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CICLO IV
INGENIERI
A
DE
Un semiconductor es un material ò
elemento que se comporta como un
conductor o como aislante dependiendo
de diversos factores, cuya conductividad
varía con la temperatura, Resulta que se
desean variaciones de la conductividad
no con la temperatura sino controlables
eléctricamente por el hombre, como por
ejemplo: El campo eléctrico o magnético,
la presión, la radiación que le incide, o la
temperatura del ambiente en el que se
encuentre.
Elemento Grupos
Electrones en
la última capa
Cd 12 2 e-
Al, Ga, B,
In
13 3 e-
Si, C, Ge 14 4 e-
P, As, Sb 15 5 e-
Se, Te, (S) 16 6 e-
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en
estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro
tipo dentro de su estructura.
En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda
de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de
electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.
CONDUCCIÓN INTRÍNSECA:
En la producción de semiconductores, se
denomina dopaje al proceso intencional
de agregar impurezas en un
semiconductor extremadamente puro
(también referido como intrínseco) con el
fin de cambiar sus propiedades eléctricas.
Las impurezas utilizadas dependen del tipo
de semiconductores a dopar. A los
semiconductores con dopajes ligeros y
moderados se los conoce como
extrínsecos. Un semiconductor altamente
dopado que actúa más como un conductor
que como un semiconductor es llamado
degenerado
El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en
las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña.
Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden
de 1 cada 100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo
o ligero. Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada
10.000 átomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este
dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de
tipo N, o P+ para material de tipo P.
Material extrínseco Tipo N:
Impurezas del grupo V de la tabla periódica.
Con muy poca energía se ionizan (pierden
un electrón.
Los portadores mayoritarios de carga en un
semiconductor tipo N son Electrones libres
Material extrínseco Tipo P
Impurezas del grupo III de la tabla periódica
A T=300 K todos los átomos de impureza
han captado un electrón.
Los portadores mayoritarios de carga en un
Huecos libres Átomos de impurezas ioniza
semiconductor tipo P son Huecos: Actúan
como portadores de carga positiva.
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4.1 power point semiconductores intrinsicos

  • 2. Un semiconductor es un material ò elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, cuya conductividad varía con la temperatura, Resulta que se desean variaciones de la conductividad no con la temperatura sino controlables eléctricamente por el hombre, como por ejemplo: El campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Elemento Grupos Electrones en la última capa Cd 12 2 e- Al, Ga, B, In 13 3 e- Si, C, Ge 14 4 e- P, As, Sb 15 5 e- Se, Te, (S) 16 6 e-
  • 3.
  • 4. Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.
  • 5.
  • 6.
  • 8. En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado que actúa más como un conductor que como un semiconductor es llamado degenerado
  • 9. El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10.000 átomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.
  • 10. Material extrínseco Tipo N: Impurezas del grupo V de la tabla periódica. Con muy poca energía se ionizan (pierden un electrón. Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son Electrones libres Material extrínseco Tipo P Impurezas del grupo III de la tabla periódica A T=300 K todos los átomos de impureza han captado un electrón. Los portadores mayoritarios de carga en un Huecos libres Átomos de impurezas ioniza semiconductor tipo P son Huecos: Actúan como portadores de carga positiva.