2
Dispositif
k HK
Cox = A × = A×
TSiO2 THK
Polysilicium Polysilicium
Polysilicium Polysilicium
des procédés
Optimisation
Déplétion Métal
THK EOT SiO2 EOT SiO2
SiO2 High-K
Substrat Si Substrat Si Substrat Si Substrat Si
des mécanismes
Compréhension
SiO2 High-k
Perspectives
Conclusions
Grille CMOS conventionnelle Grilles métalliques duales
6
7. Introduction des métaux W et WN
Contexte
N+
W, WN W, WN MOCVD*:
expérimental
Dispositif
CEA-LETI
P+ H. Michaelson, JAP 48 p4729 (1977)
des procédés
Optimisation
Avantages de W, WN
Matériaux connus dans la microélectronique (ex : interconnexions)
Grande stabilité thermique (température de fusion du W : 3422 °
C)
des mécanismes
Dépôt MOCVD pour éviter de dégrader le High-K
Compréhension
Les nouveaux problèmes liés à l’intégration du W, WN
Besoin d’une couche TiN pour éviter la siliciuration du W (WN) lors du dépôt poly-Si
Quel impact sur le poly-Si et le TiN et leur gravure ?
Perspectives
Conclusions
Besoin de contrôler la contamination métallique après gravure nettoyage du réacteur
* Metal Organic Chemical Vapor Deposition 7
8. Objectifs de la gravure de grille métallique
Contexte
expérimental
Dispositif
Masque
Poly-Si 1000 Å
des procédés
Optimisation
TiN 100 Å
W ou WN 100 Å
High-K 30 Å
Substrat Si
des mécanismes
Compréhension
Compatibilité des chimies de gravure
du poly-Si et du métal
Sélectivité métal/high-k > 30:1
Perspectives
Conclusions
Aucun résidu métallique sur la grille
8
9. Sommaire
Contexte
Introduction
Objectifs de l’étude
Dispositif expérimental
La méthodologie de travail
Les réacteurs de gravure
Optimisation des procédés de gravure
Caractérisation des matériaux
Etude préliminaire
Développement de chimies à base de Cl2/O2
Compréhension des mécanismes de gravure
Analyse de surface par XPS
Analyse des plasmas Cl2/O2 par spectrométrie de masse
Analyse des couches de passivation
Conclusions et perspectives
10. Méthodologie de travail
6
6,0x10
Nombre de coups
6
4,0x10
6
2,0x10
W O
5
4x10
5
3x10
5
2x10
5
1x10 Cl
expérimental
0
C+F
Dispositif
0 50 100 150 300 350 400
Masse (u.m.a.)
Caractérisation des
Analyse de la phase dépôts sur les flancs
gazeuse du plasma
Masque
(W -O
3)
O
W
14000
12000
Poly
Intensité (u.a.)
10000 W-W
des procédés
Optimisation
Poly
Contrôle du Poly-Si 8000
6000 O-W-F
TiN
profil de grille 4000
(WOxFy)
W-C
2000
W W5p3
TiN
TiN 0
40 38 36 34 32 30
Energie de liaison (eV)
500
W ou WN
W
HfO2 Analyse de surface
Vitesse de gravure (Å/min)
des mécanismes
WN
Compréhension
400 Substrat Si
6
10
300
5
10 W
200
Intensité (u.a.)
10
4 WN
W
100 3
10
2
0 10
Perspectives
0 10 20 30 40
Conclusions
O2/(O2+Cl2) (%) Caractérisation 10
1
des matériaux
0
10
Détermination des vitesses de gravure 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
Angle (°
)
et des sélectivités métal/high-k 10
11. Réacteurs de gravure 200 et 300 mm
2 réacteurs de type ICP (Inductively Coupled Plasma)
expérimental
Dispositif
Plateforme 300 mm LAM Versys de LAM Research Plateforme 200 mm Centura d’Applied Materials
des procédés
Optimisation
des mécanismes
Compréhension
Optimisation des procédés de Caractérisation des plasmas et
gravure des matériaux par XPS et
spectrométrie de masse*
Perspectives
Conclusions
* Réacteur Centura 300 mm d’Applied Materials pour la spectrométrie de masse 11
12. Sommaire
Contexte
Introduction
Objectifs de l’étude
Dispositif expérimental
La méthodologie de travail
Les réacteurs de gravure
Optimisation des procédés de gravure
Caractérisation des matériaux
Etude préliminaire
Développement de chimies à base de Cl2/O2
Compréhension des mécanismes de gravure
Analyse de surface par XPS
Analyse des plasmas Cl2/O2 par spectrométrie de masse
Analyse des couches de passivation
Conclusions et perspectives
13. Caractérisation des métaux avant gravure
Spectre W4f du W Spectre W4f du WN
O-W-N
Analyse en surface
1,2 W-W 12
Analyse en surface
Intensité (u.a.)
Intensité (u.a.)
0,8 8
W-O W-N
0,4 4
Analyse en profondeur
Analyse en profondeur
0,0 0
40 38 36 34 32 30 40 38 36 34 32 30
des procédés
Optimisation
Energie de liaison (eV) Energie de liaison (eV)
WOx
WOxN
W
des mécanismes
Compréhension
W est légèrement oxydé en surface
WN présente un taux d’oxygène élevé
W est plus dense que WN (19 g.cm-3 contre 15 g.cm-3)
Perspectives
Conclusions
Quelle conséquence sur l’intégration des métaux dans la grille ?
13
14. Caractérisation des empilements de grille
HfO2 HfO2
Poly-Si
Poly-Si
Observations TiN W Si TiNOy WOxN Si
TEM
100
100
des procédés
Optimisation
80 80
Intensité (u.a.)
Intensité (u.a.)
60 60
Cartographie 40 40
de l’oxygène
20 20
des mécanismes
Compréhension
0 0
0 10 20 30 40 0 10 20 30 40
Position (nm) Position (nm)
Présence d’un oxyde natif à la surface de la couche de TiN
Diffusion de l’oxygène de WOxN vers TiN pendant le dépôt de poly-Si/TiN ?
Perspectives
Conclusions
Génère une couche de TiNOy dans le cas du WN
14
15. Etude préliminaire : gravure des métaux
50 sccm X, 10 mTorr, 500 W (source), 0 à 100 V (tension de polarisation)
1600 1600
Vitesse de gravure (Å/min)
Vitesse de gravure (Å/min)
1400 1400
SF6
SF6
1200 1200
1000 NF3 1000
800 800
NF3 WOxNy
600 W 600 CF4
Cl2
des procédés
Optimisation
400 400
200 CF4 200
Cl2 HBr
HBr
0 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
Tension de polarisation (V) Tension de polarisation (V)
des mécanismes
Compréhension
S. Ghandhi, VLSI Fabrication Principles, 2nd Edition.
Wiley-Interscience, (1994)
Inadaptée en HBr
Gravure assistée par le bombardement ionique en Cl2
Gravure de nature chimique pour les plasmas fluorés
Compétition entre dépôt d’espèces fluorocarbonées et gravure en CF4
Perspectives
Conclusions
Des vitesses de gravure plus élevées pour le WN
15
16. Gravure du HfO2 et sélectivité W/HfO2
50 sccm X, 10 mTorr, 500 W (source), 30 à 100 V (tension de polarisation)
Vitesse de gravure (Å/min) 160 450
140 400 CF4
CF4
Sélectivité W sur HfO2
120 350 Cl2
Cl2 300
100 NF3
NF3 250
80 SF6
SF6 200
60
150
40
100
20 50
des procédés
Optimisation
0 0
0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100
Tension de polarisation (V) Tension de polarisation (V)
Vitesses de gravure dépendantes de l’énergie des ions appliquées à la
surface
des mécanismes
Compréhension
Sélectivité métal/high-k diminue fortement avec l’énergie des ions
En chimie chlorée : tension de polarisation < 60 V
En chimie fluorée : marge plus importante
Perspectives
Conclusions
Fenêtre de procédé restreinte pour la gravure du W (WN) / HfO2
16
17. Stratégie de gravure de grille
Gravure poly-Si
• SF6/CH2F2/N2/He
Masque
Passivation CFx
• HBr/O2/He
Arrêt sur TiN
des procédés
Optimisation
Poly-Si 1000 Å
• HBr/He
Surgravure
TiN 100 Å
W ou WN 100 Å
High-K 30 Å
Gravure des métaux
des mécanismes
Compréhension
Substrat Si
Comment intégrer la gravure métallique dans la gravure de grille ?
Perspectives
Conclusions
17
18. Limitations des chimies classiques
TiNOy - WOxN : Cl2-NF3 TiNOy - WOxN : SF6-CH2F2
Poly-Si Poly-Si
des procédés
Optimisation
TiNOy + WOxN TiNOy + WOxN
75 nm 75 nm
Mise en évidence des nouvelles contraintes :
des mécanismes
Compréhension
Préserver le profil vertical dans le polysilicium
Obtenir un profil vertical de la bicouche métallique
Obtenir une sélectivité métal/high-k suffisamment élevée
Perspectives
Conclusions
Compromis impossible, besoin de développer une autre stratégie
18
19. Utilisation de la chimie Cl2/O2 pour W et WN
H. Lee et al., Materials Science in Semiconductor Processing 8, p602 (2005)
La vitesse de gravure du W, WN augmente avec l’ajout d’O2
création de produits de gravure plus volatils de type WOClx
La sélectivité W (ou WN)/polysilicium augmente avec l’ajout d’O2
W
WN
des procédés
Optimisation
Poly-Si
Technolgie DRAM
(Dynamic Random Access Memory)
des mécanismes
Compréhension
J. Chen et al., JVSTA 22, p1552 (2004)
La vitesse de gravure des high-k diminue avec l’ajout d’O2
(ré-oxydation des produits de gravure de type HfO)
Perspectives
Conclusions
19
20. Etudes des cinétiques de gravure du W, WN et HfO2
80 sccm (Cl2+O2), 5 mTorr, 450 W (source), 30 V (tension de polarisation)
500 12
Vitesse de gravure (Å/min)
Vitesse de gravure (Å/min)
WN 10
400
8
300
6
200 HfO2
4
W
100
2
des procédés
Optimisation
0 0
0 10 20 30 40 0 10 20 30 40
O2/(O2+Cl2) (%) O2/(O2+Cl2) (%)
Concernant W et WN, 2 régimes:
des mécanismes
Compréhension
La vitesse de gravure des métaux augmente avec l’ajout d’O2
La gravure est stoppée au-delà d’un certain pourcentage
La vitesse de gravure de HfO2 est négligeable voire nulle sélectivité
métal/HfO2 quasi-infinie
Perspectives
Conclusions
Quel profil du métal associé à ces sélectivités métal/high-k élevée ?
20
21. Profil du WN dans les plasmas Cl2/O2
Profil vertical du TiNOy en Cl2 (présence d’oxygène dans la couche)
WOxN gravé dans un plasma de Cl2/O2 avec un débit total de 80 sccm
Cl2 Cl2/O2 5% Cl2/O2 20%
Poly
Poly Poly
des procédés
TiNOy TiNOy TiNOy
Optimisation
WOxN WOxN WOxN
50 nm
des mécanismes
Compréhension
Contrôle du profil du WN avec 5% d’O2 dans Cl2/O2
Perspectives
Conclusions
21
22. Profils du W dans les plasmas Cl2/O2
Profil vertical du TiN in Cl2/HBr
W gravé dans un plasma de Cl2/O2 avec un débit total de 80 sccm
30% O2
no O2 10% O2 20% O2 30% O2
Poly Poly
des procédés
Optimisation
TiN
W TiN
W
75nm
des mécanismes
Compréhension
Sans O2 : le TiN est gravé latéralement par le chlore pendant la gravure du W
Augmentation de la concentration d’O2 dans Cl2/O2 :
Diminution de la gravure latérale du TiN
Augmentation du dépôt sur les flancs des motifs
Perspectives
Conclusions
Comment contrôler ce dépôt sur les flancs des motifs ?
22
23. Impact du fluor sur la gravure du métal et du high-k
80 sccm (Cl2+O2) + X sccm NF3, 5 mTorr, 450 W (source), 30 V (tension de polarisation)
800 14
Vitesse de gravure (Å/min)
15 sccm NF3 15 sccm NF3
W
Vitesse de gravure (Å/min)
12
600
10
8
400
6
HfO2
4
200
des procédés
7 sccm NF3
Optimisation
2 sans NF3
sans NF3 0
0
0 10 20 30 40 50 60 0 10 20 30 40 50 60
O2/(O2+Cl2) (%) O2/(O2+Cl2) (%)
des mécanismes
Compréhension
Comportement identique avec l’ajout de fluor
Décalage de la limite avant la diminution de la vitesse de gravure de W
Vitesse de gravure négligeable de HfO2 sélectivité W/HfO2 > 60 : 1
Perspectives
Conclusions
23
24. L’ajout du fluor pour le contrôle des couches de passivation
Gravure du TiN en Cl2/HBr
Gravure du W en Cl2/O2 30% + NF3
30% O2 7sccm NF3 11sccm NF3 15sccm NF3
des procédés
Optimisation
pente léger Notch +
75nm
notch Attaque poly
des mécanismes
Compréhension
Ajout de NF3: contrôle le profil de W (légère pente à profil rentrant)
Avec un débit NF3 trop élevé : gravure du pied du polysilicium
Perspectives
Conclusions
24
25. Développement de procédés de gravure de grille : conclusion
Poly-Si Développement
d’un procédé
WOxN TiNOy TiNOy de gravure en
WOxN WOxN Cl2/O2 75 nm
Sélectivité
WN/HfO2 infinie
des procédés
Optimisation
W, WN après W, WN intégrés Gravure des
dépôt pleine dans les grilles métaux en
plaque métalliques Cl2 pur
des mécanismes
Compréhension
WOx Poly-Si Besoin d’une
forte quantité
W TiN d’O2 et ajout
W W de fluor léger
notch
Gravure
Perspectives
Conclusions
latérale Sélectivité
du TiN W/HfO2 > 60:1
25
26. Sommaire
Contexte
Introduction
Objectifs de l’étude
Dispositif expérimental
La méthodologie de travail
Les réacteurs de gravure
Optimisation des procédés de gravure
Caractérisation des matériaux
Etude préliminaire
Développement de chimies à base de Cl2/O2
Compréhension des mécanismes de gravure
Analyse de surface par XPS
Analyse des plasmas Cl2/O2 par spectrométrie de masse
Analyse des couches de passivation
Conclusions et perspectives
27. Impact des plasmas Cl2/O2 sur la surface de W
100 sccm (Cl2+O2), 5 mTorr, 300 W (source), 24 W (puissance de polarisation)
300
Vitesse de gravure (Å/min)
2.8%
W Cl
W Cl
200
100 O
5.64%
W
0
des mécanismes
Compréhension
0 10 20 30 40 50
O2/(O2+Cl2) (%)
En régime de gravure : couche réactive en surface négligeable.
Au-delà de 35% d’O2 : création d’une couche d’oxyde métallique de type WO2
Perspectives
Conclusions
la gravure du métal est stoppée
27
28. Impact des plasmas Cl2/O2 sur la surface de W
100 sccm (Cl2+O2) + 5 sccm SF6, 5 mTorr, 300 W (source), 24 W (puissance de polarisation)
800
Vitesse de gravure (Å/min)
15 sccm NF3
600
12.8%
O
Cl
F 11.7%
400 W
57.8%
O
200
5.64%
W
sans NF3
0
des mécanismes
Compréhension
0 10 20 30 40 50 60
O2/(O2+Cl2) (%)
La composante WO2 disparaît
Création d’une couche réactive WOxFy
Perspectives
Conclusions
régime de gravure
28
29. Impact des plasmas de Cl2/O2 sur la surface de WOxN
100 sccm (Cl2+O2), 5 mTorr, 300 W (source), 24 W (puissance de polarisation)
O 34.7%
500 22.2%
O
21.7%
Vitesse de gravure (Å/min) N Cl
N 24.6%
Cl
400 W
W
300
200
O
100 Cl 8.06%
W
des mécanismes
Compréhension
0
0 10 20 30
O2/(O2+Cl2) (%)
En régime de gravure : apparition d’une couche réactive de type WOxCly
riche en chlore
Perspectives
Conclusions
Au-delà de 10% d’O2 :
oxydation métallique du WN, la gravure est stoppée
29
30. Analyse des plasmas Cl2/O2 par spectrométrie de masse
6
4,5x10
6
4,0x10
6
3,5x10
Intensité (u.a.)
6
3,0x10 + +
Cl O2
6
2,5x10 ClO
+
Cl2
+
6 + +
2,0x10 Cl2O ClO2
6
1,5x10
6
1,0x10
5
5,0x10
0,0
0 10 20 30 40 50 60 70
des mécanismes
Compréhension
O2/(O2+Cl2) (%)
Deux espèces ioniques majoritaires : Cl2+ et ClO+
Perspectives
Quelle espèce ionique a un rôle prépondérant sur l’augmentation
Conclusions
de la gravure du W (WN) dans les plasmas Cl2/O2 ?
30
31. Analyse des plasmas Cl2/O2 pendant la gravure du W
Les espèces responsables de la gravure du W
250
Vitesse de gravure (Å/min)
160 15%
Vitesse de gravure (Å/min)
140 200
120
150
100
3%
m
80
cc
cm
100
0s
60
sc
m
cm
11
cc
80
40 50
sc
1s
20
80
11
0 0
6 6 6 6 6
0 1x10 2x10 3x10 4x10 5x10
Cl2 Cl2-O2 10%
des mécanismes
Compréhension
+
Intensité ClO (u.a.)
ClO+ accélère la réaction à la surface du W
L’augmentation de la vitesse de gravure du W semble résulter
principalement de la synergie entre les ions ClO+ et les neutres ClO
Perspectives
Conclusions
Travaux de C. C. Hsu sur la gravure du Ru en Cl2/O2
C. C. Hsu et al., JVSTA 24, p1 (2006)
31
32. Analyse des plasmas Cl2/O2 pendant la gravure du WOxN
+ +
Cl NO
6 5 + +
3,5x10 Cl
+
NO
+
6x10 NO 2 NCl
+ + + +
6 NO2 NCl NCl2 Cl3
3,0x10 + + 5x10
5
NCl2 ClO
Intensité (u.a.)
6 + +
2,5x10 Cl2 Cl3 5
Intensité (u.a.)
4x10
6
2,0x10
5
3x10
6
1,5x10
5
6
2x10
1,0x10
5
5,0x10
5 1x10
0,0 0
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
O2/(O2+Cl2) O 2/(O 2+Cl2)
des mécanismes
Compréhension
ClO+ responsable de l’augmentation de la vitesse de gravure du WN
Réaction appuyée par la réaction de l’azote avec le chlore et l’oxygène du
plasma
Perspectives
Conclusions
32
33. XPS sur échantillon flottant
La technique de l’échantillon flottant : l’échantillon d’Al2O3 flottant, fixé
sur la plaque par des rouleaux de Kapton™, présente le même comportement
que les murs du réacteur
Energie des ions ~ 15 eV :
dépôt
Energie des ions > 100 eV Echantillon
d’Al2O3
≡ Surface des
gravure murs du réacteur
Echantillon surélevé
W ou WN
Plaque de α-C O. Joubert et al. JVSTB 22 p553 (2007)
RF bias
XPS
des mécanismes
Compréhension
Polymères sur les flancs
•Nature chimique du dépôt
sur l’échantillon flottant
≡ de la grille pendant la
Perspectives
Conclusions
gravure plasma
33
34. Analyse des couches de passivation dans le cas du W
Echantillon Pas de
Al2O3 Cl C Cl22
Cl
dépôt
Dépôt de
Al2O3
Ech W-O Cl O C Cl2/O2 10%10%
Cl2/O2 WO2
00 20
20 40
40 60
60 80
80 100
100
Element concentration (at %)
Cl2/O2 10-30% Dépôt WO2
Dépôt WO2
W-O Cl OO-W-F F Cl2/O2 2 10% 2 30%
Cl2/O
Cl2/O 10-30%
30%
Ech 2O3
Al supprimé
épais
+
+ SF6
+ SF6 fluor
des mécanismes
Compréhension
00 20
20 40
40 60
60 80
80 100
100
Element concentration (at %)
Ajout d’O2 : déposition de WO2 d’où la pente dans le W
Ajout élevé d’O2 : augmentation du dépôt de type WO2
Perspectives
Conclusions
Ajout de fluor : élimination du WO2 et profil vertical du W
34
35. Analyse des couches de passivation dans le cas du WOxN
Poly
Echantillon
W
C Cl2 Dépôt
TiNOy N Cl
WNCl4
WNOx
0 20 40 60 80 100
Element concentration (at %)
Poly
Léger dépôt
TiNOy Ech W O Cl2/O2 5%
WNOx WO2
Dépôt WO2
Ech W Cl O Cl2/O2 20%
épais
des mécanismes
Compréhension
En Cl2 pur : dépôt de type WNCl4
Ajout d’O2: réaction de l’oxygène avec l’azote pour créer des produits de
Perspectives
Conclusions
gravure volatils de type NOx et NCly le dépôt WNCl4 est supprimé
Ajout élevé d’O2 : augmentation du dépôt de type WO2
35
36. Sommaire
Contexte
Introduction
Objectifs de l’étude
Dispositif expérimental
La méthodologie de travail
Les réacteurs de gravure
Optimisation des procédés de gravure
Caractérisation des matériaux
Etude préliminaire
Développement de chimies à base de Cl2/O2
Compréhension des mécanismes de gravure
Analyse de surface par XPS
Analyse des plasmas Cl2/O2 par spectrométrie de masse
Analyse des couches de passivation
Conclusions et perspectives
37. Conclusions et perspectives
Optimisation des procédés de gravure
Caractérisation des matériaux W et WN après dépôt et intégrés dans la grille
Un procédé de gravure optimisé pour chaque empilement de grille métallique
(W ou WN) : sélectivité métal/HfO2 > 60:1, profil quasi vertical et CD ~ 40 nm
Maîtrise de la fin d’attaque pour une bonne répétabilité
Contrôle de la contamination métallique
Poursuites de l’étude
Optimisation pour des motifs plus agressifs (CD < 40 nm)
Uniformité bord/centre impact de la pression, des débits de gaz…
Utilisation de cette méthodologie pour la gravure d’autres métaux de grille
Perspectives
Conclusions
37
38. Conclusions et perspectives
Compréhension des mécanismes de gravure
Modèle de gravure proposé pour W et WN :
Les espèces ClO responsables de l’accroissement de la vitesse de gravure du
métal
Pour WOxN, la gravure du métal est également favorisée par la réaction de
l’oxygène avec l’azote pour former des espèces NOy
Lors de la gravure du W (WOxN) en Cl2/O2, un dépôt de type WO2 se forme
sur les flancs des motifs et sa vitesse de croissance dépend de la quantité
d’O2 dans le plasma
En Cl2 pur, la gravure du WN mène à un dépôt de type WNCl4
Poursuites de l’étude
Etude par spectrométrie de masse des plasmas Cl2/O2/fluor
Analyse XPS topographique chimique pour compléter la technique de
l’échantillon flottant
Perspectives
Conclusions
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39. Merci pour votre attention
Je remercie tous mes collègues du
CEA-LETI-Minatec, de STMicroelectronics et du LTM
