El documento describe diferentes tipos de transistores, incluyendo: 1) el transistor de contacto puntual, el primer transistor capaz de ganancia, inventado en 1947; 2) el transistor de unión bipolar, fabricado con semiconductores como germanio o silicio; 3) el transistor de efecto de campo (JFET), formado por una barra de silicio con regiones dopadas; 4) el MOSFET, el transistor más utilizado hoy en día, con cuatro terminales - surtidor, drenador, compuerta y sustrato. Finalmente, describe brevemente los transistores HBT y

1. TRANSISTORES
NORIEGA MALDONADO, JESÚS DAVID.
4 CICLO ING. DE SISTEMA.

2. 1 INTRODUCCION
• En la actualidad, existe una gran variedad de aparatos electrónicos, tales como
televisores, vídeos, equipos musicales, relojes digitales y, cómo no,
computadoras. Aunque, aparentemente sean muy distintos, todos ellos tienen
algo en común: los dispositivos electrónicos de los que están constituidos. Los
transistores son unos de los dispositivos más importantes. Están construidos
con materiales semiconductores pero con estructuras más complejas que los
diodos. Son la base de la electrónica y uno de los objetivos actuales es ir
reduciendo su tamaño continuamente.
• Como ya sabemos, si tenemos un material semiconductor
tipo P y uno de tipo N, y los juntamos, esta unión da lugar
al diodo; pieza básica de cualquier circuito electrónico.
Este tipo de unión P-N no es la única que se puede hacer
con materiales semiconductores. La ampliación más sencilla
que se puede hcer a una unión P-N es simplemente añadirle
de nuevo otra capa de semiconductor tipo P o tipo N.
Es así como se obtiene lo que se conoce con el nombre de transistor de unión
bipolar. Un transistor bipolar es la unión de un material semiconductor tipo P,
uno del tipo N y de nuevo otro del tipo P; este sería el caso de un transistor P-N-

3. TRANSISTOR DE CONTACTO PUNTUAL
Llamado también «transistor de punta de contacto»,
fue el primer transistor capaz de obtener ganancia,
inventado en 1947 por John Bardeen y Walter
Brattain. Consta de una base de germanio,
semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se
apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de
base es capaz de modular la resistencia que se «ve»
en el colector, de ahí el nombre de transfer resistor.
Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en
su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban
a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas)
y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de
unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho
de banda. En la actualidad ha desaparecido.

4. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
• El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés
Bipolar Junction Transistor) se fabrica básicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los aislantes como el diamante.
Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy
controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN
o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con
elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P
de aceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se
utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al)
o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P). La
configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP
o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la
característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector
que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el
emisor está mucho más contaminado que el colector). El
mecanismo que representa el comportamiento semiconductor
dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y
del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa,
epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

5. TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
• El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el
primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo
forma una barra de material semiconductor de silicio de
tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un
contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos
regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de
estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.
Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor
y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una
corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con
polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al
que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la
conducción en el canal.
• El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en
inglés, que controla la corriente en función de una
tensión; tienen alta impedancia de entrada.

6. MOSFET
• El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor
o MOSFET (en inglés Metal-oxide-
semiconductor Field-effect transistor) es
un transistor utilizado para amplificar o
conmutar señales electrónicas. Es el transistor
más utilizado en la industria microelectrónica, ya
sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el
transistor de unión bipolar fue mucho más
popular en otro tiempo. Prácticamente la
totalidad de los microprocesadores comerciales
están basados en transistores MOSFET.
• El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales
llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta
(G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato
generalmente está conectado internamente al

7. TRANSISTORES HBT Y HEMT.
• Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar
Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight Electrón Mobility
Transistor (De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales
formados por la combinación de diferentes componentes, con distinto
salto de banda prohibida.
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