1. Ingeniería de Sistemas
Julio Ayala Vega
2014
*
Presentación en www.slideshare.net
http://www.slideshare.net/ayala_julio_62/3-3 Transistores

2. *
*El transistor original fue de esta clase y
consistía en electrodos de emisor y colector
que tocaban un pequeño bloque de
germanio llamado base.El material de la
base podía ser de tipo N y del tipo P y era un
cuadrado de 0.05 pulgada de lado
aproximadamente. A causa de la dificultad
de controlar las características de este frágil
dispositivo, ahora se le considera obsoleto.

3. *
* Los cristales de esta clase se obtienen
por un proceso de "crecimiento"
partiendo de germanio y de silicio
fundidos de manera que presenten
uniones muy poco separadas embebidas
en la pastilla.El material de impureza se
cambia durante el crecimiento del cristal
para producir lingotes PNP o NPN, que
luego son cortados para obtener pastillas
individuales. Los transistores de unión se
pueden subdividir en tipos de unión de
crecimiento, unión de alineación y de
campo interno. El transistor del último
tipo es un dispositivo de unión de
alineación en que la concentración de
impurezas que está contenida dentro de
una cierta región de la base a fin de
mejorar el comportamiento en alta
frecuencia del transistor.

4. *
*Esta clase de semiconductor se
puede utilizar en un margen más
amplio de frecuencias y el
proceso de fabricación ha
facilitado el uso de silicio en vez
de germanio, lo cual favorece la
capacidad de potencia de la
unidad. Los transistores de unión
difusa se pueden subdividir en
tipos de difusión única
(hometaxial), doble difusión,
doble difusión planar y triple
difusión planar.

5. *
* Estos transistores de unión se obtienen por el proceso de crecimiento en una
pastilla de semiconductor y procesos fotolitográficos que se utilizan para
definir las regiones de emisor y de base durante el crecimiento. Las unidades
se pueden subdividir en transistores de base epitaxial, capa epitaxial y
sobrecapa (overlay).

6. *
*El transistor de efecto de campo de unión (JFET), o transistor
unipolar, fue descubierto en 1928, pero hasta 1958 no se construyó el
primer transistor práctico de efecto de campo. Se puede considerar a
este dispositivo como si fuese una barra, o canal, de material
semiconductor de silicio de cualquiera de los tipos N o P. En cada
extremo de la barra se establece un contacto óhmico, que representa
un transistor de efecto de campo tipo N en su forma más sencilla. Si
se difunden dos regiones P en una barra de material N (desde los
extremos opuestos del canal N) y se conectan externamente entre sí,
se produce una puerta o graduador. Un contacto se llama surtidor y el
otro drenador. Si se aplica una tensión positiva entre el drenador y el
surtidor y se conecta la puerta al surtidor, se establece una corriente.
Esta corriente es la más importante en un dispositivo de efecto de
campo y se le denomina corriente de drenador con polarización cero
(IDSS).Finalmente, con un potencial negativo de puerta denominado
tensión de estrangulamiento (pinch-off) cesa la conducción en el
canal.

7. *
*http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_cam
po.htm