Poster co-author presented at Asociación Argentina de Cristalografía national meeting realized in Santa Fe (Argentina) in 2012

1. Estudio de la cinética de crecimiento de filmes finos de
compuestos por sputter magnetrón reactivo: desarrollo de uncompuestos por sputter magnetrón reactivo: desarrollo de un
reactor para estudios de difracción de rayos X in situ en elreactor para estudios de difracción de rayos X in situ en el
sincrotrón del LNLS
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El sputtering magnetrón reactivo (SMR) es una técnica ampliamente utilizada para hacer crecer filmes finos (decenas de nanómetros hasta varios micrómetros) deEl sputtering magnetrón reactivo (SMR) es una técnica ampliamente utilizada para hacer crecer filmes finos (decenas de nanómetros hasta varios micrómetros) de
compuestos y se aplica tanto en laboratorios de investigación como en procesos industriales. El proceso consiste en la proyección de átomos (Al, Ti, etc.) eyectados de un
blanco inserto en el magnetrón hacia la superficie de un sustrato. Estos átomos se propagan en una atmósfera de mezcla de gases reactivos (N, O, etc.) a baja presión. En
este proceso se pueden desarrollar compuestos de AlN, TiN, etc., que generarán en última instancia un filme que crecerá sobre la superficie del sustrato colocado a ciertaeste proceso se pueden desarrollar compuestos de AlN, TiN, etc., que generarán en última instancia un filme que crecerá sobre la superficie del sustrato colocado a cierta
distancia del magnetrón. La naturaleza de dicho compuesto (estequiometria del compuesto depositado, estructura -monocristalina, policristalina, amorfa-, densidad, etc.),
dependerá, además del tipo de blanco y de la naturaleza del gas reactivo, de los demás parámetros del proceso.
Normalmente, los análisis se realizan sobre los filmes cuando se retiran del reactor de deposición y se aplican para ello diferentes técnicas que aportan información sobre laNormalmente, los análisis se realizan sobre los filmes cuando se retiran del reactor de deposición y se aplican para ello diferentes técnicas que aportan información sobre la
composición y la estructura cristalina, siendo la difracción de rayos X la técnica más utilizada por su alta fiabilidad. No obstante, un problema importante es la determinación
de la evolución de la película durante su crecimiento.
El reactor se diseña para trabajar en vacío (con presiones base de 10-5 Pa). Está El nitruro de aluminio es un compuesto III-V cuya estructura cristalina es de tipoEl reactor se diseña para trabajar en vacío (con presiones base de 10-5 Pa). Está
construido en acero AISI 316L de 3 mm de espesor y posee un diámetro interno de
184 mm, mientras que su altura es de 128 mm. Posee dos ventanas de Kapton
para permitir la entrada del haz incidente de rayos X proveniente del sincrotrón y
El nitruro de aluminio es un compuesto III-V cuya estructura cristalina es de tipo
würtzita. El AlN se destaca por su amplio salto de banda, su alta resistividad
eléctrica, con su alta tensión de ruptura y por su buena tasa de propagación
acústica y poca pérdida por transmisión. Debido a esto, AlN presenta altapara permitir la entrada del haz incidente de rayos X proveniente del sincrotrón y
para permitir la salida de los fotones X difractados por el filme durante su
crecimiento. La separación máxima entre muestra y magnetrón es de 60 mm, lo
que implica que se pueden estudiar ángulos de difracción entre -2 y 63º. La mínima La realización de los filmes de AlN está influenciada por su microestructura, que
acústica y poca pérdida por transmisión. Debido a esto, AlN presenta alta
aplicabilidad en dispositivos microelectrónicos, tales como los resonadores de
onda acústica superficial (SAW) [3].
que implica que se pueden estudiar ángulos de difracción entre -2 y 63º. La mínima
distancia blanco-sustrato es de 25 mm, debido a la colocación de un obturador
hasta que la descarga alcanza condiciones estacionarias. El reactor se monta en
un difractómetro Huber de 4+1 ejes en la línea XRD2 del LNLS. Esto nos permite
La realización de los filmes de AlN está influenciada por su microestructura, que
depende a su vez de las condiciones de deposición, es decir, si por ejemplo se
logra la orientación preferencial (00·2) las propiedades piezoeléctricas serán
óptimas. Tanto la microestructura como la morfología influyen en la capacidad de
EXPERIMENTAL
un difractómetro Huber de 4+1 ejes en la línea XRD2 del LNLS. Esto nos permite
poder trabajar en configuración θ-2θ y en rasante (GIXRD). El diseño del reactor
permite además poder trabajar utilizando reflectometría (XRR) y, recurriendo a la
instalación de un añadido, llevar a cabo análisis GISAXS. Es posible también la
óptimas. Tanto la microestructura como la morfología influyen en la capacidad de
disipación de calor en los filmes de AlN, al igual que la rugosidad interfásica y la
orientación preferencial [4].
EXPERIMENTAL
Las películas de AlN se obtuvieron con un blanco de Al de alta pureza y fueron
depositadas en un sustrato limpio de Si(100). La atmósfera fue una mezcla de N2
instalación de un añadido, llevar a cabo análisis GISAXS. Es posible también la
medición de temperatura de la muestra.
depositadas en un sustrato limpio de Si(100). La atmósfera fue una mezcla de N2
y Ar de alta pureza. La distancia blanco-sustrato se fijó en 30 mm y la descarga
DC fue de 300 V.
La presión total se varió entre 620 y 820 Pa, con la razón nitrógeno/argón
Magnetrón
La presión total se varió entre 620 y 820 Pa, con la razón nitrógeno/argón
variando entre 1:3 y 14:11. No hubo fuentes externas de calentamiento. La λ
utilizada fue de 1,549 Å (8,000 keV) y el detector fue un Pilatus 2D promediado y
convertido en 1D. El tiempo de deposición fue de 54 minutos.
Ventana de
Kapton
Magnetrón
A la
convertido en 1D. El tiempo de deposición fue de 54 minutos.
GIDRX
Ventana de
observación
Muestra
Sensor de
vacío
A la
bomba
Entrada de
gases Posicionador
Rayos X incidentes Rayos X difractados
Magnetrón
Ventana de Kapton
Muestra
Figura 2. GIXRD a 2º de incidencia entre 32 y 37º para analizar la evolución de los picos (10·0) y (00·2). a)
Figura 1. Arriba: Esquema del reactor de deposición con detalle de zonas externas y fotografía lateral.
Abajo: Esquema del interior de la cámara y ángulos relevantes en la difracción y fotografía de su
Figura 2. GIXRD a 2º de incidencia entre 32 y 37º para analizar la evolución de los picos (10·0) y (00·2). a)
Difractogramas tomados entre los 3 y 33 minutos de deposición, donde se observa un temprano desarrollo
de estructura. b) Difractogramas tomados entre los 36 y 54 minutos de deposición tras cambiar la
proporción de gases y la presión total de trabajo. Tras esto, el pico (10·0) no se ve afectado en su
crecimiento, mientras que el pico (00·2) ve su crecimiento drásticamente reducido.
RESULTADOS Y DISCUSIÓN
Abajo: Esquema del interior de la cámara y ángulos relevantes en la difracción y fotografía de su
montaje en el goniómetro. En esta línea ya se hicieron análisis in situ con otro reactor [1], pero
enfocados al estudio de la nitruración de aceros austeníticos inoxidables [2].
crecimiento, mientras que el pico (00·2) ve su crecimiento drásticamente reducido.
Agradecimientos
Los autores agradecen a la ANPCyT y al LNLS, además de al CONICET, al
RESULTADOS Y DISCUSIÓN
En este trabajo presentamos el diseño y construcción de una cámara para SMR a instalar en el goniómetro Huber de la
línea XRD2 del Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS) de Campinas, que permite el estudio in situ de la cinética Los autores agradecen a la ANPCyT y al LNLS, además de al CONICET, al
IFIR y la UNR (Argentina), tanto como a la USP y UFPR (Brasil).
Agradecemos la ayuda de Luís Carlos Silveira Vieira, de Daniel Gustavo
Castellani y Javier Marcelo Cruceño.
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línea XRD2 del Laboratório Nacional de Luz Síncrotron (LNLS) de Campinas, que permite el estudio in situ de la cinética
de crecimiento de los filmes finos. Se presentan además los primeros resultados sobre el crecimiento de filmes de AlN a
partir de una secuencia de difractogramas, tomados en forma rasante ( =2o). Los resultados muestran el desarrollo un
filme policristalino de estructura hcp desde el mismo inicio (3 minutos de proceso). La secuencia de difractogramas /2
tomados cada 3 minutos de proceso concentrados en los picos de Bragg 2 =33,3o y 2 =36,3o (correspondientes a los )!) ) "% 1
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tomados cada 3 minutos de proceso concentrados en los picos de Bragg 2 =33,3o y 2 =36,3o (correspondientes a los
planos (10·0) y (00·2), respectivamente) mostraron una igual velocidad de crecimiento hasta los primeros 36 minutos. El
proceso se desarrolló con una relación de concentración N2/Ar de 1:3 y una presión total de 620 Pa. A partir de ese
instante, se cambiaron las condiciones indicadas a una relación de concentraciones de 14:11 y una presión total de 820
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Pa, obteniéndose un cambio radical en la cinética, observándose que mientras el pico correspondiente al plano (10·0)
continuó creciendo de igual forma, el correspondiente a (00·2) se detuvo drásticamente. Finalmente, estos resultados
permitieron establecer la viabilidad de esta técnica de estudio in situ de procesos de crecimiento de filmes.
En esta presentación se muestra el diseño de la cámara, su inserción en el goniómetro Huber en la línea XRD2 del LNLS, B$C D " I 1 3 D 1 @ " & * E 88 ' 00 - + 8En esta presentación se muestra el diseño de la cámara, su inserción en el goniómetro Huber en la línea XRD2 del LNLS,
el funcionamiento de todo el sistema y los primeros resultados sobre la cinética de crecimiento de filmes de AlN.